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公开(公告)号：CN107255898A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710439378.5
申请日：2012-10-05
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·庄 , 弗拉基米尔·德里宾斯基
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666 , G02F1/3551 , C30B33/12 , G01N21/55
摘要： 本发明是关于非线性光学晶体的钝化。本发明的一实施例包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。
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公开(公告)号：CN107121395A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710378070.4
申请日：2017-05-25
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
CPC分类号： G01N21/171 , G01N21/23 , G01N21/39 , G01N21/47 , G01N21/49 , G01N21/84 , G01N21/8806 , G01N2021/4735 , G01N2021/8477
摘要： 一种应用于晶体缺陷测量仪的光热共路干涉模块，基于本模块的晶体缺陷测量仪通过将泵浦激光与探测激光聚焦于样品的同一点，测试样品的动态介观缺陷，通过样品的移动得到样品的动态缺陷三维分布图，本发明的光热共路干涉模块包括泵浦光源、探测光源、会聚光路、样品架、测量光路、激光功率计以及波前探测器，泵浦激光加热测试点，剩余激光由激光功率计接收，探测激光通过被加热的测试点，由于测试点的温度分布，波前发生干涉变化，透过样品的弱激光通过测量光路，照射到波前探测器，测量变化后的波前信息，通过对比计算，获得照射点的发热情况以及吸收大小。
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公开(公告)号：CN106896105A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710004551.9
申请日：2017-01-04
申请人： 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
IPC分类号： G01N21/84
CPC分类号： G01N21/84 , G01N2021/8477
摘要： 本发明属于单晶高温合金涡轮叶片制造技术，涉及一种检测单晶叶片小角度晶界取向差的方法，该方法尤其适用于15°以内的单晶叶片小角度晶界取向差检测，也可适用于15°以上大角度晶界取向差的检测。第一步：采用可显晶腐蚀剂对单晶叶片进行腐蚀；第二步：采用目视或放大镜观察沿着单晶叶片生长方向单晶叶片侧面的小角度晶界两侧一次枝晶杆；第三步：采用目视或放大镜观察垂直于单晶叶片生长方向单晶叶片横截面的小角度晶界两侧二次枝晶杆；第四步：采用公式或者计算单晶叶片小角度晶界的取向差。本发明方法根据单晶叶片的实际情况，能准确检测单晶叶片小角度晶界取向差的实际大小。该方法通过测量一次枝晶杆夹角和二次枝晶杆夹角，实际操作方便。
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公开(公告)号：CN107941804A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711165631.9
申请日：2017-11-21
申请人： 清华大学 , 深圳珈伟光伏照明股份有限公司
IPC分类号： G01N21/84
CPC分类号： G01N21/84 , G01N2021/8477
摘要： 一种基于微小液滴的晶体生长原位观测装置，包括液滴产生和控制单元、液滴承载平台、观测记录单元。液滴产生和控制装置包括微滴管、液滴产生控制器和滴管固定架。液滴承载平台位于微滴管下方放置载玻片。观测记录单元包括观测镜和数据采集系统，观测镜位于载玻片下方，且镜头朝向载玻片。观测镜包括显微镜或光谱仪。液滴产生和控制装置可产生体积为飞升至微升级别的微小液滴，液滴体积可通过微滴管直径和液滴产生控制器精确控制。通过在载玻片上定量喷射溶液，然后利用观测镜观测和数据采集系统记录，可以获得晶体从微小液滴中形核、长大和析出过程的形状变化及规律。本发明提供了一种简便、快速的技术手段，来实现晶体材料生长过程的原位观测。
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公开(公告)号：CN107202798A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710500785.2
申请日：2017-06-27
申请人： 苏州天键衡电子信息科技有限公司
发明人： 叶晓龙
CPC分类号： G01N21/94 , G01N21/47 , G01N21/4738 , G01N21/84 , G01N21/8806 , G01N2021/4735 , G01N2021/8477 , G01N2201/06113 , G01N2201/062
摘要： 本发明提供一种表面污浊度检测仪，其特征在于，包括盒体、光源及接收镜头，所述盒体设有电源、信号处理系统、检测室及按钮；所述检测内设有对称的V型光道，所述光源与接收镜头分别设置于V型光道末端，所述V型光道底部设有检测口。使用时，先设定标准值或对清理过的表面进行采样作为标准值，将检测口压紧待测表面防止漏光，按下发射按钮，光源发光通过待测表面反射光线被接收镜头接收，并记录数据。污浊表面会产生更多的漫反射，通过对比数据的方式确定清洁度。
