一种可单片使用的低辐射保温玻璃及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118307216A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410246628.3

    申请日:2024-03-05

    IPC分类号: C03C17/36

    摘要: 本发明涉及隔热保温玻璃技术领域,具体公开了一种可单片使用的低辐射保温玻璃及其制备方法和应用。低辐射保温玻璃包括玻璃本体和依次层叠形成的ITO膜层/Ag合金层/ITO膜层三明治结构。本发明采用AgNb合金,并将其膜层表观厚度限定在4nm以下,同时采用工艺控制手段,使其形成岛状或联通网状结构,可有效提高膜层抗氧化性、膜层附着力、产品耐候性及加工适应性。且本发明采用离线Low‑E镀制方法,同时实现超低辐射率的隔热保温性能和单片使用性能,解决了离线镀制无法单片使用,以及在线Low‑E辐射率偏高的问题。

    低辐射玻璃及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117819832A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311838329.0

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: C03C17/36

    摘要: 本申请涉及一种低辐射玻璃及其制备方法。低辐射玻璃包括玻璃基材,以及依次层叠设置在玻璃基材表面的阻挡层、第一介质层、含银功能层、第一应力弛豫层、金属滑移层以及第二应力弛豫层;第一应力弛豫层包括氧化铝锌、氧化锌、氧化锌锡以及氧化锡中的一种或多种,金属滑移层包括镍、铬、钼、钛、铌以及锆中的一种或多种组成的合金,第二应力弛豫层包括氧化铝锌、氧化锌、氧化锌锡以及氧化锡中的一种或多种。本申请中通过在含银功能层表面设计第一应力弛豫层、金属滑移层以及第二应力弛豫层,可以释放玻璃基材表面膜层的内应力,降低内应力对含银功能层结晶度的影响,进而可以提高含银功能层的结晶度,降低低辐射玻璃的面电阻。

    一种掺杂硼化镧AZO低辐射镀膜玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN103753896B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201410009006.5

    申请日:2014-01-06

    发明人: 王勇 胡冰 刘双 王烁

    IPC分类号: B32B17/06 B32B33/00 C03C17/36

    摘要: 本发明提供一种掺杂硼化镧AZO低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀膜层,镀膜层自内向外依次包括:第一层TiOx、第二层:LaB6-AZO、第三层:Ag、第四层:NiCr、第五层:LaB6-AZO、第六层:Si3N4。还公开了这种镀膜玻璃的制备方法。本发明镀膜玻璃具有以下优点:本镀膜玻璃可见光透过率较高,透过率相对AZO可提高3~4%;在Low-E产品中,作为Ag的打底层与Ag的结合力更好;辐射率低;产品性能稳定,适于大规模生产,光学及热学性能稳定。该玻璃具有良好的外观颜色,膜层不易脱落等特点,可夹层或合中空使用。

    一种光学薄膜膜系设计的方法

    公开(公告)号:CN103018902A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201310020700.2

    申请日:2013-01-21

    IPC分类号: G02B27/00

    摘要: 本发明提供一种光学薄膜膜系设计的方法,该方法主要步骤有:计算并记录不同厚度不同材质的基片的基础光学常数和不同单层薄膜材料的基础光学常数,使用基片和单层薄膜的基础光学常数进行膜系设计,以目标物的实测光谱数据为标准计算出所述膜系设计的理论性能,或者以目标物实测颜色值为标准计算出所述膜系设计的理论性能,按上述任意一种膜系设计制备出新产品,通过Lambda950仪器测量新产品的光谱,根据新产品的光谱计算出新产品的第一性能,对比第一性能与理论性能,选择合理的膜系设计的结果来生产光学薄膜。本发明的步骤简洁有效,加快了膜系设计的速度,提高了膜系设计的准确性。

    ITO导电玻璃的制备方法及ITO导电玻璃

    公开(公告)号:CN117865505A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311838401.X

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: C03C17/23

    摘要: 本申请涉及一种ITO导电玻璃的制备方法及ITO导电玻璃。制备方法包括如下步骤:在玻璃基片的表面制备ITO薄膜,并在所述ITO薄膜的表面制备热保护层,得到预成品;对所述预成品进行热处理,所述热处理的温度为660℃~710℃。制备方法中,在玻璃基片的表面制备ITO薄膜之后,在ITO薄膜的表面制备热保护层,得到预成品。然后将预成品在660℃~710℃温度下进行热处理。在热处理过程中,热保护层可以使ITO薄膜免于高温损坏,并且热处理可以促使ITO重结晶,改善ITO的结晶度,进而可以提高ITO薄膜的导电性。