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公开(公告)号：CN108389974A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810301207.0
申请日：2018-04-04
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明在钙钛矿成膜阶段以反溶剂为负载，在钙钛矿薄膜中加入红荧烯分子，利用旋涂法低温制备钙钛矿/红荧烯复合薄膜。本方法制备的基于红荧烯与钙钛矿超分子作用的新型复合薄膜的钙钛矿太阳能电池既限制了钙钛矿材料中阳离子的迁移，提高了钙钛矿薄膜的稳定性，同时又减少了薄膜中缺陷的产生，提高了钙钛矿中载流子传输效率，还避免了因为离子迁移所导致的器件输出效率的不稳定，提高了钙钛矿太阳能电池在工作状态下的稳定性和光电转换效率。本发明的基于超分子相互作用的钙钛矿/红荧烯新型太阳能电池具有工艺简单、稳定性好、重复性好等特点，适合于大规模推广应用等特点，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108389974B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810301207.0
申请日：2018-04-04
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明在钙钛矿成膜阶段以反溶剂为负载，在钙钛矿薄膜中加入红荧烯分子，利用旋涂法低温制备钙钛矿/红荧烯复合薄膜。本方法制备的基于红荧烯与钙钛矿超分子作用的新型复合薄膜的钙钛矿太阳能电池既限制了钙钛矿材料中阳离子的迁移，提高了钙钛矿薄膜的稳定性，同时又减少了薄膜中缺陷的产生，提高了钙钛矿中载流子传输效率，还避免了因为离子迁移所导致的器件输出效率的不稳定，提高了钙钛矿太阳能电池在工作状态下的稳定性和光电转换效率。本发明的基于超分子相互作用的钙钛矿/红荧烯新型太阳能电池具有工艺简单、稳定性好、重复性好等特点，适合于大规模推广应用等特点，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110188480B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910471820.1
申请日：2019-05-31
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种直流偏磁条件下铁磁材料的磁滞特性模拟分析系统和方法，所述方法包括：生成一阶回转曲线，并显示所述生成的一阶回转曲线；利用生成的一阶回转曲线进行模型参数辨识和磁滞特性模拟分析。本发明仅需极限磁滞回线的实验数据，所需实验数据少，避免了复杂的实验设计和测量工作以及由此造成的低效和误差，有效提高生成的直流偏磁条件下铁磁材料一阶回转曲线及Preisach磁滞模型模拟结果的准确性。同时还可以预测高阶回转曲线，使得磁滞特性的模拟分析更加准确和多样化。
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公开(公告)号：CN110174544A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910322359.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明涉及一种变压器非对称偏磁问题的定点频域分析系统及方法，所述方法包括：根据与非对称偏磁问题相关的第一参数建立关联表达式，采用定点分析技术对所述关联表达式进行变换；根据建立的所述关联表达式，计算与非对称偏磁问题相关的第二参数；接收所述第二参数，根据所述第二参数分析所述变压器的非对称偏磁问题，得出分析结果，并将所述第二参数以及所述分析结果显示出来。本发明提供的在频域范围内非对称直流偏磁条件下的串联变压器的分析系统及方法，计算效率高，所需内存低，适用于大规模的直流偏磁分析，从而为壳式变压器的生产和制造提供重要依据。
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公开(公告)号：CN110174544B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910322359.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明涉及一种变压器非对称偏磁问题的定点频域分析系统及方法，所述方法包括：根据与非对称偏磁问题相关的第一参数建立关联表达式，采用定点分析技术对所述关联表达式进行变换；根据建立的所述关联表达式，计算与非对称偏磁问题相关的第二参数；接收所述第二参数，根据所述第二参数分析所述变压器的非对称偏磁问题，得出分析结果，并将所述第二参数以及所述分析结果显示出来。本发明提供的在频域范围内非对称直流偏磁条件下的串联变压器的分析系统及方法，计算效率高，所需内存低，适用于大规模的直流偏磁分析，从而为壳式变压器的生产和制造提供重要依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110188480A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910471820.1
申请日：2019-05-31
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种直流偏磁条件下铁磁材料的磁滞特性模拟分析系统和方法，所述方法包括：生成一阶回转曲线，并显示所述生成的一阶回转曲线；利用生成的一阶回转曲线进行模型参数辨识和磁滞特性模拟分析。本发明仅需极限磁滞回线的实验数据，所需实验数据少，避免了复杂的实验设计和测量工作以及由此造成的低效和误差，有效提高生成的直流偏磁条件下铁磁材料一阶回转曲线及Preisach磁滞模型模拟结果的准确性。同时还可以预测高阶回转曲线，使得磁滞特性的模拟分析更加准确和多样化。
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公开(公告)号：CN119662979A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411701603.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 清华大学
IPC: C22B3/44 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/58 , C23C8/10 , C23C14/04 , C23F1/36 , C22B7/00
Abstract: 本发明涉及金属制备技术领域。本发明提供了一种金属铜的制备方法，包括：S1、制备铜氧化物薄膜；S2、在所述铜氧化物薄膜的至少一侧的表面制备金属铝膜；S3、将含有所述铜氧化物薄膜和所述金属铝膜的薄膜置于碱溶液中浸泡，得到金属铜。本发明可以在室温下制备金属铜，简单便捷。
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公开(公告)号：CN119156118A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310709136.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹波探测器及探测方法。所述太赫兹波探测器包括衬底层和附着于衬底层上的反铁磁层，反铁磁层采用的材料为具有反演对称性破缺的反铁磁金属，反铁磁层采用的材料为锰金合金Mn2Au。采用本发明太赫兹波探测器探测太赫兹波时包括如下步骤：S1、将太赫兹波探测器的反铁磁层通过电极焊线连接电阻测试端；S2、将极化偏振的太赫兹波照射太赫兹波探测器的反铁磁，进而激发自旋轨道扭矩的注入，实现反铁磁中奈尔矢量的翻转，通过探测太赫兹波探测器的磁电阻的变化实现太赫兹的大小以及偏振方向的探测。本发明利用反铁磁奈尔矢量翻转变化来实现太赫兹波的探测，是基于自旋的太赫兹波发射器，具有易制备、响应快、可室温工作等特点。
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公开(公告)号：CN117362822A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311236501.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种有机半导体接枝的聚丙烯复合薄膜及其制备方法和应用。本发明第一方面提供一种有机半导体接枝的聚丙烯复合薄膜，聚丙烯的至少部分侧链上接枝有有机半导体分子；所述有机半导体分子的电导率为10‑10～100S/cm，分子量为900～1500。本发明通过有机半导体小分子对聚丙烯进行接枝，有助于降低聚丙烯薄膜在高温条件下的电导率，并提高其击穿强度和储能密度，促进电容器在更大温度范围内稳定工作。
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公开(公告)号：CN116805863A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210257387.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种高频大带宽声表面波滤波器及其制备方法。所述声表面波器件包括串联谐振器和并联谐振器，串联谐振器与并联谐振器通过汇流电极连接；串联谐振器、并联谐振器和汇流电极均设于压电基片上；并联谐振器的线宽大于串联谐振器的线宽；串联谐振器和并联谐振器中的叉指电极的厚度不同。本发明通过在串并联谐振器中采用不同厚度的电极从而保证寄生模式被排除在主谐振之外。采用本发明声表面波滤波器在超过3GHz频率下具有极大的通道带宽，并且保证了较小的插入损耗和很低的带内波动。本发明高频大带宽声表面波滤波器容易实现，易于商业推广，在移动通讯领域具有较高的应用价值。
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