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公开(公告)号：CN108736317B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810461147.9
申请日：2018-05-15
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
摘要： 本发明通过设置BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层，并在内掺杂有硼，以及设置P﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层和P+GaAs帽层的厚度，好让电子和电洞有足够的空间，增强发光效率；通过采用钛涂覆的低成本硅衬片层,组成TiSi片，来生长长波段红光，不仅能让二极管变得易于扩展，还能结合钛金属层带来的诸多优势，包括更高的反射、更好的热耗散，还能使BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层仍能保持效率毫无衰减地作业；通过在BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层两侧各设置一层DBR，使N﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层和所述P﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层构成F‑P谐振腔，对BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层发出的光进行调制，使得更多的光能量达到能发射出来的发射角，因而提高了出光效率，发光效率可以达到单层DBR层的20倍；通过设置矩阵式的激光器器件，满足了高功率及超高功率应用的需求，最大功率可以达到500瓦。
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公开(公告)号：CN108767657A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810461625.6
申请日：2018-05-15
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种结合紫外光和红外光的新型激光器及其生产工艺，通过将红外光和紫外光一起应用于激光器中，可以满足激光器在多种领域内使用，紫外光具有生理作用，能杀菌、消毒、治疗皮肤病和软骨病等。紫外光中的粒子性较强，能使各种金属产生光电效应。红外光可以高温杀菌，同样具有治疗功能，将两者结合起来，可以广泛应用于军事、医学等多种特殊领域；同时，由于ALN薄膜板与ALN衬板都是ALN同一材料，适配性好，无缺陷，且由于共晶焊层AuSnAIBSb，加之SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层内参杂有Se、Li、Zn、Si，BLiAIGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层内参杂有Li、B，增加了SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层和BLiAIGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层的厚度，大大提高了粒子被激发的几率，使紫外光与红外光效率都得到显著的提高。
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公开(公告)号：CN108110608A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810115843.4
申请日：2018-02-06
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
摘要： 本发明提供一种可阵列式激光器，管芯，所述管芯分为正极和负极，管芯周围灌注有硅胶，管芯上部开设有出光窗口；框体，硅胶被框体包裹，出光窗口连通框体，框体与透镜一体成型，透镜位于所述管芯上方，所述透镜与所述管芯之间通过银胶固化连接，所述框体下表面的两侧分别设有不规则形状的侧边金属框，其中一所述侧边金属框底端为正极，另一所述侧边金属框底端为负极，所述管芯连接到激光器对外输出的侧边金属框的正极上，所述激光器对外输出的侧边金属框的负极连接有焊盘，所述管芯与所述焊盘通过金丝连接；绝缘层，所述绝缘层位于管芯和右侧所述侧边金属框之间，绝缘层用于分割两侧边金属框，使侧边金属框的正极和负极隔离。
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公开(公告)号：CN108766961B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810491790.6
申请日：2018-05-22
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
摘要： 一种立体光源结构，包括中心芯片、横向芯片以及纵向芯片，所述横向芯片与所述纵向芯片分别与所述中心芯片连接，所述横向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，所述纵向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片的横截面均为长方形，且下表面均设有外延结构；其中，所述中心芯片四周均分别设有P电极和N电极；所述横向芯片左侧面和有侧面均分别设有P电极和N电极；所述纵向芯片上侧面和下侧面均分别设有P电极和N电极。
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公开(公告)号：CN108963040A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810491807.8
申请日：2018-05-22
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/325
