公开(公告)号：CN106153214A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610572894.0

申请日：2016-07-20

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 董玉明 ,  岳孟果 ,  焦国华 ,  吕建成 ,  鲁远甫 ,  罗阿郁

IPC分类号： G01K11/32 ,  G01K1/08 ,  G01K1/14

摘要： 本发明公开了一种用于油浸变压器内部的温度传感器，包括光纤、设于所述光纤第一端的光纤连接头、封装于所述光纤第二端的热敏元件以及第一保护套和第二保护套，所述第一保护套套设于所述光纤第二端外周面，所述第二保护套套设于所述光纤其它外周面，且所述第一保护套上开设有在其径向上贯穿的多个通孔。本发明还公开了一种用于油浸变压器内部的温度传感器的制造方法。该温度传感器体积小、结构简单、可靠性高，不会造成结构损伤和精度降低等情况发生，能够很好地满足置入绕组或铁心内部等要求，方便地监测油浸变压器的内部温度。

公开(公告)号：CN107367335A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610316461.9

申请日：2016-05-12

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 董玉明 ,  岳孟果 ,  杨春雷 ,  冯丽丽 ,  焦国华 ,  鲁远甫 ,  罗阿郁 ,  吕建成

IPC分类号： G01K11/32

摘要： 本发明提供基于硫化镉温度传感器的温度解调系统，包括依次连接的光源、耦合装置、反射式硫化镉温度传感器，还包括与所述耦合装置连接光谱仪、以及与所述光谱仪连接的控制装置。本发明提出了基于硫化镉的光纤温度传感器的解调系统，硫化镉半导体材料对光吸收的波长范围为480～600nm，这个波段属于可见光波段，因此基于硫化镉的光纤温度传感器解调系统更简单，成本更低。

公开(公告)号：CN107365983B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201610316151.7

申请日：2016-05-12

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 董玉明 ,  岳孟果 ,  杨春雷 ,  冯丽丽 ,  焦国华 ,  鲁远甫 ,  罗阿郁 ,  吕建成

IPC分类号： C23C18/31 ,  G01K11/32

摘要： 本发明提供一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：将光纤固定于插芯后，将所述光纤的裸露端面打磨；镀膜：将硫脲、硫酸镉和氨水按照质量‑体积比为5.694g:0.184g：45mL混合溶于去离子水中形成反应液；然后将所述裸露端面插入所述反应液中，利用化学水浴法在温度为65℃，反应9min，完成一次硫化镉薄膜的镀膜；重复所述镀膜步骤至n次，获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面，n为大于0的自然数；将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在200℃温度下退火处理。本发明采用化学水浴法镀硫化镉薄膜，这种方法可使硫化镉膜与光纤端面紧密结合，且镀膜厚度可控。

公开(公告)号：CN106153214B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201610572894.0

申请日：2016-07-20

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 董玉明 ,  岳孟果 ,  焦国华 ,  吕建成 ,  鲁远甫 ,  罗阿郁

IPC分类号： G01K11/32 ,  G01K1/08 ,  G01K1/14

摘要： 本发明公开了一种用于油浸变压器内部的温度传感器，包括光纤、设于所述光纤第一端的光纤连接头、封装于所述光纤第二端的热敏元件以及第一保护套和第二保护套，所述第一保护套套设于所述光纤第二端外周面，所述第二保护套套设于所述光纤其它外周面，且所述第一保护套上开设有在其径向上贯穿的多个通孔。本发明还公开了一种用于油浸变压器内部的温度传感器的制造方法。该温度传感器体积小、结构简单、可靠性高，不会造成结构损伤和精度降低等情况发生，能够很好地满足置入绕组或铁心内部等要求，方便地监测油浸变压器的内部温度。

公开(公告)号：CN107365983A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610316151.7

申请日：2016-05-12

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 董玉明 ,  岳孟果 ,  杨春雷 ,  冯丽丽 ,  焦国华 ,  鲁远甫 ,  罗阿郁 ,  吕建成

IPC分类号： C23C18/31 ,  G01K11/32

CPC分类号： C23C18/31 ,  G01K11/32

摘要： 本发明提供一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：将光纤固定于插芯后，将所述光纤的裸露端面打磨；镀膜：将硫脲、硫酸镉和氨水按照质量-体积比为5.694g:0.184g：45mL混合溶于去离子水中形成反应液；然后将所述裸露端面插入所述反应液中，利用化学水浴法在温度为65℃，反应9min，完成一次硫化镉薄膜的镀膜；重复所述镀膜步骤至n次，获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面，n为大于0的自然数；将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在200℃温度下退火处理。本发明采用化学水浴法镀硫化镉薄膜，这种方法可使硫化镉膜与光纤端面紧密结合，且镀膜厚度可控。