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公开(公告)号:CN107084801A
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201710511948.7
申请日:2017-06-27
申请人: 深圳市刷新智能电子有限公司
摘要: 本发明涉及一种可以迅速响应的高精度集成式热敏电路,包括热敏电阻单元和2层以上的陶瓷基层,热敏电阻单元的数量在2个以上,热敏电阻单元呈线状分布于层中,至少2个热敏电阻单元位于不同的层,层指陶瓷基层的上部、下部或嵌入陶瓷基层中。热敏电阻单元采用线状结构,以陶瓷基作为基材,使得温度传输的路径比较短、传热快、中间热损失比较小,使得测温误差比较小;当陶瓷基层的厚度和材料确定后,根据热传导公式,在设定时间差内,层间温差与表面温度之间有确定的关系,通过位于不同的层的2个热敏电阻单元可以知道层间温差,从而可以迅速的判定表面温度,进而能够确定与传感器表面接触处的温度。本发明还提供了上述热敏电路的制造方法。
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公开(公告)号:CN107010944A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201710315872.0
申请日:2017-05-08
申请人: 句容市博远电子有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , H01C7/02 , H01C17/30
CPC分类号: C04B35/468 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01C7/025 , H01C17/30
摘要: 本发明涉及一种PTC热敏电阻,包括如下原料:以原料总重为100%计,包括33.46%TiO2,5.72%Pb3O4,56.86%BaCO3,1.94%CaCO3,0.38%La2O3,0.03%Nb2O5,1.36%Mn(NO3)2和0.25%SiO2。本发明的备方法简单,操作方便,制得的PTC热敏电阻具有高居里点,并且耐压能力高。
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公开(公告)号:CN106876069A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201710145394.3
申请日:2017-03-13
申请人: 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要: 本发明涉及锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法。该方法首先以硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴的两种或三种作为金属离子源,草酸二乙脂作为反应沉淀剂,氨水或氢氧化钠作为配位剂,进行化学沉淀反应,然后将沉淀产物经抽滤洗涤、干燥研磨、煅烧研磨后得到锰、镍、钴基二元或三元热敏电阻粉体材料。该方法具有操作简便、成本低、周期短、产率高的特点,所得热敏电阻粉体为尖晶石结构,粒径小、形状好、分散性好、品质好。
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公开(公告)号:CN106601394A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611237308.3
申请日:2016-12-28
申请人: 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
CPC分类号: H01C7/112 , H01C7/12 , H01C17/006 , H01C17/28 , H01C17/30
摘要: 一种高电压梯度氧化锌电阻片,其特征在于,其配方包括ZnO,Bi2O3,Sb2O3,MnCO3,Cr2O3,Co2O3,SiO2,Al(NO3)3,Ag2O,Ni2o3所述配方中各成分的摩尔百分份数为ZnO‑95.05份,Bi2O3‑0.7份,Sb2O3‑1.0份,MnCO3‑0.75份,Cr2O3‑0.5份,Co2O3‑1.5份,SiO2‑1.25份,Al(NO3)3‑0.01份,Ag2O‑0.01份,Ni2o3‑0.5份。其有益效果是:电阻片柱高度降低后,电阻片柱的电位分布得到改善,能够提高避雷器的保护性能、运行寿命和安全可靠性。
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公开(公告)号:CN106448983A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610931259.7
申请日:2016-10-31
申请人: 杨德厚
摘要: 本发明公开了一种大功率无感合成电阻的制备方法,包括如下步骤:1)预处理:分别按质量百分比将莫来石、黏土、滑石、硼酸、碳酸钡和再结晶石墨烘干;2)分别称取步骤1)中所述经预处理的莫来石、黏土、滑石、硼酸和碳酸钡,同时放入搅拌机混合≧30分钟,得初混物料;3)称取步骤1)中经预处理的再结晶石墨,将步骤2)中的初混物料同再结晶石墨放入干式球磨机内干混磨≥60分钟,出料加湿捆料,成型,入匣钵填满1:1石墨和活性炭的混合物封盖密封埋烧,出窑制电极,上釉,热稳定,测电阻,组装,得大功率无感合成电阻产品。本发明的制备方法更易控制,简单,成品率更高,提高电气稳定性,达到优异的电力电气使用性能。
