公开(公告)号：CN103199189A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210004182.0

申请日：2012-01-09

申请人： 清华大学

发明人： 曾飞 ,  刘宏燕 ,  杨晶 ,  潘峰 ,  罗景庭

IPC分类号： H01L41/18

摘要： 本发明公开了一种共掺杂ZnO薄膜。所述ZnO薄膜由a类元素、b类元素和ZnO组成；所述a类元素为Mg和Ga中至少一种；所述b类元素为V、Cr、Fe和Mn中至少一种；所述a类元素的原子百分数为1％～3.4％，所述b类元素的原子百分数为1％～2％，Zn的原子百分数为44.6％～48％，余量为O。本发明提供的ZnO薄膜的压电系数提高到50pC/N以上，同时对可见光的透过率达到90％。

公开(公告)号：CN105483629A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410479805.9

申请日：2014-09-18

申请人： 清华大学

发明人： 曾飞 ,  刘宏燕 ,  王光月 ,  潘峰

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  C01F7/00

摘要： 本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Alx(AyB1-y)1-xNz；其中，x代表Al的摩尔分数，取值为0.85～0.95；y为0.45～0.8。本发明制备的氮化铝同时具有铁电、铁磁特性，且铁电和铁磁居里温度达到450摄氏度，通过电场可以调制磁性，也可通过磁场调控铁电性。

公开(公告)号：CN105483629B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410479805.9

申请日：2014-09-18

申请人： 清华大学

发明人： 曾飞 ,  刘宏燕 ,  王光月 ,  潘峰

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  C01F7/00

摘要： 本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Alx(AyB1‑y)1‑xNz；其中，x代表Al的摩尔分数，取值为0.85～0.95；y为0.45～0.8。本发明制备的氮化铝同时具有铁电、铁磁特性，且铁电和铁磁居里温度达到450摄氏度，通过电场可以调制磁性，也可通过磁场调控铁电性。

公开(公告)号：CN105483615B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201410478795.7

申请日：2014-09-18

申请人： 清华大学

发明人： 曾飞 ,  刘宏燕 ,  王光月 ,  潘峰

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/28 ,  C01B21/072 ,  H01F10/18

摘要： 本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中，所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料，这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好，自旋注入效率高，已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系，磁性弱且接近超顺磁特性，因此，本发明具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102945923A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210418767.7

申请日：2012-10-26

申请人： 清华大学

发明人： 潘峰 ,  唐光盛 ,  曾飞 ,  陈超 ,  刘宏燕 ,  宋成

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明公开了一种互补型阻变存储器及制备方法。该存储器，由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。其中，二氧化钛纳米存储介质层和氮氧化钛氧存储层是通过将氮化钛薄膜进行等离子体氧化的方法制备。通过电激励使氧空位在纳米存储介质层的上、下两个界面间分布，实现互补型阻变功能。本发明提供的存储器，有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的串扰问题，具有制备方法简单、成本低等特点，用于开发高存储密度、低功耗、纳米尺度非易失性阻变存储器。

公开(公告)号：CN105483615A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410478795.7

申请日：2014-09-18

申请人： 清华大学

发明人： 曾飞 ,  刘宏燕 ,  王光月 ,  潘峰

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/28 ,  C01B21/072 ,  H01F10/18

摘要： 本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中，所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料，这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好，自旋注入效率高，已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系，磁性弱且接近超顺磁特性，因此，本发明具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103199189B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201210004182.0

申请日：2012-01-09

申请人： 清华大学

发明人： 曾飞 ,  刘宏燕 ,  杨晶 ,  潘峰 ,  罗景庭

IPC分类号： H01L41/18

摘要： 本发明公开了一种共掺杂ZnO薄膜。所述ZnO薄膜由a类元素、b类元素和ZnO组成；所述a类元素为Mg和Ga中至少一种；所述b类元素为V、Cr、Fe和Mn中至少一种；所述a类元素的原子百分数为1％～3.4％，所述b类元素的原子百分数为1％～2％，Zn的原子百分数为44.6％～48％，余量为O。本发明提供的ZnO薄膜的压电系数提高到50pC/N以上，同时对可见光的透过率达到90％。

公开(公告)号：CN102242337A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110165775.0

申请日：2011-06-20

申请人： 清华大学

发明人： 潘峰 ,  刘宏燕 ,  曾飞 ,  罗景庭 ,  唐光盛

IPC分类号： C23C14/06

摘要： 本发明公开了一种具有大压电常数的AlN薄膜。所述薄膜由V和AlN组成；其中，V的原子百分数为0-11.4％，但不为0，Al的原子百分数为38.6％-50％，余量为N。本发明提供的AlN薄膜中掺V，引起晶格畸变，c常数变小，且出现了中间相，同时由于V的电负性比Al小，有利于键的转动，从而使压电常数增加，机电转换效率增大。