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公开(公告)号：CN112240903A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910653276.2
申请日：2019-07-19
申请人： 深圳大学
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/407
摘要： 本发明适用于氢气传感器技术领域，尤其涉及一种氢气传感器芯体及其制备方法。所述氢气传感器芯体，包括基底，还包括设置在所述基底上的介质层及设置在所述介质层上的氢气感应层，所述介质层为氮化镓薄膜或铝铟镓氮薄膜。本发明提供的氢气传感器芯体，为一种能够快速检测氢气浓度的场效应管型氢气传感器芯体。
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公开(公告)号：CN107385403A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710646444.6
申请日：2017-08-01
申请人： 深圳大学
CPC分类号： C23C14/46 , C23C14/06 , C23C14/3464
摘要： 本发明公开一种ZnSb基热电薄膜及其制备方法，方法包括步骤：选择纯度大于99.99 %的Zn靶材和纯度大于99.99 %的Sb靶材作为原料，分别将Zn靶材和Sb靶材切割成条状，然后将周期性交替排列的Zn靶材和Sb靶材固定于基板上，然后将固定好靶材的基板固定在离子束溅射系统的工位靶材架上，将离子束溅射系统本底真空度抽至8.0×10-4 Pa，通入惰性气体，将系统内压强控制在8.0×10-2 Pa及以下；控制离子束溅射束流和离子束溅射屏压，进行薄膜沉积，得到ZnSb基热电薄膜。本发明方法沉积速率更快，靶材不易中毒，且靶材不易受热破碎，利用率更高。
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公开(公告)号：CN106434623A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610725085.9
申请日：2016-08-18
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明公开了一种利用声表面波(SAW)技术控制大肠杆菌生长的方法，属于新型电子器件和生物技术领域，具体涉及利用高频低能量(频率超过1MHz，能量0.1W-3W)声表面波促进大肠杆菌的生长，另一方面利用高频高能量(能量大于5W)声表面波抑制大肠杆菌的生长甚至杀灭大肠杆菌，实现大肠杆菌生长的有效控制。本发明在压电材料上制备SAW器件，通过叉指换能器(IDT)将输入的射频信号转换为SAW信号并向容纳有大肠杆菌及培养液的PDMS容器传播，当SAW传播到达PDMS容器后，SAW能量耦合进入含有大肠杆菌的培养液，如图1所示。本发明公开的控制大肠杆菌生长的方法具有设备简单，工艺简便，能够实现局部区域的大肠杆菌生长控制，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105132877A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510590007.8
申请日：2015-09-16
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法，采用磁控溅射技术，以金属钒或钒合金为靶材，以氧气为反应气体，氩气为溅射气体；制备薄膜前，先将真空室抽至低于1×10-3Pa本底真空，然后通入氧气和氩气混合气体，氧分压保持为0.01—0.06Pa，在沉积薄膜过程中，控制沉积温度为240～260℃，并在基底添加负偏压，靶表面溅射功率密度为2-3W/cm2，在基底表面得到高性能的VO2薄膜。本发明的低温沉积方法将VO2薄膜的沉积温度低，并配合适当的负偏压及其他工艺参数制备出的薄膜均匀致密、二氧化钒相变温度低，具有良好相变性能的高性能VO2薄膜；大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN113109402A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110284867.4
申请日：2021-03-17
申请人： 深圳大学
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明所提供的电容式氢气传感器芯体及其制备方法、电容式氢气传感器，电容式氢气传感器芯体包括：自下至上依次设置的基体、介质片和第二电极；其中，基体设置为导电材料层；第二电极设置为氢气敏感层；介质片为Ⅲ族氮化物层，且介质片背离基体的端面氧化为Ⅲ族氧化物层。通过将Ⅲ族氮化物介质片背离基体的端面氧化为Ⅲ族氧化物层，使得第二电极与Ⅲ族氧化物层接触。当暴露于氢气时，氢原子扩散并吸附在Ⅲ族氧化物层与第二电极的接触界面处，Ⅲ族氧化物层直接与氢原子相互作用，促使氢原子的吸附和脱附达到平衡状态，最终使电容式氢气传感器芯体同时兼顾检测下限低、响应速度快及安全可靠的性能。
