公开(公告)号：CN118919442A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410995987.9

申请日：2024-07-23

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 郭帅

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/26

摘要： 本公开涉及一种半导体测试结构及其制作方法、半导体参数测试方法，测试结构包括第一测试结构及第二测试结构，第一测试结构包括第一导电部、第一接触层、第二接触层、第一连接线、第二连接线，第一接触层和第二接触层间隔分布于第一导电部上，第一连接线与第一接触层连接，第二连接线与第二接触层连接；第二测试结构包括第二导电部、第三接触层、第三连接线、第四连接线，第三接触层覆盖第二导电部；第三连接线与第三接触层的第一端部连接，第四连接线与第三接触层的第二端部连接；第一连接线与第三连接线电阻相等，第二连接线与第四连接线电阻相等；第一接触层的电阻与第二接触层的电阻之和等于第三接触层的电阻。

公开(公告)号：CN117437193B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311390935.0

申请日：2023-10-24

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 赵雄

IPC分类号： G06T7/00 ,  G01N23/2251 ,  G06T7/60 ,  G06T7/90

摘要： 本申请属于半导体技术领域，揭示一种晶圆缺陷检测方法、装置、电子束扫描设备及存储介质，该方案在启动对待检晶圆的目标缺陷检测区域进行电子束扫描以后，获取待检晶圆的晶圆图像，并计算晶圆图像的图像锐度，基于晶圆图像的图像锐度，获得晶圆图像的锐度评估值，当锐度评估值不符合预设条件，说明获取到的晶圆图像质量不良，标记待检晶圆的缺陷检测结果为不可靠检测结果，区分于晶圆图像质量良好的待检晶圆的缺陷检测结果，提高各待检晶圆的缺陷检测结果可靠性，避免后续工序使用错误的缺陷检测结果。并且，还通过中止待检晶圆的缺陷检测，及时停止该晶圆图像质量不良的待检晶圆的缺陷检测程序，避免无意义的执行步骤，提高EBI的有效利用率。

公开(公告)号：CN118645475A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202411127334.5

申请日：2024-08-16

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 郭帅

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

摘要： 本公开提供了一种半导体器件的形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供包括衬底的初始半导体结构，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域形成有P型晶体管，第二区域形成有N型晶体管，P型晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，N型晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；在第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极、第二漏极的顶部分别形成第一金属硅化物层；形成随形覆盖于具有第一金属硅化物层的初始半导体结构的表面的应力层，应力层包括硅元素和氮元素，且硅元素和氮元素之间的比例大于3:4。通过在器件内形成硅含量较高的应力层，可以平衡P型晶体管和N型晶体管内的应力，降低器件内金属硅化物层的阻值。

公开(公告)号：CN117524880B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311535788.1

申请日：2023-11-16

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 李志勇 ,  余阳城 ,  孙科

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/66

摘要： 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件，包括：制作第一晶圆，第一晶圆包括基础层和目标结构层，基础层的第一侧设有容置槽，目标结构层部分或全部位于容置槽内；根据目标结构层的上表面相对于第一侧的高度，将目标结构层分为正常区和偏离区；根据第一晶圆上偏离区的高度相对于正常区的高度的偏差，对应设计第二晶圆上对应偏离区的容置槽的容积；制作第二晶圆，至少第二晶圆的目标结构层的部分和第一晶圆的目标结构层的部分采用相同的工艺条件制作而成。通过增大或减小第二晶圆上容置槽的容积，可控制目标结构层的上表面高度，提高了目标结构层的膜层厚度一致性，提高了半导体器件的良率。

公开(公告)号：CN117917652B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410317611.2

申请日：2024-03-20

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 王景皓 ,  焦劼 ,  谢明宏

IPC分类号： G06F16/25 ,  G06F16/28 ,  G06F16/2455 ,  H01L21/67

摘要： 本申请属于半导体技术领域，揭示一种晶圆跨厂流片方法及装置，该方案对获取到的第一晶圆盒内的晶圆批次的晶圆批次ID创建虚拟晶圆盒ID，并自动将晶圆批次ID对应的账料数据转换成可读账料数据，由于虚拟晶圆盒ID与晶圆批次ID具有映射关系，故可以确定下线晶圆批次ID对应的虚拟晶圆盒ID，并将虚拟晶圆盒ID对应的全部晶圆批次ID作为目标下线晶圆批次ID，并进一步构建目标下线晶圆批次ID与第二晶圆盒之间的映射关系并输出至制造执行系统，制造执行系统便能够自动控制执行设备将目标下线晶圆批次ID对应的晶圆批次传送至对应的第二晶圆盒并执行加工工序。本申请实现自动将同一第一晶圆盒内的全部晶圆批次下线，减少了人工的参与，可以提高整体流片效率。

