-
公开(公告)号：CN1897205A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200510036032.8
申请日：2005-07-15
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2329/00
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管阵列发射元件，其包括一阴极基底；及一位于该阴极基底上的碳纳米管阵列切片。该碳纳米管阵列切片包括大量基本相互平行的碳纳米管片段，该大量碳纳米管片段具有一第一端部及与该第一端部相对的第二端部，该第一端部作为发射端，且该发射端基本位于同一平面，该第二端部与阴极基底形成电连接。由于该碳纳米管阵列发射元件采用碳纳米管阵列切片，而非采用在阴极基底上通过CVD法直接生长的碳纳米管阵列。因此，阴极基底的选材可不受CVD法生长碳纳米管阵列的温度限制；进而使得该阴极基底的材料选择范围较广。且其可具场发射均匀性好及碳纳米管利用效率高等特点。本发明还提供该碳纳米管阵列发射元件的制作方法。
-
公开(公告)号：CN1837147A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510033841.3
申请日：2005-03-24
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C04B35/52
CPC分类号： H01L23/373 , H01L23/3677 , H01L2924/0002 , Y10T428/25 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种热界面材料，其包括：一聚合物材料以及分布于该聚合物材料中的多个碳纳米管，该热界面材料形成有一第一表面及相对于第一表面的第二表面，所述多个碳纳米管两端分别伸出所述热界面材料的第一表面及第二表面。本发明还提供所述热界面材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN100337981C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200510033840.9
申请日：2005-03-24
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C04B35/52
CPC分类号： H01L23/373 , F28D20/02 , F28F13/00 , F28F21/02 , F28F2013/006 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , Y02E60/145 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种热界面材料，其包括一基体以及分散在基体中的多个碳纳米管，所述基体包括一第一表面和相对于第一表面的第二表面，所述多个碳纳米管分别从基体的第一表面延伸至第二表面，且多个碳纳米管从至少一表面伸出，所述至少一表面形成有相变材料层。本发明所提供的热界面材料包括多个碳纳米管，且多个碳纳米管至少一端伸出基体，可在导热界面形成一定向导热通道，极大地减小导热界面间热阻；并利用一相变材料，进一步减小导热界面的热阻，提高热界面材料的导热效率。
-
公开(公告)号：CN1683611A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410026918.X
申请日：2004-04-15
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： D01D5/00
摘要： 本发明涉及一种高分子及其复合材料的纺丝方法，用于解决现有技术中纺丝方法操作复杂、所得丝线纤度有限且连续性差的问题。本发明提供的一种纺丝方法，包括步骤：将一高分子材料与一用于稀释和分散的溶剂混合以形成一混合液；提供一含极性分子且与该混合液不易相溶的液体；将该混合液加入该液体并使其在该液体表面形成一薄膜；提供一具有一尖端的提拉器件，用其尖端接触该薄膜并提拉该提拉器件使得从该混合液中拉出丝线。
-
公开(公告)号：CN1676568A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410026778.6
申请日：2004-04-02
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01L23/373 , B82Y30/00 , H01L2924/0002 , Y10S977/712 , Y10S977/735 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/842 , Y10S977/848 , Y10S977/855 , Y10S977/856 , H01L2924/00
摘要： 一种热界面材料，其包括一高分子材料以及分布在该高分子材料中的多个碳纳米管，该热界面材料形成有一第一表面及相对于第一表面的第二表面，该碳纳米管两端开口，在该高分子材料中均匀分布并且沿热界面材料的第一表面向第二表面延伸。本发明还提供此种热界面材料的制造方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；将碳纳米管阵列浸润于液相高分子体系；使液相高分子体系转化为固相，生成分布有碳纳米管的高分子复合材料；在碳纳米管阵列预定高度，并沿垂直碳纳米管阵列轴向的方向切割该高分子复合材料，去除碳纳米管阵列顶端的高分子材料并使得碳纳米管尖端开口；按照预定厚度切割上述高分子复合材料，形成热界面材料。
-
公开(公告)号：CN1891780B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200510035752.2
申请日：2005-07-01
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C09K5/00
CPC分类号： C09K5/14 , H01L2924/0002 , Y10S977/742 , Y10T428/30 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种热界面材料，其包括：多个碳纳米管；填充于所述多个碳纳米管之间的聚合物材料；以及至少一个与所述多个碳纳米管末端相连的热流收集极。所述热流收集极可减小所述碳纳米管与散热器或发热元件表面之间的接触热阻，有利于更好的发挥碳纳米管的导热特性。本发明还提供所述热界面材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN1296994C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN02152003.8
申请日：2002-11-14
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , F28D21/00
CPC分类号： B82Y30/00 , C08K3/041 , C08K2201/011 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , Y10S977/753 , H01L2924/00 , C08L75/08
摘要： 本发明是关于一种热界面材料，该热界面材料包括一聚合物材料和分布于该聚合物材料中的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列在垂直热界面材料方向形成导热通道，得到导热系数极高的热界面材料。另外，本发明还提供了该热界面材料的制造方法。
-
公开(公告)号：CN1296436C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200410027632.3
申请日：2004-06-07
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C08L101/00 , C08K3/04
CPC分类号： B29C70/62 , B29C47/0004 , B29C47/0014 , B29C47/0023 , B29K2105/06 , B29K2105/162 , B82Y30/00 , C08J5/005 , C08J2363/00 , C08J2375/04 , C08K7/24 , C08K2201/011
摘要： 一种基于碳纳米管的复合材料的制备方法，其包括以下步骤：制备一种预聚物溶液或预聚物单体溶液；将碳纳米管加入上述溶液，用超声波清洗一段时间；加入引发剂，使预聚物溶液或预聚物单体溶液发生反应而聚合；将聚合后的聚合物放到挤出设备中挤出；将挤出物进行拉伸，得到含有整齐排列碳纳米管的复合材料。
-
公开(公告)号：CN1837146A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510033840.9
申请日：2005-03-24
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C04B35/52
CPC分类号： H01L23/373 , F28D20/02 , F28F13/00 , F28F21/02 , F28F2013/006 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , Y02E60/145 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种热界面材料，其包括一基体以及分散在基体中的多个碳纳米管，所述基体包括一第一表面和相对于第一表面的第二表面，所述多个碳纳米管分别从基体的第一表面延伸至第二表面，且多个碳纳米管从至少一表面伸出，所述至少一表面形成有相变材料层。本发明所提供的热界面材料包括多个碳纳米管，且多个碳纳米管至少一端伸出基体，可在导热界面形成一定向导热通道，极大地减小导热界面间热阻；并利用一相变材料，进一步减小导热界面的热阻，提高热界面材料的导热效率。
-
公开(公告)号：CN1897205B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200510036032.8
申请日：2005-07-15
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2329/00
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管阵列发射元件，其包括一阴极基底；及一位于该阴极基底上的碳纳米管阵列切片。该碳纳米管阵列切片包括大量基本相互平行的碳纳米管片段，该大量碳纳米管片段具有一第一端部及与该第一端部相对的第二端部，该第一端部作为发射端，且该发射端基本位于同一平面，该第二端部与阴极基底形成电连接。由于该碳纳米管阵列发射元件采用碳纳米管阵列切片，而非采用在阴极基底上通过CVD法直接生长的碳纳米管阵列，所述碳纳米管片段均两端开口。因此，阴极基底的选材可不受CVD法生长碳纳米管阵列的温度限制；进而使得该阴极基底的材料选择范围较广。且其可具场发射均匀性好及碳纳米管利用效率高等特点。本发明还提供该碳纳米管阵列发射元件的制作方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
48 条记录 (耗时 0.08 秒)
