公开(公告)号：CN102610543A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210016664.8

申请日：2012-01-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 程嘉 ,  王人成 ,  季林红 ,  刘伟峰 ,  王春财 ,  林嘉 ,  孙钰淳 ,  郝道欣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 用于内部稀薄气流模拟验证及压力检测的变结构真空腔室属于半导体制造设备设计技术领域。包括上盖、匀气盘、腔体、可替换内衬、内衬支架、基座、排气装置、流场检测空间以及气压检测引管，所述流场检测空间为圆柱形，圆柱体的直径可通过更换所述可替换内衬进行调节，圆柱体的高度可通过基座的升降进行调节，进而改变所述流场检测空间的结构尺寸。该结构可用于进行刻蚀、等离子体增强/化学气相沉积(PE/CVD)、物理气相沉积(PVD)以及氧化扩散工艺等具有腔室类共同特点的低压气相加工工艺试验。可以检测不同结构腔室内部空间及各气路上的压力参数，研究低压气相加工工艺中各项参数的影响规律，并可显著提高IC装备腔室部件优化设计的可信度。

公开(公告)号：CN102610543B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201210016664.8

申请日：2012-01-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 程嘉 ,  王人成 ,  季林红 ,  刘伟峰 ,  王春财 ,  林嘉 ,  孙钰淳 ,  郝道欣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 用于内部稀薄气流模拟验证及压力检测的变结构真空腔室属于半导体制造设备设计技术领域。包括上盖、匀气盘、腔体、可替换内衬、内衬支架、基座、排气装置、流场检测空间以及气压检测引管，所述流场检测空间为圆柱形，圆柱体的直径可通过更换所述可替换内衬进行调节，圆柱体的高度可通过基座的升降进行调节，进而改变所述流场检测空间的结构尺寸。该结构可用于进行刻蚀、等离子体增强/化学气相沉积(PE/CVD)、物理气相沉积(PVD)以及氧化扩散工艺等具有腔室类共同特点的低压气相加工工艺试验。可以检测不同结构腔室内部空间及各气路上的压力参数，研究低压气相加工工艺中各项参数的影响规律，并可显著提高IC装备腔室部件优化设计的可信度。