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公开(公告)号：CN116661238A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310428810.6
申请日：2023-04-20
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种掩膜版检查机精度校准样片，包括基片，基片上设置有位置校准区域和精度校准区域；精度校准区域内设置有对比图形单元和缺陷图形单元；对比图形单元内呈横纵排列状设置有若干掩膜版样片对比图形，对比图形单元内同一行中掩膜版样片对比图形一致，仅尺寸增减；缺陷图形单元内呈横纵排列状设置有若干掩膜版样片缺陷图形，缺陷图形单元内同一行中掩膜版样片缺陷图形一致，仅尺寸增减；对比图形单元和缺陷图形单元内同一行、列位置的掩膜版样片对比图形和掩膜版样片缺陷图形一致，且尺寸相同，仅掩膜版样片缺陷图形内增设缺陷特征；本发明的掩膜版检查机精度校准样片，解决背景技术中提出的满足对掩膜版检查机精度的校准和缺陷的全检查。
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公开(公告)号：CN109062002A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811143659.7
申请日：2018-09-29
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
IPC分类号： G03F1/80
CPC分类号： G03F1/80
摘要： 本发明公开了干法蚀刻制备6代LTPS用PSM，其制作方式包括CR系材料制作PSM和MOSI材料制作PSM；CR系材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；②、干法蚀刻正常区域Cr；③、蚀刻PS区域光刻胶；④、蚀刻掉适当地Glass厚度；⑤、干法蚀刻PS区域Cr；MOSI材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大。本发明使用下置型方法，只需要对正常CR系材料分两个cell曝光即能制作出PSM，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作PSM的周期，使用MOSI材料也能实现制作出PSM，从而增加了PSM制作材料的广泛性，进一步降低了PSM的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。
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公开(公告)号：CN106200280A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610810265.7
申请日：2016-09-07
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
IPC分类号： G03F7/30
CPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明公开了一种旋覆与狭缝液帘配合的显影方法，是通过以下的步骤实现的：(1)将掩膜版装载至旋转载盘上，并将狭缝出液臂移动至所述掩膜版上方指定位置；(2)控制所述狭缝出液臂开始出显影液，即刻形成均匀的显影液帘并在足够短的时间内完全覆盖所述掩膜版以达到在掩膜版上覆盖足够厚的显影液层。本发明的显影方法采用独特配备的装置结构，可以保证出液压力、出液面积以及出液角度的一致性，在极短的时间内在大尺寸掩膜版上完全覆盖足够厚的显影液层，阻止显影液收缩，满足图形精度和精度均匀性的要求。
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公开(公告)号：CN101916039A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010229457.1
申请日：2010-07-16
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
摘要： 本发明适用于掩模板制造技术领域，公开了一种掩模板的制作方法，是用于原材料结构为衬底层、灰阶掩模层、基础材质层及光刻胶层的掩模板的制作，所述制作方法包括以下步骤：(a)制作第一图形和第二图形，采用第一图形对光刻胶层进行第一次曝光；(b)采用第二图形对光刻胶层进行第二次曝光；(c)将光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除；(d)刻蚀步骤(c)中去除光刻胶层区域处的基础材质层及灰阶掩模层；(e)将所余光刻胶层最薄处区域内的光刻胶去除；(f)刻蚀步骤(e)中去除光刻胶层区域处的基础材质层。本发明提供的一种掩模板的制作方法，可直接连续使用两组图形进行两次曝光，解决了现有技术中二次对位时偏差大的技术问题。
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公开(公告)号：CN106435589A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610806796.9
申请日：2016-09-07
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
IPC分类号： C23F1/26
CPC分类号： C23F1/26