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公开(公告)号:CN106336210A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610744340.4
申请日:2016-08-28
申请人: 广西小草信息产业有限责任公司
IPC分类号: C04B35/36 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/634 , H01C7/04 , H01C17/30
CPC分类号: C04B35/265 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/63416 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/60 , H01C7/043 , H01C17/006 , H01C17/30
摘要: 本发明涉及一种用于集成系统的芯片,由如下重量份数的组分制成:Mn3O45-10份、Co2O34-10份、NiO 8-12份、Fe2O34-8份、MnO25-9份、CuO6-8份、SiO25-9份和聚甲基丙烯酸甲酯3-7份。本发明的有益效果是:该芯片在反复通过电流时不易被击穿,有效延长其使用寿命。
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公开(公告)号:CN106098140A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610342981.7
申请日:2016-05-23
申请人: 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种基于不锈钢基材的PTC热敏电阻浆料及其制备方法,该PTC热敏电阻浆料包括无机粘接相、复合功能相、有机载体,无机粘接相为由SiO2、MgO、B2O3、A12O3、Bi2O3、稀土氧化物、晶核剂所组成的无铅微晶玻璃粉,复合功能相为由微米银粉、纳米银粉、掺杂钌酸铜粉所组成的复合粉,有机载体为由有机溶剂、高分子增稠剂、分散剂、消泡剂、触变剂所组成的混合物;该PTC热敏电阻浆料方阻高且可调、电阻温度系数高且可调、印刷特性及烧成特性优良且能与绝缘化不锈钢基材相匹配。该制备方法依次包括制备无机粘接相、制备复合功能相、制备有机载体、电阻浆料制备,该制备方法能有效生产制备上述PTC热敏电阻浆料。
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公开(公告)号:CN105390222A
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201510850695.7
申请日:2015-11-30
申请人: 合保电气(芜湖)有限公司
发明人: 郑伟
IPC分类号: H01C17/30
CPC分类号: H01C17/30
摘要: 本发明提供一种避雷器电阻片烘烤装置,包括机体,所述机体内部设置有放置台,所述机体内部设置有加热装置,所述加热装置设置在机体内壁上,所述放置台上设置有夹紧装置,所述放置台两端设置有转动装置,所述放置台通过转动装置连接在机体内部,所述放置台上设置有吹风装置,所述吹风装置正对夹紧装置设置。通过放置台上的夹紧装置对电阻片进行固定,并通过转动装置带动放置台转动,对电阻片均匀加热烘烤,并且设置吹风装置对电阻片进行热风烘烤,提高电阻片的烘烤效率,设置温度检测装置和辅助控温装置,对机体内的温度精确控制,提高电阻片的性能。
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公开(公告)号:CN1694187A
公开(公告)日:2005-11-09
申请号:CN200510017658.4
申请日:2005-06-03
申请人: 河南金冠王码信息产业股份有限公司
IPC分类号: H01C7/112
摘要: 本发明公开了一种纳米材料制备的多层片式ZnO压敏电阻器,一种纳米材料制备的ZnO瓷料和内电极层交错排布共同烧结而成,其主要特点是ZnO瓷料的主体材料的颗粒形貌为球形或近似球形,平均粒径为1~99nm的ZnO纳米粉体,加入3~8%(摩尔百分比)的颗粒形貌为球形或近似球形的纳米粉体添加剂,所述的内电极层是钯/银内电极层,其中钯的比例占钯/银内电极重量的11~25%,银的比例占钯/银内电极重量的75~89%,该ZnO瓷料和钯/银内电级层交错排布,并在950~1100℃的温度范围内烧结而成。本发明还公开了一种上述纳米材料制备的多层片式ZnO压敏电阻器的制造方法。本发明制备的1005规格的多层片式ZnO压敏电阻器的非线性系数α大于20,漏电流IL小于2.0微安。
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公开(公告)号:CN1237265A
公开(公告)日:1999-12-01
申请号:CN98801276.6
申请日:1998-09-02
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01C7/02
CPC分类号: C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , H01C7/022 , H01C7/025 , H01C17/06553 , H01C17/30
摘要: 本发明的正特性半导体陶瓷的制造方法,由于其构成为准备以实质上不含有Si的BaTiO3为主成分的钛酸钡系半导体的主组合物的焙烧物,分别准备Ba2TiSi2O8和BanTimOn+2m(1≤n≤4,2≤m≤13,n
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