公开(公告)号：CN113725155A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111044072.2

申请日：2021-09-07

Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 杨夕岚

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/12

Abstract: 本申请公开了一种缺陷点的修补方法、阵列基板和显示面板，缺陷点的修补方法包括：提供一待修补结构，待修补结构包括依次层叠设置的导电层和绝缘层，导电层具有一表面，表面位于导电层靠近绝缘层的一侧，对绝缘层进行处理形成通孔，通孔贯穿绝缘层以暴露表面，在绝缘层以及导电层上形成修复层，修复层与表面连接。通过去除导电层上的绝缘层，使得绝缘层具有通孔，从而使得修复层可以通过通孔与表面连接，从而改善了修复层与导电层的接触效果，从而提高器件的性能。

公开(公告)号：CN113725155B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202111044072.2

申请日：2021-09-07

Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 杨夕岚

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/12

Abstract: 本申请公开了一种缺陷点的修补方法、阵列基板和显示面板，缺陷点的修补方法包括：提供一待修补结构，待修补结构包括依次层叠设置的导电层和绝缘层，导电层具有一表面，表面位于导电层靠近绝缘层的一侧，对绝缘层进行处理形成通孔，通孔贯穿绝缘层以暴露表面，在绝缘层以及导电层上形成修复层，修复层与表面连接。通过去除导电层上的绝缘层，使得绝缘层具有通孔，从而使得修复层可以通过通孔与表面连接，从而改善了修复层与导电层的接触效果，从而提高器件的性能。

公开(公告)号：CN111983859A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010788965.7

申请日：2020-08-07

Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 杨夕岚

IPC: G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括基板以及若干功能层，所述功能层中具有至少两层导电走线，至少两层导电走线具有断线区和位于所述断线区两侧的走线区；至少一桥接线，桥接在每一断线区两侧的走线区上。本发明的技术效果在于，大大提高了导电走线的修补成功率。