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公开(公告)号：CN114539067A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210146468.6
申请日：2022-02-17
申请人： 清华大学
IPC分类号： C07C209/00 , C07C211/04 , C30B7/02 , C30B28/04 , C30B29/54
摘要： 本发明公开了一维有机无机杂化钙钛矿及其制备方法，所述方法包括：在第一温度下，将前驱物CH3NH3X、PbX2与溶剂混合，使所述前驱物充分溶解，得到有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液；在第二温度下，所述有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液析出一维有机无机杂化钙钛矿CH3NH3PbX3；其中，第二温度低于第一温度。由此，通过无衬底的方式，可以成功的制备得到一维超长有机无机杂化钙钛矿，所制备的一维钙钛矿的长度可以大于5毫米，还可以达到厘米量级、甚至达到分米量级，产品的晶体质量较高，能够转移到任意衬底上，有利于钙钛矿基光电子器件向着高性能、可集成化方向发展。
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公开(公告)号：CN114420840A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111484162.3
申请日：2021-12-07
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L51/00
摘要： 本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：(1)在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；(2)对步骤(1)得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；(3)对步骤(2)得到的所述光刻胶薄膜进行显影；(4)将步骤(3)得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀；(5)将步骤(4)得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜。由此，该制备方法可与现代微电子工艺兼容，且卤素钙钛矿薄膜在去胶前后，薄膜质量与性质基本不变，在光电成像阵列、显示阵列、光电逻辑阵列器件等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115491201A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211055488.9
申请日：2022-08-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种厚度可控卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，所述方法包括：制备卤化物钙钛矿晶粒；将所述卤化物钙钛矿晶粒与溶剂、添加剂混合，形成浆料；将所述浆料涂覆在衬底上、随后进行加热，重复所述涂覆、所述加热步骤，得到厚度可控卤化物钙钛矿薄膜；其中，所述重复的次数大于等于0。由此，本发明方法可以降低晶粒的间隙、反位等内部缺陷，提高卤化物钙钛矿薄膜的质量。同时，本发明通过控制涂覆、加热步骤的重复次数，可以控制卤化物钙钛矿薄膜的厚度，卤化物钙钛矿薄膜的厚度可以从数百纳米到数厘米之间调节，可以满足不同场景的需求，改善了传统方法难以制备厚度较大的卤化物钙钛矿薄膜的缺陷。
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公开(公告)号：CN114016133A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111268564.X
申请日：2021-10-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种在衬底上直接集成单晶钙钛矿的方法及其应用，其中，所述方法包括：(1)将CH3NH3X、PbX2和有机溶剂混合，以便得到CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液；(2)将衬底置于所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液中，并在密闭系统中利用反溶剂对所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液进行气相扩散，以便使得所述CH3NH3PbX3钙钛矿在所述衬底上直接集成单晶CH3NH3PbX3钙钛矿，其中，在步骤(1)中，所述CH3NH3X包括CH3NH3Cl、CH3NH3Br和CH3NH3I中的至少之一，所述PbX2包括PbCl2、PbBr2和PbI2中的至少之一。由此，采用该方法可以在给定衬底上直接生长大尺寸，高结晶质量的单晶钙钛矿。
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公开(公告)号：CN116195989A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310233882.5
申请日：2023-03-13
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯复合材料的呼吸传感器及其制备方法，其中呼吸传感器包括柔性基底层、核心敏感层和封装层，柔性基底层上设置有导线及电极，核心敏感层的下表面设置于柔性基底层上，核心敏感层的上表面通过封装层封装，柔性敏感层为石墨烯、聚苯胺和聚二甲基硅氧烷固化形成。本发明采用上述结构的一种基于石墨烯复合材料的呼吸传感器，可以对人体呼吸做出迅速响应，提高呼吸响应频率，且封装层可以有效隔绝呼吸湿度的影响，提高了呼吸监测的准确性；同时柔性基底层可以有效贴合皮肤，提高人体贴附性的同时，可以降低外界环境温度的影响，实现实时监测人体呼吸变化，以判断人体生理状态尤其是肺部健康情况。
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