-
公开(公告)号：CN108638616B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810440998.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明涉及一种层状介电材料及其制备方法，包括层叠设置的第一纤维无纺布层和第二纤维无纺布层，第一纤维无纺布层为偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物层，第二纤维无纺布层为偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氯氟乙烯共聚物层，第一纤维无纺布层及第二纤维无纺布层的总层数为2～30层。上述层状介电材料及其制备方法，偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物层具有高击穿性能，而偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氯氟乙烯共聚物岑具有高极化性能和高储能效率，并且通过将偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物层和偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氯氟乙烯共聚物层相互层叠以控制层状介电材料的内部介观结构，有利于抑制层状介电材料内部的电导损耗和铁电损耗，从而使得层状介电材料同时兼具高储能密度和储能效率。
-
公开(公告)号：CN108570201A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810441260.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明涉及一种介电复合材料及其制备方法。上述介电复合材料的制备方法及介电复合材料，对钛酸钡颗粒表面进行羟基化处理，再加入含氟单体引发聚合得到具有核壳结构的改性钛酸钡，再将改性钛酸钡与偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物配制得到静电纺丝溶剂，再利用静电纺丝的工艺得到介电复合材料。钛酸钡颗粒具有着很高的介电常数而偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物有着良好的击穿性能，引入了含氟单体，这类单体分子链上均带有一定数量的氟原子与基体聚合物PVDF-HFP类似，将这一类单体包覆在颗粒表面，起到了温和过渡的效果，可以增加颗粒与基体间的相容性，进而使得颗粒有着好的分散性，从而使得介电复合材料兼具有高介电常数、高击穿场强和低介电损耗。
-
公开(公告)号：CN112538613B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201910900627.5
申请日：2019-09-23
Applicant: 深圳清华大学研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及光学薄膜沉积领域，公开了一种光学薄膜沉积设备及方法。光学薄膜沉积设备包括离子源、基片夹具、夹具底座、底座固件、真空室、均匀性修正挡板、气路系统、宽光谱膜厚监控系统；离子源位于真空室的顶部，基片夹具置于离子源下方，基片夹具放置于夹具底座上部，夹具底座置于底座固件内部，底座固件位于真空室底部，均匀性修正挡板设置于离子源与基片夹具之间；气路系统与真空室相连通，气路系统向真空室内运输气体进行薄膜沉积并维持真空室内压强稳定；宽光谱膜厚监控系统与真空室连接，实时监控薄膜沉积的厚度。本发明利用离子束辅助原子层沉积技术，从而对原子层沉积薄膜的应力实现控制，降低薄膜沉积的应力。
-
公开(公告)号：CN108623955B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810465742.X
申请日：2018-05-16
Applicant: 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明涉及一种柔性复合薄膜及其制备方法。一种柔性复合薄膜的制备方法，将无机纳米颗粒、金属有机化合物和聚乙烯吡咯烷酮混合得到溶胶，通过静电纺丝的方式成型得到复合纤维丝，再煅烧得到复合纳米纤维，将复合纳米纤维与偏二氟乙烯‑三氟乙烯‑氯氟乙烯共聚物进行复合以得到柔性复合薄膜，保证了复合纳米纤维的均匀分散，避免了使用无机纳米颗粒造成复合材料内部电场分布不均、电场聚集而造成击穿的情况；且有利于提高柔性复合薄膜的介电常数和极化性能；能够在保证较大的介电常数和极化性能的前提下，减少复合纳米纤维的用量，避免了复合纳米纤维的加入导致机械性能恶化而导致击穿强度降低和储能密度降低的问题。
-
公开(公告)号：CN108559114A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810451414.4
申请日：2018-05-11
Applicant: 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明涉及一种复合电介质薄膜及其制备方法。上述复合电介质薄膜及其制备方法，将纳米纤维应用于复合电介质薄膜的制备，且先通过二胺单体和二酐单体反应，有利于得到具有高分子量的聚酰亚胺酸溶液，再与纳米纤维分散液进行混合，有利于纳米纤维在聚酰亚胺酸溶液中的分散，从而使得纳米纤维能够均匀的分散进聚酰亚胺基材，使得复合电介质薄膜具有较好的机械性能；另外，陶瓷填料以纳米纤维的形式加入能够有效提高聚酰亚胺的介电性能，尤其是纳米纤维仅需较小的添加量即可使得复合电介质薄膜表现出较好的介电性能；同时，采用聚酰亚胺和纳米纤维进行复合，制备得到的复合电介质薄膜即使在较高温度下仍具有较好的介电性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105623156A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511006121.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 深圳清华大学研究院