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公开(公告)号：CN103928363A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410146800.4
申请日：2014-04-11
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/0004 , G01N21/4738 , G01N21/55 , G01N21/84 , G01N21/9501 , G01N2021/8477 , G06K9/4661 , G06T7/10 , G06T2207/10152 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L29/045 , H04N5/2256 , H04N5/2258
摘要： 本发明提出一种硅片晶向检测方法及检测装置。根据本发明的一种方法：采取摄像装置（包括光源，一个或多个摄像探头）在不同角方向旋转照射硅片并获得相应的反射强度，依此为感兴趣的晶粒在极坐标系中绘制出反射曲线；通过在反射曲线中标识出像素亮度极值，来确定晶粒 正八面体的三个或更多个面的法向，进而计算出所有正八面体法向量，由此就可计算出感兴趣晶粒的晶向。
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公开(公告)号：CN1532542A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410008911.5
申请日：2004-03-15
申请人： 光子动力学公司
发明人： 亚当·韦斯 , 阿夫沙尔·萨兰勒 , 奥利克西·洛帕廷 , 亚历山德雷·奥博特耐
IPC分类号： G01N21/95
CPC分类号： G01N21/95623 , G01N21/21 , G01N2021/1772 , G01N2021/8477 , G01N2201/0612 , G01N2201/0675
摘要： 在用于检测带有周期性结构的平面对象的检测系统中，远心透镜系统的焦平面中的可编程光学傅立叶过滤器被用于直接识别指明非周期性缺陷的物理现象。透镜组件和相干光源被用于产生和观察傅立叶平面内的周期性结构的空间傅立叶变换。使用电可编程和电可对准空间光调制器，光学傅立叶过滤(OFF)在聚焦平面内被完成，带有高的信噪比的空间光调制器根据反馈驱动、过滤器结构和对准算法被重新配置。OFF增强了在傅立叶平面和目标的最终图像平面内出现的任何非周期性成分。带有多个检测通道的系统提供了带有小的非周期性缺陷的目标的高通量检测，同时维持高的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN109030487A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201710427441.3
申请日：2017-06-08
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01N21/84
CPC分类号： G01N21/84 , G01N2021/8477
摘要： 本发明提供了一种取向硅钢成品板二次再结晶平均晶粒尺寸的测量方法，其中，以圆形表征晶粒的形状，以平均晶粒的直径表征晶粒尺寸，该方法包括如下步骤：于溶液中宏观侵蚀尺寸为a×b的m片取向硅钢成品板；记录单片取向硅钢成品板的平均晶粒数N；计算取向硅钢成品板二次再结晶的晶粒平均面积；确定直径D；本发明提供的测量方法简单、准确性高、误差小，适用范围广。
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公开(公告)号：CN103928363B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410146800.4
申请日：2014-04-11
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/0004 , G01N21/4738 , G01N21/55 , G01N21/84 , G01N21/9501 , G01N2021/8477 , G06K9/4661 , G06T7/10 , G06T2207/10152 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L29/045 , H04N5/2256 , H04N5/2258
摘要： 本发明提出一种硅片晶向检测方法及检测装置。根据本发明的一种方法：采取摄像装置（包括光源，一个或多个摄像探头）在不同角方向旋转照射硅片并获得相应的反射强度，依此为感兴趣的晶粒在极坐标系中绘制出反射曲线；通过在反射曲线中标识出像素亮度极值，来确定晶粒 正八面体的三个或更多个面的法向，进而计算出所有正八面体法向量，由此就可计算出感兴趣晶粒的晶向。
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公开(公告)号：CN105189814A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025680.0
申请日：2014-04-10
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 弗拉基米尔·德里宾斯基 , 勇-霍·亚历克斯·庄
CPC分类号： C30B33/02 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G01N21/87 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/8477 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024
摘要： 供在检查工具中使用的非线性光学晶体的钝化包含：在存在氟、氟化物离子及含氟化物化合物中的至少一者的情况下生长非线性光学晶体；机械地制备所述非线性光学晶体；对所述非线性光学晶体执行退火过程；及将所述非线性光学晶体暴露于含氢或含氘钝化气体。
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