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公开(公告)号：CN109273526A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811242989.1
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/373 , H01L21/335
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN109244131A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811243002.8
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管及其制造方法，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1-x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN209266411U
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201821731887.1
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/373 , H01L21/335
摘要： 本实用新型属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208819889U
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201821733956.2
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本实用新型属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1-x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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