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公开(公告)号：CN117238805A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311216451.4
申请日：2023-09-20
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法，所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面，在形成待辨别导电型碳化硅晶片后，每个晶片都具有定位边和微观单元，所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构；本发明相比于现有技术，仅通过所述主定位边的朝向，以及所述主定位边与所述微观单元的相对位置关系即可辨别所述导电型碳化硅晶片的硅面和碳面，无需再加工出另一个参考面，缩短了生产周期；并且只加工出主定位面，相比于加工出主参考面和副参考面两个参考面，能够增加衬底的可用面积，降低了生产成本，另外所述辨别方法的工艺流程简单，还能在一定程度上提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116516471A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554381.7
申请日：2023-05-16
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的外延反应器包括石墨腔室和反应腔室，石墨腔室包括上半月和下半月，上半月和下半月均设置于反应腔室内，且上半月和下半月之间形成供工艺气流通过的气流通道，该外延反应器还包括测距装置，测距装置可测定上半月和下半月在反应腔室内部的位置，以实现对石墨腔室相对反应腔室位置的精确定位。在每次拆除石墨腔室之前，通过测距装置可以精确得到石墨腔室在反应腔室中的安装位置，以此为位置基准，在重新安装石墨腔室时，再次通过测距装置进行测距，根据前后数据的对比即可以清晰的判断出石墨腔室在反应腔室中的位置有无偏移，以实现石墨腔室相对于反应腔室的精准定位，从而保证了石墨腔室在重新安装后，反应腔的温场不会发生改变。
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公开(公告)号：CN117758357A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311788322.2
申请日：2023-12-22
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体晶棒的生长系统及生长半导体晶棒的方法，该生长系统包括：具有生长腔室的加热体，生长腔室包括：第一区域，第一区域用于放置原料；第二区域，第二区域位于第一区域的上方；第二区域的顶部内侧具有籽晶固定区域；设置在生长腔室外侧的线圈组件，线圈组件包括：第一线圈，第一线圈围绕在第一区域的侧壁外侧；第二线圈，第二线圈围绕在第二区域的侧壁外侧；其中，在第一工作阶段，第一线圈与第二线圈处于第一功率，以对生长腔室内的原料进行加热；在第二工作阶段，第二线圈维持处于第一功率，第一线圈从第一功率开始逐渐增大，以增大第一区域内原料的升华速率，从而有效的提高原料的利用率，同时增大生长的晶棒的厚度。
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公开(公告)号：CN117506708A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311780132.6
申请日：2023-12-21
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种SiC晶片的抛光方法，该抛光方法包括：利用磨轮分别对待加工SiC晶片的Si面和C面进行磨削处理，当待加工SiC晶片的温度大于85℃时，加入研磨液对待加工SiC晶片的Si面和C面进行抛光处理；由于采用磨轮进行磨削处理时会因为摩擦产生热量使得待加工SiC晶片的两个表面形成氧化层，影响抛光效果，因此加入研磨液不仅可以控制待加工SiC晶片的温度，避免形成氧化层的厚度增大，并且氧化层和研磨液中的磨粒也会参与到抛光处理的过程，以降低两个表面的粗糙度；并且由于这种抛光方法可以对待加工SiC晶片一边减薄一边抛光，加工完成后无需双面抛光工序，直接送至单抛工序，降低了加工成本，提高了加工效率。
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公开(公告)号：CN116539397A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310686406.9
申请日：2023-06-09
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种碳化硅腐蚀装置，包括加热桶，支架和观测装置；加热桶用于盛装碱性腐蚀原料，上端开口；待观测晶片位于加热桶的开口上方处受碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀；支架用于放置待观测晶片，并能使待观测晶片在水平方向上移动以便选择观测区域对准观测装置；观测装置用于观察晶片的腐蚀过程。该装置利用加热桶盛装碱性腐蚀原料，利用支架放置待观测晶片，通过碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀待观测晶片，并在腐蚀过程中利用观测装置观察晶片表面的腐蚀过程，无需对待观测晶片进行研磨，防止晶片腐蚀过程中的重要信息因研磨过度而丢失，利于更好地研究晶片表面缺陷的演化和移动情况。本发明还提供一种用于上述碳化硅腐蚀装置的碳化硅缺陷观测方法。
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公开(公告)号：CN115961346A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211704156.9
申请日：2022-12-29
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/36 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种大尺寸碳化硅外延气体供应装置，包括内部具有通气腔的壳体，所述通气腔的中部通过主隔板围合而成有主通路，所述主通路的延伸方向与所述通气腔的延伸方向一致，所述主隔板的外壁与所述通气腔的内壁之间形成供氢气流通的外围旁路；所述主通路内平行设置有两个内横隔板，两所述内横隔板之间、所述主隔板的内壁与任一所述内横隔板的侧壁之间分别形成供前驱气体和掺杂气体流通的主气道。该大尺寸碳化硅外延气体供应装置能够优化大尺寸碳化硅外延片的浓度均匀性调整效果，并使得大尺寸碳化硅外延片的厚度均匀性得以相应优化。本发明还公开了一种应用了该大尺寸碳化硅外延气体供应装置的大尺寸碳化硅外延气体供应方法。
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公开(公告)号：CN115712000A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211460102.2
申请日：2022-11-16
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的托盘基座测速设备，包括外延反应腔室、托盘基座和测速装置。外延反应腔室的两端分别设置有进气端口和出气端口以及连通进气端口和出气端口，用于供反应气流动的气流通道；托盘基座转动设置于外延反应腔室内，气流通道流经托盘基座，托盘基座的下方设置有随托盘基座同步转动的测速叶轮，且测速叶轮位于气流通道的外部；测速装置包括信号发射器和信号接收器，信号发射器和信号接收器分别设置于外延反应腔室的两端。本发明提供的托盘基座测速设备的测速叶轮设置于托盘基座的下方且位于气流通道的外部，避免了测速叶轮对反应气气流的影响，同时实现了对托盘基座转速的测量，提高了外延生长晶体的质量。
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公开(公告)号：CN118712047A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411070738.5
申请日：2024-08-06
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片制作方法及晶片，涉及半导体制备工艺技术领域。通过在晶锭上进行简单的主参考面和副参考面的制作，在对晶锭切割后即可使得晶片上具有主定位面和副定位面，由此根据副定位面相对主定位面的方位，达到区分晶片的第一表面和第二表面的目的。本发明提供的晶片制作方法简单，并且保证了晶片具有较大的可用面积。
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公开(公告)号：CN117802572A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311868680.4
申请日：2023-12-29
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体晶体的生长方法，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表面，进行半导体晶体的生长，从而能够避免缺陷密集区域中缺陷对所制备半导体晶体质量的影响。
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公开(公告)号：CN116497341A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310540606.3
申请日：2023-05-12
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的预热装置用于安装晶圆并对工艺气流进行预热，该预热装置包括多个预热部，任意相邻两个预热部连接，以形成用于安装晶圆的环形预热安装台阶，且晶圆的一端与预热安装台阶的台阶面贴合。本发明提供的预热装置为分体式结构，避免了卡片现象的发生，同时方便了定时对预热装置表面杂质层的去除，解决了现有技术中预热装置随工艺次数的增加难以控制热场均匀性和工艺气流稳定性的问题，可以有效改善外延片的厚度均匀性和浓度均匀性，且具有结构简单、方便耐用、易清理打磨、节约成本等优点，增加了工艺稳定性。本发明还公开了一种外延生长设备和一种外延方法。
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