摘要： 本发明公开了一种铬蚀刻液及其制备方法，所述铬蚀刻液包括：30～60份硝酸铈铵，200～300份高氯酸和4500～6000份去离子水；该铬蚀刻液的制备方法为：将30～60份硝酸铈铵，200～300份高氯酸和4500～6000份去离子水倒入搅拌釜内，调节不同的搅拌速度进行搅拌混合，待混合均匀后抽真空，静置一段时间后进行过滤。本发明的铬蚀刻液能够应用于同时进行垂直和侧向蚀刻的双向蚀刻工艺中，对蚀刻过程进行精细控制，提高铬膜图形精度及精度均匀性。
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公开(公告)号：CN101943854B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910108586.2
申请日：2009-07-03
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法，将半灰阶掩模板的半曝光区设计形成曝光数据图，所述曝光数据图具有半曝光设计区，根据具有半透过膜层的掩模材料在所述半曝光区仅一次曝光所需的光透过量，来设计半曝光设计区的图形形状。通过控制半曝光设计区光透过量，调整半曝光区的光刻胶膜层厚度，从而使曝光后光刻胶膜层厚度明显减薄。与现有技术二次曝光、二次对位流程对比，本技术方案只需要一次曝光、一次对位，解决了普通制造方法二次对位偏差问题，简化了制造工艺流程，而且掩模板材料本身具有半透过膜层，不需要进行二次沉积半透过膜层工序，使半灰阶掩模板的制作工艺流程更加简单。
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公开(公告)号：CN101943854A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910108586.2
申请日：2009-07-03
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法，将半灰阶掩模板的半曝光区设计形成曝光数据图，所述曝光数据图具有半曝光设计区，根据具有半透过膜层的掩模材料在所述半曝光区仅一次曝光所需的光透过量，来设计半曝光设计区的图形形状。通过控制半曝光设计区光透过量，调整半曝光区的光刻胶膜层厚度，从而使曝光后光刻胶膜层厚度明显减薄。与现有技术二次曝光、二次对位流程对比，本技术方案只需要一次曝光、一次对位，解决了普通制造方法二次对位偏差问题，简化了制造工艺流程，而且掩模板材料本身具有半透过膜层，不需要进行二次沉积半透过膜层工序，使半灰阶掩模板的制作工艺流程更加简单。
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公开(公告)号：CN116661233A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310428811.0
申请日：2023-04-20
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半色调掩膜版的制作方法，光刻机在半色调掩膜版上刻写第一层图形和对位Mark，并记录第一层图形初始位置；半色调掩膜版再次安装至光刻机内，光刻机再次获取半色调掩膜版上刻写的第一层图形和对位Mark；将第一层图形和对位Mark信号发送至光刻机Mark识别系统，获得安装半色调掩膜版上第一层图形的偏转位置，将偏转位置与初始位置进行比较，获得再次上料的半色调掩膜版上第一层图形相对初始位置的偏转角度β；将第二层图形区进行旋转β角度，获得第二层刻写图形区；依据获得的第二次刻写图形待加工半色调掩膜版上刻写第二层图形；本发明半色调掩膜版的制作方法，提高了半色调掩膜版第二次蚀刻图形蚀刻精度以及与第一层图形的套合精度。
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公开(公告)号：CN111830784A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010639006.9
申请日：2020-07-06
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
摘要： 本发明实施例涉及光刻技术领域，公开了一种异形玻璃掩膜版生产方法，该方法通过接收待生产掩膜版图形，通过CAM系统对所述待生产掩膜版图形进行处理；根据CAM系统的处理结果，对玻璃掩膜版进行常规工艺处理；对常规工艺处理后玻璃掩膜版进行异性工艺处理，则完成异性玻璃掩膜版生产进行包装出货，本发明实施例提供的异形玻璃掩膜版生产方法实现了异形玻璃掩膜版生产，尤其通过异形加工前的掩膜版保护和异形加工后的清洗，使得加工过程中不损坏掩膜版的功能。
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公开(公告)号：CN206209293U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201621043632.7
申请日：2016-09-07
申请人： 深圳清溢光电股份有限公司
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本实用新型公开了一种旋覆与狭缝液帘配合的显影设备，包括可以装载掩膜版并且能够进行自身旋转的旋转载盘和两根具有朝自身长度方向延伸的狭缝出液臂，所述狭缝出液臂能够移动至所述旋转载盘的上方任意位置；所述狭缝出液臂朝向旋转载盘的一侧安装狭缝列阵，所述狭缝列阵由若干个狭缝组成。本装置应用于掩膜版制造中的显影工艺，可以保证显影液的出液压力、出液面积以及出液角度的一致性，在极短的时间内在大尺寸掩膜版上完全覆盖足够厚的显影液层，阻止显影液收缩，满足图形精度和精度均匀性的要求。
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