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公开(公告)号：CN119698087A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510193308.0
申请日：2025-02-21
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/29 , H10F30/295 , H10F77/14 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供了一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法，包括硅衬底、多级中间层和GaN外延层，多级中间层形成于硅衬底与GaN外延层之间，且多级中间层至少包括Al元素含量渐变的分级层。通过在硅衬底与GaN外延层之间形成分级层，并将分级层内Al元素的含量自靠近硅衬底的一侧向靠近GaN外延层的一侧逐渐降低，实现对分级层晶格常数的渐变调控，从而有效缓解GaN外延层与硅衬底之间的晶格失配，降低GaN外延层的缺陷密度，并提升其结晶质量，最终，在硅衬底上生长高质量的厚膜GaN外延层，实现制备基于硅衬底的氮化镓α粒子探测器。
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公开(公告)号：CN109559869B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811413939.5
申请日：2018-11-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS可调悬空螺旋电感，属于微机电器件和通信技术领域。本发明在两段悬空螺旋电感之间设置上电极，通过控制上电极和下电极之间的驱动信号，调节上电极和下电极之间的间距，改变左侧悬空螺旋电感和右侧悬空螺旋电感中各个金属线圈之间的横向间距和纵向间距，以及两个悬空螺旋电感与信号传输线之间的纵向间距，从而改变磁通线分布，调节电感值，获得所需电感量。采用本发明的可调悬空螺旋电感，可以与其他MEMS器件兼容制作，应用在可调谐智能天线等通信领域。与现有可调电感相比，本发明能够节约结构面积，减小寄生效应，简化工艺流程，实现连续可调电感值。
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公开(公告)号：CN105098305B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510536880.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明公开了一种分布式单电阻衰减器，包括：衬底；设置在衬底上的绝缘层；设置在绝缘层上的电阻层，以图形化形成多电极薄膜分布式电阻网络和与金属电极的触点；设置在电阻层上的信号线与地线，信号线与地线覆盖部分电阻层，以形成电极，从而通过控制信号线与地线，以及电阻层的尺寸形成共面波导；多电极薄膜分布电阻网络，多电极薄膜网络为电阻层未被信号线与地线覆盖部分。本发明实施例的衰减器能够避免使用大长宽比尺寸的电阻，节约了结构面积，并且提高衰减器的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN104599964B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510032873.5
申请日：2015-01-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提出了一种体硅湿法深刻蚀的保护方法，所述体硅的一个表面上形成有待转移的图形化结构层，所述图形化结构层的远离所述体硅的一个表面与转移基底相连，该方法包括：在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶，以便形成密封胶层；在密封胶的表面涂敷黑胶，以便形成黑胶层；将黑胶层进行高温固化，以便在预保护区域上形成复合保护层；利用刻蚀溶液对表面形成复合保护层后的体硅进行深刻蚀，以便将体硅刻蚀掉；以及除去复合保护层，以便完成图形化结构层转移到转移基底上。该方法可以有效地对体硅的侧面及转移工艺中两片基底中间的粘接剂进行保护，工艺简单，无需复杂设备，成本低，耗时短。
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公开(公告)号：CN105098305A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510536880.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明公开了一种分布式单电阻衰减器，包括：衬底；设置在衬底上的绝缘层；设置在绝缘层上的电阻层，以图形化形成多电极薄膜分布式电阻网络和与金属电极的触点；设置在电阻层上的信号线与地线，信号线与地线覆盖部分电阻层，以形成电极，从而通过控制信号线与地线，以及电阻层的尺寸形成共面波导；多电极薄膜分布电阻网络，多电极薄膜网络为电阻层未被信号线与地线覆盖部分。本发明实施例的衰减器能够避免使用大长宽比尺寸的电阻，节约了结构面积，并且提高衰减器的性能和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811138A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310692290.6
申请日：2013-12-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01C1/16
Abstract: 一种变方阻薄膜电阻网络，涉及器件和信号测量领域，使用多晶硅薄膜电阻技术和表面微加工技术制作，包括中心薄膜电阻、旁路薄膜电阻、信号传输线以及地线共同形成的完整信号通路，如T型/π型网络，为了获得较大的衰减量，中心电阻和旁路电阻的差值非常大，采用相同方阻会带来尺寸跃变问题，本发明通过控制离子注入工艺条件，使中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻具有不同的杂质元素浓度，从而获得不同的方块电阻，有效调节了大幅度调整信号时电阻网络的长宽尺寸，同时，可以采用上述原理使相同尺寸的电阻网络具有不同的调整功能，与现有电阻网络相比，本发明能够节约结构面积，减小引入的寄生效应。
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公开(公告)号：CN103440985A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310323560.6
申请日：2013-07-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种多电极线性可调节的MEMS电容器，包括介质衬底、电容上极板、电容下极板、第一锚点、第二锚点以及多组控制电极，电容下极板位于第一锚点和第二锚点间，电容上极板位于第一锚点和第二锚点上，第一锚点和第二锚点的高度不同，电容上极板呈倾斜状态，沿电容上极板倾斜下端向上端方向，对多组控制电极逐次加电压，每组控制电极上的电压均由低到高变化，使电容上极板与电容下极板之间的电容值呈近似线性的变化。
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公开(公告)号：CN102928132A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210404406.7
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本发明利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本发明结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。
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公开(公告)号：CN102101642B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110030665.3
申请日：2011-01-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种纳米制造系统，包括原子粒子产生系统，原子粒子产生系统与气源连通，原子粒子产生系统与原子输运系统相连，原子输运系统与真空工作室相连，真空工作室内设置有纳米孔阵列掩模板，纳米孔阵列掩模板边缘上方为光学对准系统，下方为纳米级电子对准系统，纳米孔阵列掩模板下方设置有铺设有衬底材料；气源进入原子粒子产生系统获得能量与动量后产生原子粒子，原子粒子进入真空工作室，支架调节控制系统实现纳米孔阵列掩模板与衬底材料的相对运动，实现掩模功能与纳米图形加工；本发明具有控制精度高、加工尺度小、对衬底材料损伤小、电学影响小、系统结构相对简单、功能材料多样以及结构图形化方便的特点。
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公开(公告)号：CN102709142A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210209509.8
申请日：2012-06-19
IPC: H01J37/073
Abstract: 本发明公开一种基于纳米孔的电子束场发射装置，包括：固定层结构，固定层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的通孔，固定层结构的上表面设有覆盖在通孔上方的石墨烯层；纳米孔层结构，纳米孔层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的纳米孔，且纳米孔层结构的下表面上设有用于与固定层结构的上表面连接的第一键合金属层；和场发射层结构，场发射层结构上表面的中心位置处设有电场负极金属板，场发射层结构下表面的中心位置处设有相互配合的场发射栅极正极和场发射栅极负极，场发射层结构的下表面外沿设有用于与纳米孔层结构的上表面连接的第二键合金属层。根据本发明的实施例的基于纳米孔的电子束场发射装置，石墨烯层可减小电子碰撞率，进而提高电子的穿透率。
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