公开(公告)号：CN118824913A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410797863.X

申请日：2024-06-19

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 王鑫国 ,  吴一帆

IPC分类号： H01L21/677

摘要： 本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种晶圆传送方法和晶圆传送系统。本申请中的晶圆传送方法包括：获取晶圆在直线传送过程中经过预设校准点的行程长度，所述预设校准点位于所述晶圆的传送路径上且偏离所述传送路径的中心线；以所述行程长度作为所述晶圆的弦长，根据所述晶圆的弦长和所述晶圆的半径确定所述晶圆的圆心位置；获取所述圆心位置相对于预设标准位置的偏移量，并根据所述偏移量调整所述晶圆的位置，所述预设标准位置位于所述传送路径的中心线上的。本申请可以提高晶圆在加工过程中的传送转移精度。

公开(公告)号：CN118398522A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410431795.5

申请日：2024-04-08

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 周洋

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66

摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及制程路径管控分析方法、系统、设备、存储介质及程序，所述方法包括：获取一段时间内过站的每片晶圆的良率信息和制程信息；根据每个所述失效类型的测试机制，得到每个所述失效类型下的所有影响制程工艺，形成每个所述失效类型下的影响制程路径集合；计算所述影响制程路径集合中每条影响制程路径的路径分数；比较每条所述影响制程路径的所述路径分数与第一预设值，判定是否对所述影响制程路径进行管控；本申请可以快速、可靠地判定出可能会导致晶圆失效的制程路径，根据分析出的管控制程路径对线上的晶圆进行路径管控并进行判定结果的实际验证，在提高晶圆的生产良率的同时对晶圆的生产效率影响较小。

公开(公告)号：CN117995772B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410397559.6

申请日：2024-04-03

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 李军辉 ,  杨乾

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30

摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底、堆叠结构、覆盖层、金属硅化物层和阶梯连接结构，堆叠结构形成在衬底一侧，堆叠结构包括多个交替堆叠的多晶硅层和隔离层，堆叠结构至少一侧形成阶梯面；覆盖层形成在堆叠结构上并覆盖阶梯面，多个接触孔穿过覆盖层以分别连通多个多晶硅层；金属硅化物层形成在接触孔内且至少位于接触孔的底面；阶梯连接结构填充在接触孔内，阶梯连接结构包括导电层，导电层通过金属硅化物层与多晶硅层连接。至少形成在接触孔底面的金属硅化物层，增大了金属硅化物层和多晶硅层的接触面积，降低了阶梯连接结构和多晶硅层之间的接触阻抗。

公开(公告)号：CN118201357A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410339162.1

申请日：2024-03-21

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 王景皓

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种存储单元、存储器及其制作方法，存储单元设置在衬底一侧的隔离层中，隔离层包括容置孔，存储单元包括沟道层、绝缘介质层、栅电极层和栅介质层，沟道层包括堆叠设置且形成间隔的第一沟道和第二沟道，第一沟道位于容置孔中，第二沟道至少部分位于容置孔中；绝缘介质层至少形成在第一沟道和第二沟道之间；栅电极层包括第一栅极和第二栅极，第一栅极形成在第一沟道的内孔内且与第二沟道直接或间接连接，第二栅极至少部分形成在第二沟道的内孔内；栅介质层形成在栅电极层和沟道层之间。沟道层、栅介质层和栅电极层形成堆叠设置的垂直沟道的读取管和写入管，减小了存储单元占用面积，提高了晶体管的集成密度。

公开(公告)号：CN118189036A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410264472.1

申请日：2024-03-05

申请人： 深圳市昇维旭技术有限公司

发明人： 张彭

IPC分类号： F17C9/02 ,  F17C13/00 ,  F17C13/02 ,  F17C13/04 ,  H01L21/67

摘要： 本公开提供一种供气装置及半导体处理设备，包括：容纳非气态原料的原料容器、设于原料容器的转化器、与原料容器相连的缓存容器、压力计、主控器、进气阀门和输送阀门，转化器用于使非气态原料物理变化成气态原料；缓存容器用于暂存从原料容器输送的气态原料，进气阀门用于控制原料容器向缓存容器输送气态原料，输送阀门用于控制缓存容器向半导体反应腔室输送气态原料，主控器与压力计和进气阀门通信连接，用于在压力计检测到缓存容器内的气压低于第一目标值时控制进气阀门处于打开状态或调大进气阀门的开度，在压力计检测的气压达到第二目标值时控制进气阀门处于关闭状态。本方案可保证供气装置输出气流的稳定性，以提高多批次产品生产良率。