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公开(公告)号：CN1538624A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200310101664.9
申请日：2003-10-24
申请人： 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
摘要： 本发明属于接收机射频前端技术领域，涉及具有高对称性和线性度的下变频器。它由单端输入级、差分输出级及连接在其中的混频单元组成的双平衡下变频器结构；所说的差分输出级采用普通的开漏极输出结构，所说的单端输入级采用在片偏置的甲乙类单端输入结构，本发明通过引入在片偏置环路，极大地改善了该混频器的对称性和线性度。同时在片实现了输入阻抗匹配，并采用了开漏极输出。且在低电源电压和低电流消耗的条件下，达到了高转换增益、高线性度和低噪声系数等设计目标。
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公开(公告)号：CN1252912C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200310100474.5
申请日：2003-10-17
申请人： 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器，属无线通信技术领域。该射频放大器包括用于为信号放大器的输入端提供50欧姆输入阻抗的阻抗匹配电路，用于为共源输入晶体管提供负载的负载调谐回路，由负载调谐电感和节点寄生电容组成，用于为共源输入晶体管提供偏置的电阻，用于为信号放大器的输出端提供50欧姆输出阻抗的阻抗匹配电路。本发明提出的射频放大器，可以被用来作为接收机的射频低噪声放大器和发射机的前置放大器，其中射频低噪声放大器具有高增益和低增益两种工作模式，前置放大器具有很高的线性度，两种不同用途的射频放大器都实现了在片输入/输出阻抗匹配功能，可以降低射频系统的复杂性和成本。
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公开(公告)号：CN1529408A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310100474.5
申请日：2003-10-17
申请人： 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器，属无线通信技术领域。该射频放大器包括用于为信号放大器的输入端提供50欧姆输入阻抗的阻抗匹配电路，用于为共源输入晶体管提供负载的负载调谐回路，由负载调谐电感和节点寄生电容组成，用于为共源输入晶体管提供偏置的电阻，用于为信号放大器的输出端提供50欧姆输出阻抗的阻抗匹配电路。本发明提出的射频放大器，可以被用来作为接收机的射频低噪声放大器和发射机的前置放大器，其中射频低噪声放大器具有高增益和低增益两种工作模式，前置放大器具有很高的线性度，两种不同用途的射频放大器都实现了在片输入/输出阻抗匹配功能，可以降低射频系统的复杂性和成本。
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公开(公告)号：CN1540869A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200310103418.7
申请日：2003-10-31
申请人： 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
IPC分类号： H03L7/18
摘要： 本发明属于无线通信设备技术领域，涉及集成射频锁相环型频率合成器。由采用CMOS工艺集成在一个芯片上的数字单元部件，模拟单元部件和由离片元件实现的环路滤波器组成，其中，该数字单元部件包括；R可编程计数器、P可编程计数器、S可编程计数器、三线串行接口电路、移位寄存器和功耗控制器；该模拟单元包括：鉴频鉴相器、双模预分频器、压控振荡器、电荷泵和恒跨导源；本发明的参考频率、输出频率和电荷泵的电流大小都可以通过三线串行接口进行控制，而且还实现了内部压控振荡器和外部压控振荡器选择、功耗控制等功能，使得该频率合成器具有极大的适应性，可以应用于多种通信系统中。
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公开(公告)号：CN1529216A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310100475.X
申请日：2003-10-17
申请人： 清华大学 , 上海清华晶芯微电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，属电源技术领域。该电源中的启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作。启动电路包括：用于产生镜像电流的PMOS管，用于构成电流镜的两个NMOS管，一个用于启动恒电流产生电路NMOS管，，用于控制NMOS管的开启和关断的电阻。恒电流产生电路包括：用于构成电流镜的二个PMOS管，用于阻止电路中寄生振荡的电容，用于产生两个发射结电压PNP双极晶体管，用于对电压降进行差分放大的运算放大器。本参考电流源，通过对片上电阻的温度系数进行补偿实现输出电流的温度稳定，并得到非常低的温度系数；不需要外接元器件和外接信号，结构简单，占用的面积小，消耗的功率低。
