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公开(公告)号：CN103613377B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310617065.6
申请日：2013-11-27
申请人： 清华大学深圳研究生院 , 清华大学
IPC分类号： C04B35/45 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种稀土钡铜氧高温超导膜的制备方法，包括：a)将稀土金属盐、钡盐、铜盐和掺杂元素化合物按比例称量分散于溶剂中，得前驱物，掺杂元素化合物在300-650℃和氧气氛围下能生成掺杂元素的氧化物；b)将前驱物涂于基底上形成前驱膜；c)前驱膜置入热处理炉中，通入氧气，炉温升至300-650℃并保温0-5小时，并在炉温达到80-120℃时通入水蒸气直到完成热分解；d)通入氧氮混合气和水蒸气，将炉温升至700-825℃并保温20-250分钟，在保温时间的最后1-30%时间内，停止通入水蒸气；e)在干燥的氧气下，将炉温降至400-500℃并保温0-240分钟，得到产品。本发明得到的稀土钡铜氧高温超导膜的厚度在300nm以上，超导临界温度高于90K，在77K温度、自场条件下的临界电流密度高于1mA/cm2。
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公开(公告)号：CN103086722A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310037983.1
申请日：2013-01-31
申请人： 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/45 , C04B35/50
摘要： 本发明涉及一种高温超导膜的制备方法，其包括以下具体步骤：将稀土金属盐、钡盐和铜盐按比例称量并分散于一溶剂中，配制得到一前驱物母体；在该前驱物母体中加入一聚合物，搅拌后得到一改性前驱物；提供一基底，将所述改性前驱物涂覆于该基底上形成一前驱膜；将该前驱膜置入一热处理炉中，将炉温快速升至300℃-650℃并保温0分钟-60分钟；将炉温升至730℃-825℃并保温20分钟-250分钟；以及将炉温降至400℃-500℃并保温0分钟-240分钟。本发明方法不仅能制得表面致密平整、超导性能优良的高温超导膜，而且能大幅提高高温超导膜的制备速率。
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公开(公告)号：CN103435338A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310354477.5
申请日：2013-08-14
申请人： 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC分类号： C04B35/45 , C04B35/622
摘要： 本发明属于高温超导材料技术领域，特别涉及一种控制前驱物氟钡比制备高温超导膜的方法。本发明使用的前驱物中含氟量极低，氟与钡两种元素的摩尔比在2～4之间可以连续控制。本方法能够控制前驱物中的氟含量从而控制热处理过程中液相的生成量，以避免前驱物与基底或过渡层的反应，也可以避免与液相有关的第二相的产生，保证最终超导膜的高性能。同时，本发明方法能够保证热处理过程中钡元素完全转化为氟化钡，从而避免对超导膜性能有害的碳酸钡的形成。相对于传统的含氟化学溶液沉积法，本方法的前驱物中含氟量大幅度降低，减少了热处理过程中含氟气体的生成，既有利于缩短热处理时间，也可以减少对环境的危害。
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公开(公告)号：CN103086722B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310037983.1
申请日：2013-01-31
申请人： 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/45 , C04B35/50
摘要： 本发明涉及一种高温超导膜的制备方法，其包括以下具体步骤：将稀土金属盐、钡盐和铜盐按比例称量并分散于一溶剂中，配制得到一前驱物母体；在该前驱物母体中加入一聚合物，搅拌后得到一改性前驱物；提供一基底，将所述改性前驱物涂覆于该基底上形成一前驱膜；将该前驱膜置入一热处理炉中，将炉温快速升至300℃-650℃并保温0分钟-60分钟；将炉温升至730℃-825℃并保温20分钟-250分钟；以及将炉温降至400℃-500℃并保温0分钟-240分钟。本发明方法不仅能制得表面致密平整、超导性能优良的高温超导膜，而且能大幅提高高温超导膜的制备速率。
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公开(公告)号：CN103435338B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310354477.5
申请日：2013-08-14
