公开(公告)号：CN102890432B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210384701.0

申请日：2012-10-11

申请人： 深圳清溢光电股份有限公司

发明人： 李春兰

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/00

摘要： 本发明公开了一种通过加曝图形制作掩模板的方法，包括以下步骤：（1）设计数据图形，所述数据图形放置于第一图层中，再将需要加曝的数据图形置于另外的图层中；（2）设置曝光数据参数及曝光格式转换；（3）投入掩模材料；（4）开始曝光，采用步骤（1）所述的第一图层的数据图形进行一次曝光；（5）采用步骤（1）所述另外图层中的需要加曝的数据图形进行重复曝光；（6）显影、刻蚀；（7）光刻胶剥离、掩模板清洗、测量、检查修复、贴膜、包装出货。通过采用本发明的二次（或多次）重复曝光的工艺，解决了掩模板边缘胶厚曝不透的问题，并且可制作精细线条图形的高精度掩模板。

公开(公告)号：CN107885031A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711471168.0

申请日：2017-12-28

申请人： 深圳清溢光电股份有限公司

发明人： 李春兰 ,  李跃松 ,  邓振玉

IPC分类号： G03F1/76

CPC分类号： G03F1/76

摘要： 本发明公开了一种掩模板制作的优化设计方法，适用于掩模板曝光工序，曝光设备根据数据图形、光束数量及光束扫描宽度进行X/Y方向划分，计算出相应的曝光条数，获取相邻曝光条数重叠区域的位置以及重叠区域所对应的数据图形；根据重叠区域所对应的数据图形再次设计增加数据图案，以再次设计增加的数据图案消弱或反补重叠区域的二次曝光能量。本发明针对重叠区域的数据图形再次设计数据图案，该数据图案可以消弱或反补二次曝光对重叠区域的数据图形造成的能量损失，从而可以提高重叠区域线条精度。

公开(公告)号：CN102890432A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210384701.0

申请日：2012-10-11

申请人： 深圳清溢光电股份有限公司

发明人： 李春兰

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/00

摘要： 本发明公开了一种通过加曝图形制作掩模板的方法，包括以下步骤：（1）设计数据图形，所述数据图形放置于第一图层中，再将需要加曝的数据图形置于另外的图层中；（2）设置曝光数据参数及曝光格式转换；（3）投入掩模材料；（4）开始曝光，采用步骤（1）所述的第一图层的数据图形进行一次曝光；（5）采用步骤（1）所述另外图层中的需要加曝的数据图形进行重复曝光；（6）显影、刻蚀；（7）光刻胶剥离、掩模板清洗、测量、检查修复、贴膜、包装出货。通过采用本发明的二次（或多次）重复曝光的工艺，解决了掩模板边缘胶厚曝不透的问题，并且可制作精细线条图形的高精度掩模板。

公开(公告)号：CN101943854B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910108586.2

申请日：2009-07-03

申请人： 深圳清溢光电股份有限公司

发明人： 李春兰 ,  熊启龙 ,  邓振玉 ,  洪志华 ,  侯宏浩 ,  谭景霞 ,  戴海哲

IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/68

摘要： 本发明提供一种半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法，将半灰阶掩模板的半曝光区设计形成曝光数据图，所述曝光数据图具有半曝光设计区，根据具有半透过膜层的掩模材料在所述半曝光区仅一次曝光所需的光透过量，来设计半曝光设计区的图形形状。通过控制半曝光设计区光透过量，调整半曝光区的光刻胶膜层厚度，从而使曝光后光刻胶膜层厚度明显减薄。与现有技术二次曝光、二次对位流程对比，本技术方案只需要一次曝光、一次对位，解决了普通制造方法二次对位偏差问题，简化了制造工艺流程，而且掩模板材料本身具有半透过膜层，不需要进行二次沉积半透过膜层工序，使半灰阶掩模板的制作工艺流程更加简单。

公开(公告)号：CN101943854A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910108586.2

申请日：2009-07-03

申请人： 深圳清溢光电股份有限公司

发明人： 李春兰 ,  熊启龙 ,  邓振玉 ,  洪志华 ,  侯宏浩 ,  谭景霞 ,  戴海哲

IPC分类号： G03F1/14 ,  G03F1/08

摘要： 本发明提供一种半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法，将半灰阶掩模板的半曝光区设计形成曝光数据图，所述曝光数据图具有半曝光设计区，根据具有半透过膜层的掩模材料在所述半曝光区仅一次曝光所需的光透过量，来设计半曝光设计区的图形形状。通过控制半曝光设计区光透过量，调整半曝光区的光刻胶膜层厚度，从而使曝光后光刻胶膜层厚度明显减薄。与现有技术二次曝光、二次对位流程对比，本技术方案只需要一次曝光、一次对位，解决了普通制造方法二次对位偏差问题，简化了制造工艺流程，而且掩模板材料本身具有半透过膜层，不需要进行二次沉积半透过膜层工序，使半灰阶掩模板的制作工艺流程更加简单。

公开(公告)号：CN101916039A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010229457.1

申请日：2010-07-16

申请人： 深圳清溢光电股份有限公司

发明人： 李春兰 ,  洪志华 ,  戴海哲 ,  谭景霞 ,  熊启龙 ,  邓振玉

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F1/14 ,  G03F1/08

摘要： 本发明适用于掩模板制造技术领域，公开了一种掩模板的制作方法，是用于原材料结构为衬底层、灰阶掩模层、基础材质层及光刻胶层的掩模板的制作，所述制作方法包括以下步骤：(a)制作第一图形和第二图形，采用第一图形对光刻胶层进行第一次曝光；(b)采用第二图形对光刻胶层进行第二次曝光；(c)将光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除；(d)刻蚀步骤(c)中去除光刻胶层区域处的基础材质层及灰阶掩模层；(e)将所余光刻胶层最薄处区域内的光刻胶去除；(f)刻蚀步骤(e)中去除光刻胶层区域处的基础材质层。本发明提供的一种掩模板的制作方法，可直接连续使用两组图形进行两次曝光，解决了现有技术中二次对位时偏差大的技术问题。