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公开(公告)号：CN114792742B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210427840.0
申请日：2022-04-22
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0336 , G01J1/42
摘要： 本发明提供了一种基于改性SnTe薄膜的光电传感器及其制备方法，包括：将硅基底原料进行清洗，并去除硅基底原料表面氧化物，得到硅基底；在硅基底的周边上生长形成围设有窗口的绝缘层；在绝缘层围设的窗口处制备Si掺杂SnTe层；在硅基底背离绝缘层的硅基底第一端面处制备第一电极，并进行退火处理；在Si掺杂SnTe层上制备第二电极，获得基于改性SnTe薄膜的光电传感器。在无表面氧化物的硅基底上生长绝缘层，在绝缘层的窗口处生长制备Si掺杂SnTe层，不对硅基底进行蚀刻，不需要破坏硅基底表面的平整度，使Si掺杂SnTe层与基底的交界平整，降低传感器的暗电流密度。
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公开(公告)号：CN107437578A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610372861.1
申请日：2016-05-27
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明涉及锑化锌热电材料的电极材料及其制备工艺，其特征在于所述的电极材料是金属钴、金、白金、钯或其合金。在电极制备之前，对锑化锌薄膜表面进行粗糙化处理，促进欧姆接触形成。将电极置于锑化锌热电材料之后，对其进行热处理，进一步减小接触电阻率。低接触电阻率对锑化锌微型器件制备非常重要，是决定微型器件效率的关键因素之一。
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公开(公告)号：CN107385394A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710493812.8
申请日：2017-06-26
申请人： 深圳大学
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/35 , C23C28/04
摘要： 本发明公开ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用，包括Si衬底，及Si衬底上依次叠层的具有c轴择优取向的AlN薄膜和ZnO薄膜。本发明以传统半导体工艺兼容性好的单晶Si（100）作为衬底材料，采用反应磁控溅射法，首先利用Al靶材反应溅射在Si衬底上生长出AlN（110）薄膜，然后通过AlN薄膜（110）晶面与ZnO（110）薄膜晶面较低的晶格适配度，利用Zn靶材反应溅射在AlN（110）薄膜上成长出ZnO（110）薄膜，最终形成ZnO(110)/AlN(110)/Si多层结构薄膜。本发明制备方法设备简单，工艺简便，成本低廉，为Love-SAW传感器提供新型的压电薄膜材料。
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公开(公告)号：CN118465007A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410514928.5
申请日：2024-04-26
申请人： 深圳大学
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明公开一种湿度传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域，所述湿度传感器包括基底、位于所述基底表面上的电极以及位于所述电极上的湿敏材料层，所述湿敏材料层包括MXene、钠基蒙脱石纳米片以及氧化石墨烯。由于氧气分子会优先吸附到钠基蒙脱石纳米片上，而钠基蒙脱石纳米片上氧气分子的饱和吸附会进一步抑制氧气在MXene表面的吸附，即本发明利用钠基蒙脱石纳米片与MXene的氧气竞争机制，提升MXene的抗氧化性，使MXene在空气和高湿条件下具备优异的稳定性，进而提升湿度传感器的抗氧化性和稳定性，同时氧化石墨烯的加入能够提高所述湿度传感器的响应速度。
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公开(公告)号：CN112240903B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910653276.2
申请日：2019-07-19
申请人： 深圳大学
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/407
摘要： 本发明适用于氢气传感器技术领域，尤其涉及一种氢气传感器芯体及其制备方法。所述氢气传感器芯体，包括基底，还包括设置在所述基底上的介质层及设置在所述介质层上的氢气感应层，所述介质层为氮化镓薄膜或铝铟镓氮薄膜。本发明提供的氢气传感器芯体，为一种能够快速检测氢气浓度的场效应管型氢气传感器芯体。
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