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公开(公告)号：CN113096710B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110467990.X
申请日：2021-04-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种单元电路及其动态三态内容寻址存储器。单元电路包括：写操作开关，纳米机电继电器和搜索操作开关。纳米机电继电器包括栅极、漏极和源极，其中漏极和源极之间的通断状态或阻抗状态用来表示所存储的数据。写操作开关与所述纳米机电继电器的栅极连接，以对纳米机电继电器内存储的信息进行写操作；搜索操作开关与纳米机电继电器的漏极或源极连接，用于检测输入数据是否与所述纳米机电继电器内存储的数据匹配。本发明利用纳米机电继电器有效降低了三态内容寻址存储器的写操作功耗，同时提高了三态内容寻址存储器的能量效率，是一类低功耗低延时的动态三态内容寻址存储器。
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公开(公告)号：CN111627476B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010392133.3
申请日：2020-05-11
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/409
摘要： 本发明公开了一种具有低泄漏特性器件的动态存储器及阵列电路，其中，动态存储器包括：写操作模块包括控制端、输入端和输出端，写操作模块由具有低泄漏特性的纳米机电继电器组成，以利用其低泄漏特点延长动态存储器的保持时间。写操作模块与信息存储模块的写操作端连接，用于对信息存储模块所存储的信息进行写操作；读操作模块包括控制端、输入端和输出端，读操作模块与信息存储模块的读操作端连接，用于对信息存储模块内的状态信息进行读操作；信息存储模块包括写操作端和读操作端。由此，提高了动态存储器的数据无损保持时间，从而降低了动态存储器的刷新功耗，是一类漏电小、功耗低的动态存储器。
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公开(公告)号：CN113096710A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110467990.X
申请日：2021-04-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种单元电路及其动态三态内容寻址存储器。单元电路包括：写操作开关，纳米机电继电器和搜索操作开关。纳米机电继电器包括栅极、漏极和源极，其中漏极和源极之间的通断状态或阻抗状态用来表示所存储的数据。写操作开关与所述纳米机电继电器的栅极连接，以对纳米机电继电器内存储的信息进行写操作；搜索操作开关与纳米机电继电器的漏极或源极连接，用于检测输入数据是否与所述纳米机电继电器内存储的数据匹配。本发明利用纳米机电继电器有效降低了三态内容寻址存储器的写操作功耗，同时提高了三态内容寻址存储器的能量效率，是一类低功耗低延时的动态三态内容寻址存储器。
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公开(公告)号：CN111627476A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010392133.3
申请日：2020-05-11
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/409
摘要： 本发明公开了一种具有低泄漏特性器件的动态存储器及阵列电路，其中，动态存储器包括：写操作模块包括控制端、输入端和输出端，写操作模块由具有低泄漏特性的纳米机电继电器组成，以利用其低泄漏特点延长动态存储器的保持时间。写操作模块与信息存储模块的写操作端连接，用于对信息存储模块所存储的信息进行写操作；读操作模块包括控制端、输入端和输出端，读操作模块与信息存储模块的读操作端连接，用于对信息存储模块内的状态信息进行读操作；信息存储模块包括写操作端和读操作端。由此，提高了动态存储器的数据无损保持时间，从而降低了动态存储器的刷新功耗，是一类漏电小、功耗低的动态存储器。
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