IPC: C08L27/16 , C08L23/12 , C08L67/00 , C08L81/02 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08K9/06 , C08K9/04 , C08K3/24 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/38
CPC classification number: C08K9/06 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B2250/24 , B32B2250/42 , B32B2457/16 , C08J5/18 , C08K3/24 , C08K9/04 , C08K2201/005 , C08L23/12 , C08L27/16 , C08L63/00 , C08L67/00 , C08L79/08 , C08L81/02 , C08L2203/16
Abstract: 本发明公开了一种聚合物基杂化膜及其制备方法和应用，所述聚合物基杂化膜的材料为改性陶瓷颗粒掺杂的聚合物；所述聚合物基杂化膜中，所述改性陶瓷颗粒的质量百分含量为5％～30％，所述聚合物的质量百分含量为70％～95％；所述改性陶瓷颗粒的表面有经过表面改性剂改性形成的有机改性层。这种聚合物基杂化膜的材料为改性陶瓷颗粒掺杂的聚合物，通过改性陶瓷颗粒的掺杂，提高了介电常数，同时增加了储能密度。与传统的聚合物基材料相比，这种聚合物基杂化膜的储能密度最高可以达到15kJ/L，储能密度较高。
-
公开(公告)号：CN110273134B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910679780.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 深圳清华大学研究院
IPC: C23C14/50 , C23C16/458 , C25D17/06
Abstract: 本申请公开了一种全口径薄膜沉积夹具，涉及工装夹具的技术领域，以解决现有技术中的镀膜表面质量较差的技术问题。本申请的全口径薄膜沉积夹具包括第一固定座、第二固定座和调整杆，第一固定座具有第一贯穿孔；第二固定座具有第二贯穿孔，第一固定座与第二固定座连接；以及调整杆设置于第二贯穿孔内，其中，第一贯穿孔用以容置待加工件，并藉由调整杆固定待加工件。故本申请通过第一固定座、第二固定座和调整杆来夹持待加工件，既可以实现待加工件的底面的全口径薄膜沉积，也可以避免待加工件的侧面的薄膜沉积，从而可以精准地进行薄膜沉积，提高薄膜沉积的质量，可以适应对镀膜表面要求较高的场合且结构简单、安全可靠。
-
公开(公告)号：CN113186529A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010037702.2
申请日：2020-01-14
Applicant: 深圳清华大学研究院
IPC: C23C28/04 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及光学薄膜沉积领域，特别涉及一种高精度低应力光学薄膜沉积方法及装置。本发明在薄膜沉积的过程中交替进行离子束溅射沉积和原子层沉积，利用离子束溅射压应力和原子层沉积张应力相互补偿的特征，以实现低应力薄膜沉积。针对本发明中公开的一种高精度低应力光学薄膜沉积方法提供了一种高精度低应力原子层沉积装置，包括真空腔、基片夹具、挡板、靶材、离子源、气路系统、宽光谱监控系统；基片夹具、挡板、靶材在真空腔内从上至下依次设置，气路系统与挡板连通向真空腔中提供气体，宽光谱监控系统与所述真空腔连接实时监控薄膜沉积的厚度，实现在同一真空腔内既可进行离子束溅射沉积又可进行原子层沉积，无需跨真空腔转移基片。
-
公开(公告)号：CN112538613A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910900627.5
申请日：2019-09-23
Applicant: 深圳清华大学研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及光学薄膜沉积领域，公开了一种光学薄膜沉积设备及方法。光学薄膜沉积设备包括离子源、基片夹具、夹具底座、底座固件、真空室、均匀性修正挡板、气路系统、宽光谱膜厚监控系统；离子源位于真空室的顶部，基片夹具置于离子源下方，基片夹具放置于夹具底座上部，夹具底座置于底座固件内部，底座固件位于真空室底部，均匀性修正挡板设置于离子源与基片夹具之间；气路系统与真空室相连通，气路系统向真空室内运输气体进行薄膜沉积并维持真空室内压强稳定；宽光谱膜厚监控系统与真空室连接，实时监控薄膜沉积的厚度。本发明利用离子束辅助原子层沉积技术，从而对原子层沉积薄膜的应力实现控制，降低薄膜沉积的应力。
-
公开(公告)号：CN110273134A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910679780.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 深圳清华大学研究院
IPC: C23C14/50 , C23C16/458 , C25D17/06
Abstract: 本申请公开了一种全口径薄膜沉积夹具，涉及工装夹具的技术领域，以解决现有技术中的镀膜表面质量较差的技术问题。本申请的全口径薄膜沉积夹具包括第一固定座、第二固定座和调整杆，第一固定座具有第一贯穿孔；第二固定座具有第二贯穿孔，第一固定座与第二固定座连接；以及调整杆设置于第二贯穿孔内，其中，第一贯穿孔用以容置待加工件，并藉由调整杆固定待加工件。故本申请通过第一固定座、第二固定座和调整杆来夹持待加工件，既可以实现待加工件的底面的全口径薄膜沉积，也可以避免待加工件的侧面的薄膜沉积，从而可以精准地进行薄膜沉积，提高薄膜沉积的质量，可以适应对镀膜表面要求较高的场合且结构简单、安全可靠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.029 seconds)
