公开(公告)号：CN117524880B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311535788.1

申请日：2023-11-16

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 李志勇 ,  余阳城 ,  孙科

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/66

摘要： 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件，包括：制作第一晶圆，第一晶圆包括基础层和目标结构层，基础层的第一侧设有容置槽，目标结构层部分或全部位于容置槽内；根据目标结构层的上表面相对于第一侧的高度，将目标结构层分为正常区和偏离区；根据第一晶圆上偏离区的高度相对于正常区的高度的偏差，对应设计第二晶圆上对应偏离区的容置槽的容积；制作第二晶圆，至少第二晶圆的目标结构层的部分和第一晶圆的目标结构层的部分采用相同的工艺条件制作而成。通过增大或减小第二晶圆上容置槽的容积，可控制目标结构层的上表面高度，提高了目标结构层的膜层厚度一致性，提高了半导体器件的良率。

公开(公告)号：CN117524880A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311535788.1

申请日：2023-11-16

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 李志勇 ,  余阳城 ,  孙科

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/66

摘要： 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件，包括：制作第一晶圆，第一晶圆包括基础层和目标结构层，基础层的第一侧设有容置槽，目标结构层部分或全部位于容置槽内；根据目标结构层的上表面相对于第一侧的高度，将目标结构层分为正常区和偏离区；根据第一晶圆上偏离区的高度相对于正常区的高度的偏差，对应设计第二晶圆上对应偏离区的容置槽的容积；制作第二晶圆，至少第二晶圆的目标结构层的部分和第一晶圆的目标结构层的部分采用相同的工艺条件制作而成。通过增大或减小第二晶圆上容置槽的容积，可控制目标结构层的上表面高度，提高了目标结构层的膜层厚度一致性，提高了半导体器件的良率。