摘要： 一种高显色白光光源结构，从下到上依次包括：白光外延结构，白光外延结构从下到上依次层叠设置有钻石衬底、GaBi过渡层、N‑GaN接触层、In0.19Ga0.81N/GaN多量子阱发光层、P‑GaN接触层、N‑GaN级联层、N‑GaN接触层、In0.48Ga0.52N/GaN多量子阱发光层、P‑GaN接触层，N‑GaN接触层上方设有N电极层，以及P电极层。本发明摆脱了荧光粉的束缚，其显色性好、稳定性好、发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命，省去了封装部分工序，可以使白光的晶体生长，同时整个产业链的生产工艺简化，生产效率大大提高，工业化大量生产易于实现；采用自制胶水模压一次成型，使白光光源结构的内应力低，且翘曲变形也很小，提高了光效，优化了工艺，机械性能较稳定，产品可靠性高，大幅度降低成本。
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公开(公告)号：CN108766961A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810491790.6
申请日：2018-05-22
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
摘要： 一种新型立体光源结构，包括中心芯片、横向芯片以及纵向芯片，所述横向芯片与所述纵向芯片分别与所述中心芯片连接，所述横向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，所述纵向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片的横截面均为长方形，且下表面均设有外延结构；其中，所述中心芯片四周均分别设有P电极和N电极；所述横向芯片左侧面和有侧面均分别设有P电极和N电极；所述纵向芯片上侧面和下侧面均分别设有P电极和N电极。
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公开(公告)号：CN108281539A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810046804.3
申请日：2018-01-18
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： H01L33/641 , H01L2933/0075
摘要： 本发明提供了一种基于石墨烯材质的柔性LED发光结构，其包括铜带基底、设置于铜带基底一面的石墨烯膜和设置于铜带基底的另一面的电路层，电路层上贴合有多个LED光源，由于石墨烯膜优异的导热和热辐射性能，利于热量导，不用附加任何金属散热器，即可直接使用，同时该柔性LED发光结构整体轻薄且能实现一定程度的自由弯曲。这样，所有的热量直接通过LED光源本身热沉直接导热到设有石墨烯膜的铜基带上，并且铜带基底一面的石墨烯膜的石墨烯膜可以快速的将LED光源产生的热量散去，本发明的柔性LED发光结构，从而具有较好的散热效果。本发明还提供了一种基于石墨烯材质的柔性LED发光结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN108269902A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810039003.4
申请日：2018-01-16
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： 本发明提供一种LED封装结构，包括封装主体，封装主体包括：基板、基板上方设有可伐合金金属框，可伐合金金属框上设有导电层，导电层上设有固晶区域，固晶区域用于安装LED芯片；固晶区域上安装有玻璃衬底，玻璃衬底外围罩设有保护罩，保护罩外表面为凹凸结构；封装主体内还包括边缘滤器和漫射体，漫射体用于接收从边缘滤器反射的光。本发明通过以上封装结构可以使LED散热快、耐UV照射、耐高温、耐黄变，便于产业化；令光被激发的光线的路径一致，从各个角度看都无色差或色差很小；通过导电层可以用来反射LED芯片发射出的光线成为反射层；通过将保护罩采用凹凸结构，有效且简单的实现了LED封装体表面的粗化，从而提升了高效率LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN108110608B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201810115843.4
申请日：2018-02-06
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
IPC分类号： H01S5/02208 , H01S5/02253 , H01S5/042 , H01S5/42 , H01S5/024
摘要： 本发明提供一种可阵列式激光器，管芯，所述管芯分为正极和负极，管芯周围灌注有硅胶，管芯上部开设有出光窗口；框体，硅胶被框体包裹，出光窗口连通框体，框体与透镜一体成型，透镜位于所述管芯上方，所述透镜与所述管芯之间通过银胶固化连接，所述框体下表面的两侧分别设有不规则形状的侧边金属框，其中一所述侧边金属框底端为正极，另一所述侧边金属框底端为负极，所述管芯连接到激光器对外输出的侧边金属框的正极上，所述激光器对外输出的侧边金属框的负极连接有焊盘，所述管芯与所述焊盘通过金丝连接；绝缘层，所述绝缘层位于管芯和右侧所述侧边金属框之间，绝缘层用于分割两侧边金属框，使侧边金属框的正极和负极隔离。
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公开(公告)号：CN108767657B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810461625.6
申请日：2018-05-15
申请人： 深圳市光脉电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种结合紫外光和红外光的激光器及其生产工艺，通过将红外光和紫外光一起应用于激光器中，可以满足激光器在多种领域内使用，紫外光具有生理作用，能杀菌、消毒、治疗皮肤病和软骨病等。紫外光中的粒子性较强，能使各种金属产生光电效应。红外光可以高温杀菌，同样具有治疗功能，将两者结合起来，可以广泛应用于军事、医学等多种特殊领域；同时，由于ALN薄膜板与ALN衬板都是ALN同一材料，适配性好，无缺陷，且由于共晶焊层AuSnALBSb，加之SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层内参杂有Se、Li、Zn、Si，BLiALGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层内参杂有Li、B，增加了SeLiZnSiInGaN/GaN量子阱层和BLiALGaAs/BLiInGaAs‑QW有源层的厚度，大大提高了粒子被激发的几率，使紫外光与红外光效率都得到显著的提高。
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