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公开(公告)号：CN105718640B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610029654.6
申请日：2016-01-15
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种检测T组件热性能的方法及装置，所述方法包括如下步骤：步骤101，确定T组件壳体的表面传热系数；步骤102，在ANSYS软件中模拟所述T组件在工作中的温度分布情况。本发明利用逼近的方法确定合理的T组件壳体的表面传热系数，然后在ANSYS软件中模拟所述T组件在工作中的温度分布情况，该方法能够有效且简便地分析不同散热方式下T组件的温度分布，进而采用合理的方式提高T组件的热性能。
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公开(公告)号：CN110113007A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910470261.2
申请日：2019-05-31
申请人： 华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
摘要： 本申请实施例属于射频技术领域，提供了一种注入锁定振荡电路、振荡电路的频率调节方法及注入锁定振荡器中，通过信号注入模块将参考频率信号注入至所述缓冲模块，以使所述缓冲模块输出对应的振荡反馈信号，该振荡反馈信号用于将谐振回路模块生成初始振荡信号的频率锁定为所述参考频率信号源设定的频率范围，然后利用输出匹配模块接收缓冲模块输出的缓冲隔离振荡信号，并对所述缓冲隔离振荡信号的二次谐波输出进行能量增强处理，以输出对应的振荡输出信号，从而解决了振荡电路的输出频率仅取决于谐振回路和各个节点的寄生电容，输出的频率不能有效改变，只能通过改变振荡电路的电源电压对振荡器芯片的输出频率进行调节的问题。
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公开(公告)号：CN110098800A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910469412.2
申请日：2019-05-31
申请人： 华讯方舟科技有限公司 , 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
摘要： 一种压控振荡电路，通过外接控制信号源和控制电压来调节振荡模块从而生成目标振荡信号，并通过加入负阻模块为电路提供负阻来补偿谐振模块中的能量损耗，且通过加入电容分压反馈模块和补偿模块来改善目标振荡信号的相位噪声，其中，负阻模块由于尺寸不平衡会导致的输出到振荡模块的负阻信号的严重非对称从而增大目标振荡信号的相位噪声，而补偿模块能使所述负阻模块提供对称性的输出信号进而改善目标振荡信号的相位噪声，本压控振荡电路解决了传统的技术方案中存在的相位噪声大和功耗高的问题。
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公开(公告)号：CN109273526A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811242989.1
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/373 , H01L21/335
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN109244131A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811243002.8
申请日：2018-10-24
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管及其制造方法，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1-x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN108375757A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810102335.2
申请日：2018-02-01
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于相控阵发射系统的发射组件，包括盒体、多个芯片、上盖板、下盖板及吸波件。盒体包括多个容置腔及与所述多个容置腔连通的顶部开口和底部开口。多个芯片设置于所述容置腔中。上盖板固定连接于所述顶部开口处。下盖板固定连接于所述底部开口处。吸波件设于所述上盖板的朝向所述容置腔的一侧，且所述吸波件朝向所述下盖板的正投影覆盖所述容置腔朝向所述下盖板的正投影。通过设置上述的用于相控阵发射系统的发射组件，在上盖板处设置吸波件，能够吸收影响容置腔内的芯片作用的电磁能量，降低外界环境对发射组件的影响，提高发射组件的抗干扰能力。本发明还提供一种用于相控阵发射系统的发射组件的安装结构。
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公开(公告)号：CN108662228B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810353713.4
申请日：2018-04-19
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
摘要： 本发明属于阀门装置技术领域，尤其涉及一种半潜式防水透气阀，包括阀帽和阀体机构，阀体机构包括装配柱体和连接柱体，阀帽旋盖罩设于装配柱体，装配柱体的第一端固定安装于连接柱体上，装配柱体和连接柱体的连接处朝向其周侧凸起延伸形成有法兰环，装配柱体的第二端形成有斜切平面，斜切面开设有贯通于装配柱体和连接柱体的沉头通气孔，斜切平面上覆设有呈平板状的防水透气膜。覆设于斜切平面上的防水透气膜上的水珠便能够随时自防水透气膜上滑落，不会在其上聚集。防水透气膜的形状可被制成简单的平板状，无需通过热压成型为中间凸起的形状，这样便显著简化了其制造工艺，降低了其制造难度和制造成本。
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公开(公告)号：CN108376669B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810230763.3
申请日：2018-03-20
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/60 , B23K1/008
摘要： 本发明涉及一种共晶焊接组件，该组件包括底座和盖板。盖板盖压于底座上，底座与盖板相对的一面设为上表面，上表面设有第一凹槽，第一凹槽用于收容载体、合金焊料及芯片。第一凹槽的底部设有通孔。底座还包括用于支撑底座的支撑部，支撑部设于与上表面相对的下表面上。盖板包括凸起，凸起所在盖板的一面正对第一凹槽，且凸起沿盖板厚度方向的投影落入第一凹槽内。支撑部和通孔的设置使得底座与水平面相距一定的距离，确保底座有足够的空间进行气体交换，从而在共晶焊接时改善产品空洞率较高的问题，也可提高热能的利用效率，使得共晶焊接组件里面的温度与焊接炉的室内温度的温差更小。
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公开(公告)号：CN108662228A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810353713.4
申请日：2018-04-19
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
摘要： 本发明属于阀门装置技术领域，尤其涉及一种半潜式防水透气阀，包括阀帽和阀体机构，阀体机构包括装配柱体和连接柱体，阀帽旋盖罩设于装配柱体，装配柱体的第一端固定安装于连接柱体上，装配柱体和连接柱体的连接处朝向其周侧凸起延伸形成有法兰环，装配柱体的第二端形成有斜切平面，斜切面开设有贯通于装配柱体和连接柱体的沉头通气孔，斜切平面上覆设有呈平板状的防水透气膜。覆设于斜切平面上的防水透气膜上的水珠便能够随时自防水透气膜上滑落，不会在其上聚集。防水透气膜的形状可被制成简单的平板状，无需通过热压成型为中间凸起的形状，这样便显著简化了其制造工艺，降低了其制造难度和制造成本。
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公开(公告)号：CN108527195A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810265274.1
申请日：2018-03-28
申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本发明涉及工装夹具领域，提供一种吸波材料的贴合装置，包括：底座；上滑块，包括限位凹模，所述限位凹模的凹槽的形状和尺寸与所述吸波材料相配合，用于对置于所述凹槽内的所述吸波材料进行限位和导向，所述上滑块在所述限位凹模的上表面四周还开设有大小和形状与所述待贴合构件相匹配的限位槽，以对所述待贴合构件进行限位；底座凸模，设于所述底座上，所述底座凸模与所述限位凹模的形状互补，所述底座凸模用于承载所述吸波材料；连接件，所述连接件用于连接所述底座和所述上滑块。还提供一种吸波材料的贴合方法。利用此装置可以实现快速对位，准确贴合，稳定生产，同时还可避免手工贴合时顾此失彼而出现部分区域偏位严重，甚至出现褶皱现象。
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