公开(公告)号：CN117238805A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311216451.4

申请日：2023-09-20

申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司 ,  北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 周凡 ,  郑潮 ,  曾承 ,  王振威 ,  刘勇刚 ,  朱超杰 ,  赵宁 ,  王波 ,  彭同华 ,  杨建 ,  曾江

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法，所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面，在形成待辨别导电型碳化硅晶片后，每个晶片都具有定位边和微观单元，所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构；本发明相比于现有技术，仅通过所述主定位边的朝向，以及所述主定位边与所述微观单元的相对位置关系即可辨别所述导电型碳化硅晶片的硅面和碳面，无需再加工出另一个参考面，缩短了生产周期；并且只加工出主定位面，相比于加工出主参考面和副参考面两个参考面，能够增加衬底的可用面积，降低了生产成本，另外所述辨别方法的工艺流程简单，还能在一定程度上提高生产效率。