公开(公告)号：CN103218498B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310153699.0

申请日：2013-04-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王人成 ,  张若凡 ,  程嘉 ,  于璐嘉 ,  柳世强 ,  何崇恺

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了磁控溅射源移动磁体运动控制技术领域中的一种磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法。包括通过仿真得到移动磁体运动经过n个位置处靶材表面上m个点的水平磁场强度；建立用于计算靶材表面m个点的等效水平磁场强度的耦合函数bsumj(ki)；根据所述耦合函数bsumj(ki)，建立用于计算靶材利用率的目标函数η(ki)；以靶材利用率最大化为优化目标，以且ki＞0为约束条件，利用优化遗传算法对所述目标函数η(ki)进行优化，得到加权系数ki的最优值；利用加权系数ki的最优值，推出移动磁体最优运动规律。本发明在实现靶材利用率最大化的同时，实现了最佳的刻蚀均匀性。

公开(公告)号：CN103572239B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310575131.8

申请日：2013-11-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 王人成 ,  张若凡 ,  程嘉 ,  阎绍泽 ,  季林红

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明公开了属于电子机械领域的一种提高偏心旋转磁控溅射系统的准直性方法，该方法为：1）在具有小面积运动磁控管的SIP溅射腔室外部贴近壁面处添加辅助磁极，并设置辅助磁极的布置方式，确定相关结构参数，使辅助磁极在SIP溅射腔室内部产生轴向磁场；2）根据磁控管的结构特征确定任一时刻辅助磁极的通电方式；3）根据磁控管的运动特性设置辅助磁极不同时刻的通电组合切换规律。本发明通过在SIP溅射腔室外添加辅助磁极，产生了与磁控管形状相匹配的轴向磁场，在不同时刻采用不同的通电组合，可对不同区域提供局部轴向磁场，提高了溅射粒子的离化率，提高了离子飞向基片的准直性，减少侧壁损失，改善对高深宽比图形的镀膜效果。

公开(公告)号：CN103572239A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310575131.8

申请日：2013-11-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 王人成 ,  张若凡 ,  程嘉 ,  阎绍泽 ,  季林红

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明公开了属于电子机械领域的一种提高偏心旋转磁控溅射系统的准直性方法，该方法为：1）在具有小面积运动磁控管的SIP溅射腔室外部贴近壁面处添加辅助磁极，并设置辅助磁极的布置方式，确定相关结构参数，使辅助磁极在SIP溅射腔室内部产生轴向磁场；2）根据磁控管的结构特征确定任一时刻辅助磁极的通电方式；3）根据磁控管的运动特性设置辅助磁极不同时刻的通电组合切换规律。本发明通过在SIP溅射腔室外添加辅助磁极，产生了与磁控管形状相匹配的轴向磁场，在不同时刻采用不同的通电组合，可对不同区域提供局部轴向磁场，提高了溅射粒子的离化率，提高了离子飞向基片的准直性，减少侧壁损失，改善对高深宽比图形的镀膜效果。

公开(公告)号：CN103218498A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310153699.0

申请日：2013-04-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王人成 ,  张若凡 ,  程嘉 ,  于璐嘉 ,  柳世强 ,  何崇恺

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了磁控溅射源移动磁体运动控制技术领域中的一种磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法。包括通过仿真得到移动磁体运动经过n个位置处靶材表面上m个点的水平磁场强度；建立用于计算靶材表面m个点的等效水平磁场强度的耦合函数bsumj(ki)；根据所述耦合函数bsumj(ki)，建立用于计算靶材利用率的目标函数η(ki)；以靶材利用率最大化为优化目标，以且ki＞0为约束条件，利用优化遗传算法对所述目标函数η(ki)进行优化，得到加权系数ki的最优值；利用加权系数ki的最优值，推出移动磁体最优运动规律。本发明在实现靶材利用率最大化的同时，实现了最佳的刻蚀均匀性。