一种二元系烧结钕铁硼的晶界扩散方法

    公开(公告)号:CN117766289A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311343835.2

    申请日:2023-10-17

    Abstract: 本发明涉及一种烧结钕铁硼的晶界扩散技术,包括如下步骤:(1)将不含重稀土的烧结钕铁硼磁体通过线切割处理成5mm*5mm*2mm(c轴)的大小,使用砂纸打磨抛光,而后超声清洗;(2)将TbF3与Tb4O7粉体按充分混合后溶解在二甲基亚砜溶液中,得到TbF3与Tb4O7的悬浊液;(3)在步骤(1)所得的钕铁硼磁体上均匀涂敷步骤(2)所得悬浊液,随后放入真空干燥箱中进行真空干燥;(4)将步骤(3)真空干燥后的钕铁硼磁体用钼箔包裹,而后进行真空高温扩散,扩散后退火。本发明使用TbF3与Tb4O7混合二元系作为扩散源对烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散,扩散后磁体的矫顽力大幅提高,显微组织分析显示,钕铁硼晶粒周围形成了连续的晶界相,并在钕铁硼晶粒表面发展出核壳结构。

    可溶性有机激光分子的设计及其合成方法

    公开(公告)号:CN116969931A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202310641031.4

    申请日:2023-05-31

    Inventor: 杜玮玮 余涛

    Abstract: 本发明涉及有机激光分子技术领域,具体地,涉及一种可溶性有机激光分子及其合成方法。所述可溶性有机激光分子,其分子结构式如下:#imgabs0#本发明合成的有机激光分子不含双键,在泵浦激发下,化学键不会断裂,分子结构具有更好的稳定性性。本发明合成的有机激光分子结构两端均有烷基链结构,提高了分子的溶解度,增强了制样的均匀性与测试的准确度。本发明合成的有机激光分子结构可造成光谱红移,可达到黄光发射效果。

    用于连续生长SiC单晶的装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116555910A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310315041.9

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 本发明属于SiC单晶制备技术领域,尤其涉及一种用于连续生长SiC单晶的装置,包括;坩埚包括外埚和内埚;内埚具有反应腔,外埚与内埚之间形成加料腔;内埚的下部埚壁设有多孔结构,多孔结构连通反应腔和加料腔;隔热构件,设于坩埚外;感应加热装置,设于隔热构件外;籽晶轴,穿设于反应腔的上端,且籽晶轴通过第一驱动件驱动其转动;及旋转轴,设于坩埚的底部并与籽晶轴同轴设置,且旋转轴通过第二驱动件驱动其转动;加料腔中加入高纯C粉、硅熔体或其他掺杂元素,反应腔内的溶液与加料腔内的溶液可以相互流通,在SiC单晶生长过程中,加料腔内的溶液中的C源可持续向反应腔内的溶液补充,使反应腔内的溶液C源充足,有利于形成较大尺寸的SiC单晶。

Patent Agency Ranking