一种具有测量功能的高功率截束器

    公开(公告)号:CN115315056B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202210995393.9

    申请日:2022-08-18

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H05H7/00

    摘要: 本发明涉及一种截束器,包括:束流截止件,所述束流截止件具有由束流截止材料制成、能够暴露于束流来流方向的束流截止表面;保持件,所述保持件在束流截止表面以外的区域保持并接触束流截止件;冷却系统,所述冷却系统与保持件传热地连接,在束流截止件截止束流时吸收从束流截止件传导给保持件的热量;可动连接装置,所述可动连接装置以可动的方式固定保持件,以使得保持件内的束流截止件能够移动到截断或离开束流的位置;截束器壳体,所述截束器壳体容纳保持件和束流截止件,在束流方向上的两侧各具有一个通过束流孔法兰与束流通道相连接的束流孔,在不影响束流的方向上通过真空室法兰与真空泵相连且具有用于安装可动连接装置的安装法兰。

    一种实现闪光放射治疗的方法及装置

    公开(公告)号:CN117861087A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410205032.9

    申请日:2024-02-23

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: A61N5/10

    摘要: 本申请公开了一种实现闪光放射治疗的方法及装置,由于扫描的纵向方向与束流方向垂直,所以在某个横向平面层开始扫描时,其他横向平面层不会受到影响,也就是说,每个横向平面层的照射时间与其所在纵向位置无关,在确保闪疗效应的基础上,实现了对更大体积目标组织的闪疗照射。

    高纯锗探测器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117192595B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311476507.X

    申请日:2023-11-08

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01T1/24 H01L31/08 H01L31/02

    摘要: 本发明提供了一种高纯锗探测器,涉及半导体器件技术领域,该高纯锗探测器包括:高纯锗晶体;第一电极,第一电极设置于高纯锗晶体的第一表面;以及第二电极,第二电极设置于高纯锗晶体的第二表面,第一表面和第二表面为高纯锗晶体相对的表面,其中,第一电极包括:锂扩散电极,锂扩散电极设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分;第一非晶层,第一非晶层设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分;以及第一金属电极,第一金属电极设置于第一非晶层远离高纯锗晶体的一侧,其中,第一金属电极的至少一部分与锂扩散电极收集同一种载流子,从而减小了高纯锗探测器的死层厚度,可以制作精密的电极结构。

    场稳定性调谐方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114641121B

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202210287286.0

    申请日:2022-03-22

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明涉及一种阿尔瓦列兹型漂移管直线加速器的场稳定性调谐方法,其中,所述阿尔瓦列兹型漂移管直线加速器的各个加速间隙分别构成一个加速单元,该方法包括:步骤S1:为阿尔瓦列兹型漂移管直线加速器构建传输线模型,所述传输线模型将漂移管、支撑杆和杆耦合器结构等效为传输线等效电路中的阻抗参量,能够根据各杆耦合器插入深度得出直线加速器腔体的工作模式频率以及各加速单元的电场分布;步骤S2:将杆耦合器插入直线加速器的腔体,不断测量腔体的倾斜敏感度并根据基于所构建的传输线模型从当前杆耦合器插入深度出发向倾斜敏感度最小的方向进行的迭代计算结果调节杆耦合器插入深度,直至得出倾斜敏感度达到要求时的各杆耦合器插入深度。

    一种伽马辐射成像装置及成像方法

    公开(公告)号:CN111329500B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN201811559943.2

    申请日:2018-12-19

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: A61B6/00 A61B6/03 G01T1/164

    摘要: 本公开提供了一种伽马射线成像装置及成像方法,其中,所述成像装置包括多个分离的探测器。所述多个分离的探测器通过设定合适的空间位置、排布方式、探测器材料,使得从成像区域不同位置发出的射线,在到达所述多个分离的探测器中的至少一个探测器时,所经过的探测器厚度、探测器材料、探测器数目中至少有一个不同,从而达到判定射线方向的效果。本公开可以减少光子在准直器上的吸收损失,提升光子方向的判断效果和成像质量。

    交叉指型漂移管直线加速器及直线加速器系统

    公开(公告)号:CN113747651B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202111038688.9

