大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108242505A

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201711407499.8

    申请日:2017-12-22

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L51/42 H01L51/0003 H01L51/422

    Abstract: 本发明公布了一种大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法,包括前驱体溶液的制备和基底的制备,以及将制备好的前驱体溶液喷涂到基底上,获得大晶粒钙钛矿薄膜等过程。前驱体溶液通过将钙钛矿原材料AXn和BX3-n按比例混合或者直接将钙钛矿材料ABX3溶解在NMP溶剂或NMP混合溶剂中获得。前驱体溶液喷涂到100~150℃的热基底上并保温至大晶粒钙钛矿薄膜生长,钙钛矿晶粒呈良好的取向排列。在大晶粒钙钛矿薄膜上制备空穴传输层或者电子传输层,获得大晶粒钙钛矿薄膜光电材料。本发明通过选择合适的溶剂及生长温度,获得晶粒尺寸达mm级的钙钛矿薄膜,提高了载流子迁移率,使得相应的钙钛矿薄膜光电材料具有更好的光电性能。

    大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108242505B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201711407499.8

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 本发明公布了一种大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法,包括前驱体溶液的制备和基底的制备,以及将制备好的前驱体溶液喷涂到基底上,获得大晶粒钙钛矿薄膜等过程。前驱体溶液通过将钙钛矿原材料AXn和BX3‑n按比例混合或者直接将钙钛矿材料ABX3溶解在NMP溶剂或NMP混合溶剂中获得。前驱体溶液喷涂到100~150℃的热基底上并保温至大晶粒钙钛矿薄膜生长,钙钛矿晶粒呈良好的取向排列。在大晶粒钙钛矿薄膜上制备空穴传输层或者电子传输层,获得大晶粒钙钛矿薄膜光电材料。本发明通过选择合适的溶剂及生长温度,获得晶粒尺寸达mm级的钙钛矿薄膜,提高了载流子迁移率,使得相应的钙钛矿薄膜光电材料具有更好的光电性能。

    一种基于微小液滴的晶体生长原位观测装置及其观测方法

    公开(公告)号:CN107941804A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201711165631.9

    申请日:2017-11-21

    CPC classification number: G01N21/84 G01N2021/8477

    Abstract: 一种基于微小液滴的晶体生长原位观测装置,包括液滴产生和控制单元、液滴承载平台、观测记录单元。液滴产生和控制装置包括微滴管、液滴产生控制器和滴管固定架。液滴承载平台位于微滴管下方放置载玻片。观测记录单元包括观测镜和数据采集系统,观测镜位于载玻片下方,且镜头朝向载玻片。观测镜包括显微镜或光谱仪。液滴产生和控制装置可产生体积为飞升至微升级别的微小液滴,液滴体积可通过微滴管直径和液滴产生控制器精确控制。通过在载玻片上定量喷射溶液,然后利用观测镜观测和数据采集系统记录,可以获得晶体从微小液滴中形核、长大和析出过程的形状变化及规律。本发明提供了一种简便、快速的技术手段,来实现晶体材料生长过程的原位观测。

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