申请人： 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC分类号： C04B35/45 , C04B35/622
摘要： 本发明属于高温超导材料技术领域，特别涉及一种控制前驱物氟钡比制备高温超导膜的方法。本发明使用的前驱物中含氟量极低，氟与钡两种元素的摩尔比在2～4之间可以连续控制。本方法能够控制前驱物中的氟含量从而控制热处理过程中液相的生成量，以避免前驱物与基底或过渡层的反应，也可以避免与液相有关的第二相的产生，保证最终超导膜的高性能。同时，本发明方法能够保证热处理过程中钡元素完全转化为氟化钡，从而避免对超导膜性能有害的碳酸钡的形成。相对于传统的含氟化学溶液沉积法，本方法的前驱物中含氟量大幅度降低，减少了热处理过程中含氟气体的生成，既有利于缩短热处理时间，也可以减少对环境的危害。
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公开(公告)号：CN103613377A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310617065.6
申请日：2013-11-27
申请人： 清华大学深圳研究生院 , 清华大学
IPC分类号： C04B35/45 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种稀土钡铜氧高温超导膜的制备方法，包括：a)将稀土金属盐、钡盐、铜盐和掺杂元素化合物按比例称量分散于溶剂中，得前驱物，掺杂元素化合物在300-650℃和氧气氛围下能生成掺杂元素的氧化物；b)将前驱物涂于基底上形成前驱膜；c)前驱膜置入热处理炉中，通入氧气，炉温升至300-650℃并保温0-5小时，并在炉温达到80-120℃时通入水蒸气直到完成热分解；d)通入氧氮混合气和水蒸气，将炉温升至700-825℃并保温20-250分钟，在保温时间的最后1-30%时间内，停止通入水蒸气；e)在干燥的氧气下，将炉温降至400-500℃并保温0-240分钟，得到产品。本发明得到的稀土钡铜氧高温超导膜的厚度在300nm以上，超导临界温度高于90K，在77K温度、自场条件下的临界电流密度高于1mA/cm2。
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公开(公告)号：CN108565067A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810055537.6
申请日：2018-01-19
申请人： 清华大学深圳研究生院
IPC分类号： H01B13/00
CPC分类号： H01B13/0026
摘要： 本发明公开了多层复合结构稀土钡铜氧超导膜及其制备方法，该制备方法包括：在基底上交替沉积REBa1+xCuO7-y膜和金属层，形成的超导膜表示为(REBa1+xCuO7-y/M)n，其中RE为稀土元素，M表示金属层，0.5≤x≤1,0
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公开(公告)号：CN113327734B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110523961.0
申请日：2021-05-13
申请人： 佛山华骏特瓷科技有限公司 , 清华大学深圳国际研究生院
摘要： 本公开提供了一种电阻片制备方法，通过计算低气压变量控制陶瓷样品的闪络电压，从而达到降低闪烧失败率及降低电源性能需求度的效果。所述方法中，先按比称重配料进行球磨，把球磨得到的浆料进行干燥并研磨，将研磨得到的材料进行造粒过筛、压片成型为生坯，坯体两端涂上导电银浆，进行低气压闪烧。相比现有的压敏陶瓷电阻片制备技术，有三个优点，1）实现通过气压调整闪烧的可控性，2）降低闪烧失败率，3）降低电源性能需求度。
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公开(公告)号：CN113307624B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110522622.0
申请日：2021-05-13
申请人： 佛山华骏特瓷科技有限公司 , 清华大学深圳国际研究生院
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种陶瓷室温烧结方法，其特点在于计算气压变量控制陶瓷室温闪烧的局部电介质击穿。混合原材料，并将混合材料压制为成型生坯；将成型生坯加热去其中的除粘合剂，进行干燥并持续加热得到陶瓷生坯；在陶瓷生坯两端涂上银浆以降低与电路的接触电阻，并烘烤固化银浆，得到固化陶瓷胚体；将固化陶瓷胚体置于真空室中，以铜线连接高压交流电源准备闪烧；在闪烧过程中，于固化陶瓷胚体和真空室底部中间放置一块刚玉板进行绝缘，并将高压电阻器与样品和电源串联；通过调整烧制气压值、电压及电流，调整陶瓷材料室温闪烧的局部电介质击穿。并且，具有如下2个优势：（1）增加陶瓷样本相对密度；（2）减少陶瓷样本平均晶粒尺寸的效果。
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