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公开(公告)号:CN108767657B
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201810461625.6
申请日:2018-05-15
申请人: 深圳市光脉电子有限公司
摘要: 本发明提供了一种结合紫外光和红外光的激光器及其生产工艺,通过将红外光和紫外光一起应用于激光器中,可以满足激光器在多种领域内使用,紫外光具有生理作用,能杀菌、消毒、治疗皮肤病和软骨病等。紫外光中的粒子性较强,能使各种金属产生光电效应。红外光可以高温杀菌,同样具有治疗功能,将两者结合起来,可以广泛应用于军事、医学等多种特殊领域;同时,由于ALN薄膜板与ALN衬板都是ALN同一材料,适配性好,无缺陷,且由于共晶焊层AuSnALBSb,加之SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层内参杂有Se、Li、Zn、Si,BLiALGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层内参杂有Li、B,增加了SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层和BLiALGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层的厚度,大大提高了粒子被激发的几率,使紫外光与红外光效率都得到显著的提高。
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公开(公告)号:CN108767657A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810461625.6
申请日:2018-05-15
申请人: 深圳市光脉电子有限公司
摘要: 本发明提供了一种结合紫外光和红外光的新型激光器及其生产工艺,通过将红外光和紫外光一起应用于激光器中,可以满足激光器在多种领域内使用,紫外光具有生理作用,能杀菌、消毒、治疗皮肤病和软骨病等。紫外光中的粒子性较强,能使各种金属产生光电效应。红外光可以高温杀菌,同样具有治疗功能,将两者结合起来,可以广泛应用于军事、医学等多种特殊领域;同时,由于ALN薄膜板与ALN衬板都是ALN同一材料,适配性好,无缺陷,且由于共晶焊层AuSnAIBSb,加之SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层内参杂有Se、Li、Zn、Si,BLiAIGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层内参杂有Li、B,增加了SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层和BLiAIGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层的厚度,大大提高了粒子被激发的几率,使紫外光与红外光效率都得到显著的提高。
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