一种触控面板及其制作方法

    公开(公告)号:CN107193407B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201610145165.7

    申请日:2016-03-15

    IPC分类号: G06F3/041

    摘要: 本发明公开了一种触控面板及其制作方法,属于平板显示技术领域。本发明包括一种触控面板至少包括一基板及形成于基板上的第一功能层和第二功能层;第一功能层用于抑制波长在第一波段的可见光;第二功能层用于识别用户操作基板的位置,提供感应信号;本发明还包括一种该触控面板的制作方法。本发明通过设置第一功能层抑制波长在第一波段的可见光,从而在操作触控显示面板时减免该可见光对眼球造成的伤害。

    一种触控面板
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205644480U

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201620195537.2

    申请日:2016-03-15

    IPC分类号: G06F3/041

    摘要: 本实用新型公开了一种触控面板,属于平板显示技术领域。本实用新型包括一种触控面板至少包括一基板及形成于基板上的第一功能层和第二功能层;第一功能层用于抑制波长在第一波段的可见光;第二功能层用于识别用户操作基板的位置,提供感应信号。本实用新型通过设置第一功能层抑制波长在第一波段的可见光,从而在操作触控显示面板时减免该可见光对眼球造成的伤害。

    电极结构、触控板及触控装置

    公开(公告)号:CN207909096U

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201721924180.8

    申请日:2017-12-30

    IPC分类号: G06F3/041

    摘要: 本实用新型涉及一种电极结构、触控板及触控装置。一种电极结构,用于触控装置,电极结构包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层。第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层。过渡层为钼层或钼合金层。导电层为导电金属层。上述电极结构具有优良的消影效果、附着性及灵敏度。

    一种掩膜装置、掩膜装置的制作方法和光刻设备

    公开(公告)号:CN118915372A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202310500530.1

    申请日:2023-05-06

    IPC分类号: G03F1/26 G03F1/66 G03F7/20

    摘要: 本发明涉及光刻领域,公开了一种掩膜装置,包括由相邻设置的相移区和全透区的透明底板,相移区为具有遮光层和相移层的相移单元,遮光层设置在相移层的两侧,遮光层之间的距离小于或等于相移层的宽度,且相移层的宽度小于两侧的遮光层宽度与其间隙之和,从两个遮光层两侧透过的光线对于透过相移层光线的干涉效果相同,相移层的宽度为1~5μm、透光率为10%~90%,遮光层的宽度之和为1~8μm,本发明通过遮光层来限定相移区的宽度,减小了套合精度的影响,提高了相移层的线宽均匀性,降低了掩膜装置的制造难度,且相移区下方的衍射光线能够形成稳定的干涉相消,提升了转印图案的分辨率,本发明还提供一种掩膜装置的制作方法和光刻设备。

    薄膜太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN109301000B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN201710609762.5

    申请日:2017-07-25

    IPC分类号: H01L31/0224

    摘要: 一种薄膜太阳能电池,包括依次叠合的基板、光吸收层、缓冲层、窗口层和上电极层,还包括一第一凹槽和一第一绝缘块,第一凹槽是通过使用激光对沉积有光吸收层、缓冲层和窗口层的基板进行刻划,通过以细线形式去除光吸收层的一部分、缓冲层的一部分和窗口层的一部分来进行构图所形成的图案,绝缘块设置于第一凹槽内,太阳光从基板远离光吸收层的一侧进入薄膜太阳能电池。本发明实施例还提供一种薄膜太阳能电池的制备方法。本发明实施例提供的薄膜太阳能电池及其制备方法,在保持太阳能电池光电转换效率的前提下,能实现太阳能电池组件的轻薄化。

    一种掩膜装置、掩膜装置的制作方法和光刻设备

    公开(公告)号:CN116974138A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202210423370.0

    申请日:2022-04-21

    IPC分类号: G03F1/26 G03F7/20

    摘要: 本发明涉及光刻领域,公开了一种掩膜装置,包括由相邻设置的相移区和全透区的透明底板,相移区为具有遮光层和相移层的相移单元,遮光层设置在相移层的两侧,遮光层之间的距离小于或等于相移层的宽度,且相移层的宽度小于两侧的遮光层宽度与其间隙之和,从两个遮光层两侧透过的光线对于透过相移层光线的干涉效果相同,相移层的宽度为1~5μm、透光率为10%~90%,遮光层的宽度之和为1~8μm,本发明通过遮光层来限定相移区的宽度,减小了套合精度的影响,提高了相移层的线宽均匀性,降低了掩膜装置的制造难度,且相移区下方的衍射光线能够形成稳定的干涉相消,提升了转印图案的分辨率,本发明还提供一种掩膜装置的制作方法和光刻设备。