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公开(公告)号：CN113571540B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110765070.6
申请日：2021-07-07
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种显示面板，通过设置LED芯片的P电极与N电极的高度差，与阵列基板的第一像素电极与第二像素电极的高度差相同，使得第一像素电极所受到P电极的力度，与第二像素电极所受到N电极的力度是相同的，从而有利于提高所述LED芯片和阵列基板的绑定良率。
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公开(公告)号：CN112420764B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011238092.9
申请日：2020-11-09
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本申请涉及一种显示驱动基板、显示驱动基板的制作方法以及显示面板；所述显示驱动基板包括N个驱动单元；各驱动单元包括开关TFT区、驱动TFT区、电容区以及LED键合区；开关TFT区内的数据金属层和源极金属层设置在玻璃基板上，并通过第一半导体层连接；驱动TFT区内的电压源金属层和第一避光层设置在玻璃基板上，并通过第二半导体层连接，第二栅极金属层的另一端延伸设置在第一半导体层上；电容区内的第二避光层、第三栅极绝缘层和第三栅极金属层依次层叠设置在玻璃基板上，形成电容；电源电极金属层用于键合Micro LED；简化了显示驱动基板的工艺流程，相对于传统结构可缩小像素内开孔的尺寸，减少了电容占比，有利于提高像素密度。
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公开(公告)号：CN113782493A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110973150.0
申请日：2021-08-24
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，以同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，从而在形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔时，只需要刻蚀第一绝缘层和钝化层。而第一绝缘层刻蚀难度较低，第二绝缘层刻蚀难度较大，因此，同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，可以降低形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔的蚀刻难度，进而降低采用同一道光罩工艺形成图案化的钝化层和图案化的像素电极层的制程难度。
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公开(公告)号：CN111026275B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911272488.2
申请日：2019-12-12
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路，该显示阵列包括基板，设于基板上的绝缘层，设于绝缘层上的钝化层，设于钝化层上的介电层，设于绝缘层内的感应型TFT器件，以及设于绝缘层内的驱动型TFT器件。其中，钝化层设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件；介电层设有第二电极件；感应型TFT器件的源极与第二电极件电性连接；驱动型TFT器件的源极与第一电极件电性连接，栅极与感应型TFT器件的源极电性连接。本申请能够通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
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公开(公告)号：CN111627961A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010423139.2
申请日：2020-05-19
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请提供一种显示面板及制备方法，所述显示面板包括：基板、设置于所述基板上的多个显示元件，且相邻所述显示元件之间的区域形成有振动开口；位于所述基板与所述振动开口之间的底部电极；位于所述振动开口上方的顶部电极，其中，在所述底部电极与所述顶部电极的共同作用下，所述振动开口中的空气发生振动以进行发声。有益效果：本申请通过在显示元件之间的区域设置顶部电极、底部电极以及振动开口，从而无需对显示面板额外添加扬声器即可使其具备发声功能，不仅使得显示面板轻薄，且由于其发声部位在相邻显示元件之间，故达到了声音与显示画面完全匹配的效果。
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公开(公告)号：CN110211546A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910460534.5
申请日：2019-05-30
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本揭示提供一种薄膜晶体管电路及显示装置，薄膜晶体管电路包括多个薄膜晶体管、输入端和输出端，其中，第一个薄膜晶体管的栅极与输入端相连接，第i个薄膜晶体管的栅极与第i-1个薄膜晶体管的漏极连接，第i个薄膜晶体管的漏极与第i+1个薄膜晶体管的栅极连接，多个薄膜晶体管的源极连接与一处并同输出端连接，构成了一个栅极自对准结构的薄膜晶体管电路，所述电路在正、负偏压下均可正常工作。
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公开(公告)号：CN110112154A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910307679.1
申请日：2019-04-17
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本揭示提供了半导体基板结构及其制作方法。所述半导体基板结构包括基板、金属氧化物薄膜晶体管以及遂穿二极管。所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上。所述遂穿二极管设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。本揭示的半导体基板结构具有光学侦测性能。
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公开(公告)号：CN118380440A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410418075.5
申请日：2024-04-08
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
发明人： 刘念
摘要： 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，涉及显示技术领域，其目的是解决相关技术中半导体器件的半导体层位置电容较大的问题。该半导体器件包括：衬底、源极、漏极、半导体层以及位于所述半导体层上且依次层叠的栅绝缘层和栅极。所述衬底包括位于同侧的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有形成段差的过渡面；所述源极和所述漏极分别位于所述第一表面和所述第二表面且在所述过渡面断开设置；所述半导体层连续覆盖所述源极和所述漏极。
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公开(公告)号：CN117995909B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410405595.2
申请日：2024-04-07
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
发明人： 刘念
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/43 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L21/44 , G09F9/30
摘要： 本申请实施例公开了一种薄膜晶体管器件及其制备方法、显示面板，在薄膜晶体管器件中，无机绝缘层覆盖过孔的孔壁；有源层设置在第一电极、无机绝缘层和第二电极上；栅极绝缘层覆盖有源层；栅极设置在栅极绝缘层远离过孔的孔壁的一侧；其中，第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素。本申请实施例采用无机绝缘层覆盖过孔的孔壁，以弥补过孔孔壁因刻蚀造成的损伤，为有源层的形成提高良好背沟道膜面，从而提高薄膜晶体管器件的性能；第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素，可使得无机绝缘层、第一电极的至少部分、第二电极的至少部分采用同种材料经过高温氧化或氮化一次形成，节省光罩制程。
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公开(公告)号：CN113745262B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110948042.8
申请日：2021-08-18
申请人： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括相对设置的阵列基板和对置基板，以及安装于所述阵列基板上的发光器件。其中，所述阵列基板的表面图案化形成有第一VDD走线和第一VSS走线，所述对置基板的表面图案化形成有第二VDD走线和第二VSS走线。所述第一VDD走线通过第一导电层连接至所述第二VDD走线，所述第一VSS走线通过第二导电层连接至所述第二VSS走线，有利于大大降低显示面板的面内走线的电阻，从而使得显示面板各个位置的亮度均匀。
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