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公开(公告)号：CN111933511B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010751195.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01J49/06
Abstract: 一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中迁移区内包括由两个上下电极构成的电极对，其中一个电极为栅型平板电极，另一个为金属平板电极。在此电极对上施加非对称波形电压，会在迁移区内产生空间不均匀分布的非对称波形电场。在这种电场下，特定离子在迁移区内产生向迁移区中心面的运动趋势，即产生迁移区内的离子聚焦。迁移区内的离子聚焦使得离子在迁移区内的扩散损失降低，从而提高了离子在迁移区内的通过效率。这种离子迁移谱仪能提高仪器的灵敏度，在相同的条件下，本发明的离子迁移谱仪测得的信号强度与现有平板型非对称波形离子迁移谱仪的信号强度相比有显著提高。
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公开(公告)号：CN104538274B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410853058.0
申请日：2014-12-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种用于高场非对称波形离子迁移谱仪的分离电压施加方法，所述的方法是在平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的迁移区的两个极板上，分别施加两路不同的分离电压，其中一路分离电压由高频高压射频电压和补偿电压通过叠加电路相叠加后施加于极板；另一路分离电压由高频高压射频电压直接施加于极板；两路分离电压共同形成迁移区内部的电场；两路分离电压中的高频高压射频电压作差，形成非对称高频高压波形。该方法能有效降低每路分离电压的幅值，进而能优化高频高压射频电压产生电路的设计，对系统稳定性和电磁兼容性的改善有较大帮助，具有较强的易用性和灵活性，并且能降低系统的功耗和体积，有利于系统的微型化。
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公开(公告)号：CN112687516B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011520039.8
申请日：2020-12-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01J49/06
Abstract: 本发明提供的一种多通道高场非对称波形离子迁移管，包括迁移区以及设置在所述迁移区的输出端的检测区；所述迁移区包括柱状内电极和环状外电极，所述环状外电极套设在所述柱状内电极外，所述环状外电极与所述柱状内电极之间形成电极间隙；其中，在所述电极间隙内设置有贯穿式隔离柱，所述贯穿式隔离柱将所述电极间隙划分为至少一个迁移通道；并且，所述柱状内电极和所述环状外电极通过所述贯穿式隔离柱实现同轴设置。利用上述发明能够解决现有的圆筒型迁移管的内、外电极间隙大、离子信号较弱，且内、外电极难以保证同轴的问题。
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公开(公告)号：CN112687516A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011520039.8
申请日：2020-12-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01J49/06
Abstract: 本发明提供的一种多通道高场非对称波形离子迁移管，包括迁移区以及设置在所述迁移区的输出端的检测区；所述迁移区包括柱状内电极和环状外电极，所述环状外电极套设在所述柱状内电极外，所述环状外电极与所述柱状内电极之间形成电极间隙；其中，在所述电极间隙内设置有贯穿式隔离柱，所述贯穿式隔离柱将所述电极间隙划分为至少一个迁移通道；并且，所述柱状内电极和所述环状外电极通过所述贯穿式隔离柱实现同轴设置。利用上述发明能够解决现有的圆筒型迁移管的内、外电极间隙大、离子信号较弱，且内、外电极难以保证同轴的问题。
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公开(公告)号：CN111933511A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010751195.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01J49/06
Abstract: 一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中迁移区内包括由两个上下电极构成的电极对，其中一个电极为栅型平板电极，另一个为金属平板电极。在此电极对上施加非对称波形电压，会在迁移区内产生空间不均匀分布的非对称波形电场。在这种电场下，特定离子在迁移区内产生向迁移区中心面的运动趋势，即产生迁移区内的离子聚焦。迁移区内的离子聚焦使得离子在迁移区内的扩散损失降低，从而提高了离子在迁移区内的通过效率。这种离子迁移谱仪能提高仪器的灵敏度，在相同的条件下，本发明的离子迁移谱仪测得的信号强度与现有平板型非对称波形离子迁移谱仪的信号强度相比有显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111105984A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911356855.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中检测区由两部分组成：一部分是敏感极，作为敏感元件直接连接微弱电流检测电路，另外一部分是偏转极，用直流源来提供电压，这两部分均为导电材料。敏感极的长度小于或等于偏转电极的长度，偏转极四周封闭并嵌套在敏感极外侧，偏转极与敏感极之间留有用于气流通过的间隙。本发明提供的高场非对称波形离子迁移谱仪能大大降低外界以及偏转电极上施加的电压对敏感极的干扰，显著提高仪器的信噪比，屏蔽效果好，同时结构简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN111105984B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201911356855.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中检测区由两部分组成：一部分是敏感极，作为敏感元件直接连接微弱电流检测电路，另外一部分是偏转极，用直流源来提供电压，这两部分均为导电材料。敏感极的长度小于或等于偏转电极的长度，偏转极四周封闭并嵌套在敏感极外侧，偏转极与敏感极之间留有用于气流通过的间隙。本发明提供的高场非对称波形离子迁移谱仪能大大降低外界以及偏转电极上施加的电压对敏感极的干扰，显著提高仪器的信噪比，屏蔽效果好，同时结构简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN104538274A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410853058.0
申请日：2014-12-31
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01J49/022
Abstract: 一种用于高场非对称波形离子迁移谱仪的分离电压施加方法，所述的方法是在平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的迁移区的两个极板上，分别施加两路不同的分离电压，其中一路分离电压由高频高压射频电压和补偿电压通过叠加电路相叠加后施加于极板；另一路分离电压由高频高压射频电压直接施加于极板；两路分离电压共同形成迁移区内部的电场；两路分离电压中的高频高压射频电压作差，形成非对称高频高压波形。该方法能有效降低每路分离电压的幅值，进而能优化高频高压射频电压产生电路的设计，对系统稳定性和电磁兼容性的改善有较大帮助，具有较强的易用性和灵活性，并且能降低系统的功耗和体积，有利于系统的微型化。
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公开(公告)号：CN212934550U
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202021553116.5
申请日：2020-07-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01J49/06
Abstract: 一种高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中迁移区内包括由两个上下电极构成的电极对，其中一个电极为栅型平板电极，另一个为金属平板电极。在此电极对上施加非对称波形电压，会在迁移区内产生空间不均匀分布的非对称波形电场。在这种电场下，特定离子在迁移区内产生向迁移区中心面的运动趋势，即产生迁移区内的离子聚焦。迁移区内的离子聚焦使得离子在迁移区内的扩散损失降低，从而提高了离子在迁移区内的通过效率。这种离子迁移谱仪能提高仪器的灵敏度，在相同的条件下，本实用新型的离子迁移谱仪测得的信号强度与现有平板型非对称波形离子迁移谱仪的信号强度相比有显著提高。
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公开(公告)号：CN211295036U
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201922361770.X
申请日：2019-12-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中检测区由两部分组成：一部分是敏感极，作为敏感元件直接连接微弱电流检测电路，另外一部分是偏转极，用直流电源来提供电压，这两部分均为导电材料。敏感极的长度小于或等于偏转电极的长度，偏转极四周封闭并嵌套在敏感极外周，偏转极与敏感极之间留有用于气流通过的间隙。本实用新型提供的高场非对称波形离子迁移谱仪能大大降低外界以及偏转电极上施加的电压对敏感极的干扰，显著提高仪器的信噪比，屏蔽效果好，同时结构简单，易于集成。
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