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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389974B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810301207.0
申请日：2018-04-04
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明在钙钛矿成膜阶段以反溶剂为负载，在钙钛矿薄膜中加入红荧烯分子，利用旋涂法低温制备钙钛矿/红荧烯复合薄膜。本方法制备的基于红荧烯与钙钛矿超分子作用的新型复合薄膜的钙钛矿太阳能电池既限制了钙钛矿材料中阳离子的迁移，提高了钙钛矿薄膜的稳定性，同时又减少了薄膜中缺陷的产生，提高了钙钛矿中载流子传输效率，还避免了因为离子迁移所导致的器件输出效率的不稳定，提高了钙钛矿太阳能电池在工作状态下的稳定性和光电转换效率。本发明的基于超分子相互作用的钙钛矿/红荧烯新型太阳能电池具有工艺简单、稳定性好、重复性好等特点，适合于大规模推广应用等特点，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108389974A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810301207.0
申请日：2018-04-04
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明在钙钛矿成膜阶段以反溶剂为负载，在钙钛矿薄膜中加入红荧烯分子，利用旋涂法低温制备钙钛矿/红荧烯复合薄膜。本方法制备的基于红荧烯与钙钛矿超分子作用的新型复合薄膜的钙钛矿太阳能电池既限制了钙钛矿材料中阳离子的迁移，提高了钙钛矿薄膜的稳定性，同时又减少了薄膜中缺陷的产生，提高了钙钛矿中载流子传输效率，还避免了因为离子迁移所导致的器件输出效率的不稳定，提高了钙钛矿太阳能电池在工作状态下的稳定性和光电转换效率。本发明的基于超分子相互作用的钙钛矿/红荧烯新型太阳能电池具有工艺简单、稳定性好、重复性好等特点，适合于大规模推广应用等特点，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109713131A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811648978.3
申请日：2018-12-30
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，特别涉及有机无机杂化钙钛矿材料自掺杂形成的n-i-p同质结钙钛矿太阳电池及其制备方法。本发明公开了一种n-i-p同质结钙钛矿太阳电池，所述电池自下而上依次为：玻璃基底、FTO透明电极、n-i-p同质结钙钛矿层、金电极。本发明通过固相扩散对钙钛矿层两侧边缘进行自掺杂，形成n-i-p同质结钙钛矿层。该结构的形成实现了载流子的定向传输和钙钛矿太阳电池的低温、快速制备，大大简化了电池的制备工艺，并且这种n-i-p同质结钙钛矿太阳电池无需电子传输层和空穴传输层，降低了电池的制备成本，提高了电池的稳定性，具有良好的应用前景和商业潜力，有利于加快钙钛矿太阳电池的产业化进程。
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公开(公告)号：CN109713131B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811648978.3
申请日：2018-12-30
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，特别涉及有机无机杂化钙钛矿材料自掺杂形成的n‑i‑p同质结钙钛矿太阳电池及其制备方法。本发明公开了一种n‑i‑p同质结钙钛矿太阳电池，所述电池自下而上依次为：玻璃基底、FTO透明电极、n‑i‑p同质结钙钛矿层、金电极。本发明通过固相扩散对钙钛矿层两侧边缘进行自掺杂，形成n‑i‑p同质结钙钛矿层。该结构的形成实现了载流子的定向传输和钙钛矿太阳电池的低温、快速制备，大大简化了电池的制备工艺，并且这种n‑i‑p同质结钙钛矿太阳电池无需电子传输层和空穴传输层，降低了电池的制备成本，提高了电池的稳定性，具有良好的应用前景和商业潜力，有利于加快钙钛矿太阳电池的产业化进程。
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公开(公告)号：CN109713137A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811646007.5
申请日：2018-12-30
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明公开了一种新型的元素气相掺杂方法，特别涉及应用于钙钛矿太阳电池的元素气相掺杂电子传输层的制备方法。所述的元素气相掺杂方法操作简单，容易重复，掺杂元素种类多样，可实现快速均匀掺杂。其特征在于：将样品放入含有特定元素气体的腔体中加热反应，通过控制加热时间、温度以及腔体中特定元素的浓度来有效地调节掺杂量。本方法能够对钙钛矿太阳电池中的电子传输层进行多种元素的掺杂，包括氟元素、氯元素、氮元素等，通过本方法成功地制备出氮掺杂电子传输层，并将其应用于钙钛矿太阳电池中，显著地提高了钙钛矿太阳电池的电流密度和光电转换效率。
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