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公开(公告)号：CN119403250B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411976900.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/295 , H10F77/124 , H10F77/14 , H10F71/00 , G01T1/24
Abstract: 本申请提供了一种GaN基α粒子探测器及其制备方法，包括衬底，以及外延形成在衬底上外延结构，外延结构包括多量子阱层。通过引入多量子阱层，多量子阱层吸收α粒子的入射能量，并对应激发出大量电子‑空穴对，且电子‑空穴对会被多量子阱层的量子限域效应局限在的量子阱中，不仅减少了电子‑空穴对扩散和复合的损失，还延长了载流子的寿命，大幅提升了α粒子探测器对载流子的收集效率，确保了更多的电子‑空穴对能够被收集并转化为电信号输出，从而提升了α粒子探测器性能。
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公开(公告)号：CN109462031A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811178724.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种基于可变电感和可变电容的双级可调谐天线，包括：天线组件(100)；第一级可调谐电路(200)包括至少一个可变电容(201)，至少一个可变电容(201)并联在天线组件(100)上；第二级可调谐电路(300)包括至少一个可变电容和至少一个可变电感，其中，第二级可调谐电路(300)设置在馈电点和天线组件(100)之间，射频信号从馈电点经第二级可调谐电路(300)传递给天线组件(100)。该双级可调谐天线可以在改变天线谐振频率的同时调节天线与馈线的阻抗匹配，使得天线能在满足良好的回波损耗性能下，获得更宽的可用带宽，从而满足目前以及未来的无线通信需求，简单易实现。
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公开(公告)号：CN119403251A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411976907.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/295 , G01T1/24 , H10F77/124 , H10F77/20 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供了一种高性能垂直GaN基α粒子探测器及其制备方法，包括层叠设置的第二接触电极、GaN衬底、GaN外延层、第一接触电极、保护环和钝化层。通过将GaN衬底设置为重Si掺杂GaN衬底，GaN外延层设置为轻Si掺杂GaN外延层，以及将第一接触电极的厚度进行优化设计，并设计保护环，以提升α粒子探测器在灵敏度、电荷收集效率、能量分辨率、响应速度及长期可靠性等方面的关键性能指标，为高性能GaN基α粒子探测器的实际应用提供了可靠的技术支持和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109559869A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811413939.5
申请日：2018-11-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS可调悬空螺旋电感，属于微机电器件和通信技术领域。本发明在两段悬空螺旋电感之间设置上电极，通过控制上电极和下电极之间的驱动信号，调节上电极和下电极之间的间距，改变左侧悬空螺旋电感和右侧悬空螺旋电感中各个金属线圈之间的横向间距和纵向间距，以及两个悬空螺旋电感与信号传输线之间的纵向间距，从而改变磁通线分布，调节电感值，获得所需电感量。采用本发明的可调悬空螺旋电感，可以与其他MEMS器件兼容制作，应用在可调谐智能天线等通信领域。与现有可调电感相比，本发明能够节约结构面积，减小寄生效应，简化工艺流程，实现连续可调电感值。
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公开(公告)号：CN119403250A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411976900.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/295 , H10F77/124 , H10F77/14 , H10F71/00 , G01T1/24
Abstract: 本申请提供了一种GaN基α粒子探测器及其制备方法，包括衬底，以及外延形成在衬底上外延结构，外延结构包括多量子阱层。通过引入多量子阱层，多量子阱层吸收α粒子的入射能量，并对应激发出大量电子‑空穴对，且电子‑空穴对会被多量子阱层的量子限域效应局限在的量子阱中，不仅减少了电子‑空穴对扩散和复合的损失，还延长了载流子的寿命，大幅提升了α粒子探测器对载流子的收集效率，确保了更多的电子‑空穴对能够被收集并转化为电信号输出，从而提升了α粒子探测器性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119698087B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510193308.0
申请日：2025-02-21
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/29 , H10F30/295 , H10F77/14 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供了一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法，包括硅衬底、多级中间层和GaN外延层，多级中间层形成于硅衬底与GaN外延层之间，且多级中间层至少包括Al元素含量渐变的分级层。通过在硅衬底与GaN外延层之间形成分级层，并将分级层内Al元素的含量自靠近硅衬底的一侧向靠近GaN外延层的一侧逐渐降低，实现对分级层晶格常数的渐变调控，从而有效缓解GaN外延层与硅衬底之间的晶格失配，降低GaN外延层的缺陷密度，并提升其结晶质量，最终，在硅衬底上生长高质量的厚膜GaN外延层，实现制备基于硅衬底的氮化镓α粒子探测器。
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公开(公告)号：CN119403251B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411976907.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/295 , G01T1/24 , H10F77/124 , H10F77/20 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供了一种高性能垂直GaN基α粒子探测器及其制备方法，包括层叠设置的第二接触电极、GaN衬底、GaN外延层、第一接触电极、保护环和钝化层。通过将GaN衬底设置为重Si掺杂GaN衬底，GaN外延层设置为轻Si掺杂GaN外延层，以及将第一接触电极的厚度进行优化设计，并设计保护环，以提升α粒子探测器在灵敏度、电荷收集效率、能量分辨率、响应速度及长期可靠性等方面的关键性能指标，为高性能GaN基α粒子探测器的实际应用提供了可靠的技术支持和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109346381A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811414006.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 本发明涉及一种带有上浮栅结构的梯形射频MEMS开关，属于射频微电子机械系统(RFMEMS)和通信技术领域。本发明采用梯形的悬臂梁结构，通过在悬臂梁三角形外边框内沿信号方向设置一个或多个横梁，降低开关制作的工艺复杂度，并可通过调整悬臂梁的弹性系数，调节开关的驱动电压。相比于已有的静电驱动式MEMS开关，本发明在悬臂梁下方设置由隔离层和电荷充电层共同组成的浮栅结构，通过对浮栅结构预充电，降低并调节开关在工作状态下驱动电压，提高开关的可靠性和使用寿命。本发明的射频MEMS开关，可以与其他MEMS器件兼容制作，应用在移动终端等通信领域。
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公开(公告)号：CN119698087A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510193308.0
申请日：2025-02-21
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/29 , H10F30/295 , H10F77/14 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供了一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法，包括硅衬底、多级中间层和GaN外延层，多级中间层形成于硅衬底与GaN外延层之间，且多级中间层至少包括Al元素含量渐变的分级层。通过在硅衬底与GaN外延层之间形成分级层，并将分级层内Al元素的含量自靠近硅衬底的一侧向靠近GaN外延层的一侧逐渐降低，实现对分级层晶格常数的渐变调控，从而有效缓解GaN外延层与硅衬底之间的晶格失配，降低GaN外延层的缺陷密度，并提升其结晶质量，最终，在硅衬底上生长高质量的厚膜GaN外延层，实现制备基于硅衬底的氮化镓α粒子探测器。
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公开(公告)号：CN109559869B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811413939.5
申请日：2018-11-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS可调悬空螺旋电感，属于微机电器件和通信技术领域。本发明在两段悬空螺旋电感之间设置上电极，通过控制上电极和下电极之间的驱动信号，调节上电极和下电极之间的间距，改变左侧悬空螺旋电感和右侧悬空螺旋电感中各个金属线圈之间的横向间距和纵向间距，以及两个悬空螺旋电感与信号传输线之间的纵向间距，从而改变磁通线分布，调节电感值，获得所需电感量。采用本发明的可调悬空螺旋电感，可以与其他MEMS器件兼容制作，应用在可调谐智能天线等通信领域。与现有可调电感相比，本发明能够节约结构面积，减小寄生效应，简化工艺流程，实现连续可调电感值。
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