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公开(公告)号：CN118973372A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411057023.6
申请日：2024-08-02
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种具有可调节响应度的钙钛矿异质结光电忆阻器及其制备方法和应用。本发明的响应度可调节的原理是基于导电细丝调控异质结能带的新机制，通过施加电压编程，将器件的导电细丝状态调节到不同的状态，从而实现可调节的响应度。本发明的光电忆阻器展示了1～10000的可调比率，并具有超过104秒的长期记忆行为。本发明的忆阻器可用于图像识别任务的传感、存储、运算融合应用中。
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公开(公告)号：CN118922035A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411007181.0
申请日：2024-07-25
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种使用离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS芯片集成的方法。该方法以离子液体作为连接层，与钙钛矿单晶形成新的界面层，即通过化学焊接技术实现了大面积卤化物钙钛矿单晶与CMOS基底的强粘合，提高了X射线探测器的灵敏度和稳定性，为基于CMOS的高性能X射线探测器的集成制造提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN115491201A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211055488.9
申请日：2022-08-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种厚度可控卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，所述方法包括：制备卤化物钙钛矿晶粒；将所述卤化物钙钛矿晶粒与溶剂、添加剂混合，形成浆料；将所述浆料涂覆在衬底上、随后进行加热，重复所述涂覆、所述加热步骤，得到厚度可控卤化物钙钛矿薄膜；其中，所述重复的次数大于等于0。由此，本发明方法可以降低晶粒的间隙、反位等内部缺陷，提高卤化物钙钛矿薄膜的质量。同时，本发明通过控制涂覆、加热步骤的重复次数，可以控制卤化物钙钛矿薄膜的厚度，卤化物钙钛矿薄膜的厚度可以从数百纳米到数厘米之间调节，可以满足不同场景的需求，改善了传统方法难以制备厚度较大的卤化物钙钛矿薄膜的缺陷。
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公开(公告)号：CN118946229A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411026133.6
申请日：2024-07-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种简易高效的气相氛围钙钛矿退火方法，将钙钛矿前驱体溶液置于衬底上形成钙钛矿薄膜，在退火步骤之前将聚酰亚胺胶带紧贴在薄膜上并施加压力，随后整体在钙钛矿退火条件下进行退火。本发明通过比较简单的方法营造气相氛围对钙钛矿材料退火，在降低成本的同时，促进晶粒生长、减少杂质、提升钙钛矿薄膜平整度，可以满足商业化的需求。
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公开(公告)号：CN114539067A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210146468.6
申请日：2022-02-17
申请人： 清华大学
IPC分类号： C07C209/00 , C07C211/04 , C30B7/02 , C30B28/04 , C30B29/54
摘要： 本发明公开了一维有机无机杂化钙钛矿及其制备方法，所述方法包括：在第一温度下，将前驱物CH3NH3X、PbX2与溶剂混合，使所述前驱物充分溶解，得到有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液；在第二温度下，所述有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液析出一维有机无机杂化钙钛矿CH3NH3PbX3；其中，第二温度低于第一温度。由此，通过无衬底的方式，可以成功的制备得到一维超长有机无机杂化钙钛矿，所制备的一维钙钛矿的长度可以大于5毫米，还可以达到厘米量级、甚至达到分米量级，产品的晶体质量较高，能够转移到任意衬底上，有利于钙钛矿基光电子器件向着高性能、可集成化方向发展。
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公开(公告)号：CN114420840A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111484162.3
申请日：2021-12-07
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L51/00
摘要： 本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：(1)在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；(2)对步骤(1)得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；(3)对步骤(2)得到的所述光刻胶薄膜进行显影；(4)将步骤(3)得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀；(5)将步骤(4)得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜。由此，该制备方法可与现代微电子工艺兼容，且卤素钙钛矿薄膜在去胶前后，薄膜质量与性质基本不变，在光电成像阵列、显示阵列、光电逻辑阵列器件等领域具有广阔的应用前景。
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