    申请日:2021-09-06

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H05H7/22 H05H9/04

    摘要: 本发明涉及一种交叉指型漂移管直线加速器,包括:真空射频谐振腔,该真空射频谐振腔沿入射粒子束前进方向划分为若干交替的纵向加速段和横向聚焦段,且在腔体内壁上沿腔体横截面直径对称地设有一对脊结构;以及多个漂移管,该漂移管沿真空射频谐振腔中心轴线布置在腔体内部,并且依次交替地通过支撑杆与不同脊结构固接,各漂移管的轴线与真空射频谐振腔的中心轴线重合;纵向加速段中的漂移管为无磁漂移管,横向聚焦段内的漂移管为磁铁漂移管,且每个内部沿轴向设有单个梯度可调四极磁铁,各个梯度可调四极磁铁的磁中心轴线均与磁铁漂移管机械中心轴线重合,相邻各梯度可调四极磁铁以聚焦‑散焦形式交替布置。本发明还涉及一种直线加速器系统。

    探测准直单元、探测装置及SPECT成像系统

    公开(公告)号:CN114076972A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202010840410.2

    申请日:2020-08-19

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01T1/164 G01T1/202

    摘要: 本发明公开了一种探测准直单元、探测装置及SPECT成像系统,探测准直单元包括:闪烁晶体阵列,用于接收被检测物体内的放射源发射的伽马光子;若干个光电器件,用于接收伽马光子并将其转换为数字信号;闪烁晶体阵列包括若干个闪烁晶体,若干个闪烁晶体大体平行且间隔布置,每个闪烁晶体具有端面和可接收放射源发射射线的侧面;若干个光电器件耦合于若干个闪烁晶体的端面。本发明的探测准直单元可以用于取代SPECT成像时所需重金属准直器,减少伽马光子的损失,并避免伽马光子在探测准直单元内被电路板和光电器件的吸收,显著提高SPECT成像的空间分辨率和探测效率。同时还避免了在重金属准直器中加工多个小平行孔或者针孔的加工工艺难度,简化了加工工艺。

    一种能够抑制纹波的磁铁及其参数确定方法

    公开(公告)号:CN111312469A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010225694.4

    申请日:2020-03-26

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01F7/18 H05H13/04

    摘要: 本申请实施例提供一种能够抑制纹波的磁铁及其参数确定方法,所述能够抑制纹波的磁铁包括:电磁铁和阻抗网络,其中,所述阻抗网络包括:设置于所述电磁铁的铁芯上的附加线圈以及并联在所述附加线圈的两端的电阻-电容电路;所述阻抗网络被设置为当所述电磁铁的线圈通入励磁电流时,通过对所述励磁电流中所包含的电流纹波进行抑制,抑制所述电磁铁所产生的磁场中所包含的磁场纹波。如此,实现了在磁铁端抑制磁场纹波,成本较低。

    双模探测方法、控制器和系统

    公开(公告)号:CN110779939A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201810755428.5

    申请日:2018-07-11

    IPC分类号: G01N23/05 G01N23/04

    摘要: 本公开提出一种双模探测方法、控制器和系统,涉及射线检测技术领域。本公开的一种双模探测方法包括:根据X射线物体探测数据、X射线无物体探测数据、中子物体探测数据和中子无物体探测数据,确定被测物体对于中子和X射线的微分截面的比值;根据被测物体对于X射线和中子的微分截面的比值与物质类型的对应关系识别物质类型。通过这样的方法,能够实现利用中子和X射线对被测物体的双能探测,利用物质对于中子和X射线的不同的衰减能力得到核素类型,实现识别元素种类,提高探测的精确度。

    一种同步加速器及其注入装置和注入方法

    公开(公告)号:CN109379830B

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201811366873.9

    申请日:2018-11-16

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H05H13/04 H05H7/08

    摘要: 本发明公开了一种同步加速器及其注入装置和注入方法,注入装置包括上游直线节、第一偏转磁铁、注入直线节、第二偏转磁铁和下游直线节,上游直线节、第一偏转磁铁、注入直线节、第二偏转磁铁和下游直线节依次相连接,制造简单、操作方便,通过采用电荷态变化的方法突破刘维定理的限制,能够增加注入圈数、提高注入效率,从而大大提高同步加速器中质子的储存数目,可使粒子数达到2*1011以上。