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公开(公告)号：CN116555910A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310315041.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 深圳陕煤高新技术研究院有限公司
Abstract: 本发明属于SiC单晶制备技术领域，尤其涉及一种用于连续生长SiC单晶的装置，包括；坩埚包括外埚和内埚；内埚具有反应腔，外埚与内埚之间形成加料腔；内埚的下部埚壁设有多孔结构，多孔结构连通反应腔和加料腔；隔热构件，设于坩埚外；感应加热装置，设于隔热构件外；籽晶轴，穿设于反应腔的上端，且籽晶轴通过第一驱动件驱动其转动；及旋转轴，设于坩埚的底部并与籽晶轴同轴设置，且旋转轴通过第二驱动件驱动其转动；加料腔中加入高纯C粉、硅熔体或其他掺杂元素，反应腔内的溶液与加料腔内的溶液可以相互流通，在SiC单晶生长过程中，加料腔内的溶液中的C源可持续向反应腔内的溶液补充，使反应腔内的溶液C源充足，有利于形成较大尺寸的SiC单晶。
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