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公开(公告)号：CN1303764C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200310101664.9
申请日：2003-10-24
申请人： 清华大学
摘要： 本发明属于接收机射频前端技术领域，涉及具有高对称性和线性度的下变频器。它由单端输入级、差分输出级及连接在其中的混频单元组成的双平衡下变频器结构；所说的差分输出级采用普通的开漏极输出结构，所说的单端输入级采用在片偏置的甲乙类单端输入结构，本发明通过引入在片偏置环路，极大地改善了该混频器的对称性和线性度。同时在片实现了输入阻抗匹配，并采用了开漏极输出。且在低电源电压和低电流消耗的条件下，达到了高转换增益、高线性度和低噪声系数等设计目标。
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公开(公告)号：CN1588271A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410069198.5
申请日：2004-07-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06F1/26
摘要： 本发明涉及一种微处理器多相开关电源的电流检测装置中的虚地电路，属于计算机设备技术领域。包括：用于接收与电感电流成比例的电流信号电阻；用于与NMOS管M2相匹配的NMOS管M1；用于使NMOS管M1和NMOS管M2的栅极电压相等、并连接成跟随器的运算放大器；用于保证流过NMOS管M1和NMOS管M2的电流相等的PMOS管M3、M4；用于电流取样和保持的开关S和电容C；用于将由虚地电路检测到的电流送到电路中其他模块的PMOS管M5。本发明的虚地电路，利用运算放大器、电流镜、电阻对和NMOS管对构成虚地电路，实现虚地点的虚地电压。运算放大器采用较大的输入管和负载管，因此减小了虚地电路的失调电压，提高了电感电流的检测精度。
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公开(公告)号：CN1588270A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410069196.6
申请日：2004-07-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06F1/26
摘要： 本发明涉及一种采用主从电流均分的微处理器多相开关电源，属于计算机设备技术领域。包括：用于接收PWM信号和输入电压，并输出电感电流的电压单元；用于校正输出电压的误差放大器；用于选择基准电流的电流选择器；在电流选择器中，第一种电流选择方法，用于将输入的n个电感电流，依次送到电流数据总线上，第二种电流选择方法，用于将输入的n个电感电流中的最大值送到电流数据总线上；用于对电流误差进行滤波、放大、完成电流信号到电压信号的转变，并与误差电压相叠加的电流放大器；用于比较总的误差电压和锯齿波，并输出PWM信号的比较器。本发明的多相开关电源，提供了两种主从电流选择方法，可以有效的保证各相电感电流达到平衡。
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公开(公告)号：CN100383691C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200310100475.X
申请日：2003-10-17
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，属电源技术领域。该电源中的启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作。启动电路包括：用于产生镜像电流的PMOS管，用于构成电流镜的两个NMOS管，一个用于启动恒电流产生电路NMOS管，用于控制NMOS管的开启和关断的电阻。恒电流产生电路包括：用于构成电流镜的二个PMOS管，用于阻止电路中寄生振荡的电容，用于产生两个发射结电压PNP双极晶体管，用于对电压降进行差分放大的运算放大器。本参考电流源，通过对片上电阻的温度系数进行补偿实现输出电流的温度稳定，并得到非常低的温度系数；不需要外接元器件和外接信号，结构简单，占用的面积小，消耗的功率低。
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公开(公告)号：CN1260893C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200310103418.7
申请日：2003-10-31
申请人： 清华大学
IPC分类号： H03L7/18
摘要： 本发明属于无线通信设备技术领域，涉及集成射频锁相环型频率合成器。由采用CMOS工艺集成在一个芯片上的数字单元部件，模拟单元部件和由离片元件实现的环路滤波器组成，其中，该数字单元部件包括；R可编程计数器、P可编程计数器、S可编程计数器、三线串行接口电路、移位寄存器和功耗控制器；该模拟单元包括：鉴频鉴相器、双模预分频器、压控振荡器、电荷泵和恒跨导源；本发明的参考频率、输出频率和电荷泵的电流大小都可以通过三线串行接口进行控制，而且还实现了内部压控振荡器和外部压控振荡器选择、功耗控制等功能，使得该频率合成器具有极大的适应性，可以应用于多种通信系统中。
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