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公开(公告)号：CN112584607A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011419622.X
申请日：2020-12-06
申请人： 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓半导体器件，具体涉及半导体技术领域，包括器件主体，所述器件主体的内壁上设置有防水结构，所述器件主体内部的四周设置有加强结构，所述器件主体内部的一端固定连接有电路板，所述器件主体的顶端固定连接有四组连接块，所述器件主体内部的底端固定连接有放置座。本发明通过设置有内层体、加强板、中层体和连接座，使用时，器件主体的内部设置有中层体和内层体，中层体和内层体形成双层的结构，增加了器件主体的结构强度，并且在中层体和内层体之间通过连接座横向设置有加强板，加强了结构的强度，加强板和连接座连接在一起，结构稳定，避免在使用过程中发生脱落，增加了器件的使用效果。
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公开(公告)号：CN114924174A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210233509.5
申请日：2022-03-10
申请人： 清华大学无锡应用技术研究院 , 无锡麟力科技有限公司
摘要： 本发明提供智能化的功率器件测试装置，包括测试基座，支撑座，凹槽，测试片，缓冲块，可调节旋转防尘板结构，调节现场探测检测灯管结构和抽拉式检测防混淆标记片结构，所述的测试基座底部螺钉连接有支撑座；所述的测试基座内部上侧左右两部均开设有凹槽；所述的凹槽内部左右两壁均设置测试片；所述的测试基座顶部中间部位螺钉连接有缓冲块；所述的可调节旋转防尘板结构和调节现场探测检测灯管结构相连接。本发明支撑杆，旋转管，调节螺栓和防尘板体的设置，有利于起到防尘作用，方便操作；调节杆，固定管，翼形螺钉，灯座，探照灯管和灯罩的设置，有利于起到现场探测检测功能，便于进行测试操作。
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公开(公告)号：CN112095140A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010773368.7
申请日：2020-08-04
申请人： 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，驱动装置内腔的内壁固定设置有隔板，隔板的表面固定设置有加热层，反应罐内腔的内壁固定设置有驱动装置，通孔的内腔固定设置有夹持机构，坩埚的表面固定开设有连接口，进液阀的一端贯穿反应罐、隔板和滑轨的表面，并与连接口活动连接，本发明涉及氮化镓生长技术领域，该利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，解决了无法进行多个氮化镓晶体来进行共同的生长，无法对氮化镓晶体在坩埚内腔的溶液中进行位置的调整，不能保证晶种模版一直处在最佳的生长环境，不利于提高氮化镓晶体生长效率和生长质量，无法对坩埚进行清理和对大小不同的晶体进行夹持的问题。
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公开(公告)号：CN112626464B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011419636.1
申请日：2020-12-06
申请人： 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
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公开(公告)号：CN112133808B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010775492.7
申请日：2020-08-05
申请人： 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构，包括安装座、固定座和芯片板，安装座的底部贯穿固定座的顶部并延伸至固定座的内腔，固定座的内腔开设有与安装座的表面适配的安装槽，安装座的内腔与芯片板的表面活动连接，本发明涉及芯片封装结构技术领域。该全彩氮化镓基芯片立式封装结构，在对芯片板进行安装时，将芯片板和固定架均插接进安装座内，然后在固定架与安装座之间的缝隙里填充封装胶，将固定架和安装座之间胶合住，然后将支撑架套设在芯片板表面，将支撑架插接进支撑槽内，通过支撑架对芯片板进行支撑限位，可以快速对芯片板进行封装，使得封装效率大大提高，封装工艺简化，操作简单，使用效果好。
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公开(公告)号：CN111968952B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010774407.5
申请日：2020-08-04
申请人： 清华大学无锡应用技术研究院
IPC分类号： H01L23/467 , H01L23/40 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板、安装底座，所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板，所述顶板上设置有移动散热机构，散热底板上设置有卡紧安装机构，本发明涉及大功率芯片技术领域。该氮化镓基大功率芯片散热结构，通过驱动电机、驱动轴、转盘、第一齿牙、第二齿牙的配合，便于带动回形框左右往复运动，进一步可带动移动风扇左右运动，能对芯片整体进行散热，且通过移动风扇的左右移动，可防止芯片表面积累灰层，使得散热效果更佳。
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公开(公告)号：CN112076608B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010775497.X
申请日：2020-08-05
申请人： 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓生产炉废氨气回收装置，包括热量回收箱、氨气回收箱、抽液泵和储液箱，所述抽液泵的右侧连通有吸液管，所述抽液泵的顶部固定连接有输液管，所述混合吸收层内腔的右侧固定连接有三号机械箱，所述混合吸收层内腔的左侧固定连接有混合池，所述三号机械箱内腔的底部固定连接有抽气泵，本发明涉及废气回收利用技术领域。该氮化镓生产炉废氨气回收装置,通过混合池和抽气泵的设置，使得氮化镓生产炉废氨气回收装置在进行使用时，可以通过抽气泵配合吸气管对废氨气进行有效吸收并通过配合气液混合管提高废氨气和稀硫酸溶液的融合，提高了废氨气的回收利用效率，避免了氨气回收不够充分的问题。
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公开(公告)号：CN112584607B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202011419622.X
申请日：2020-12-06
申请人： 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓半导体器件，具体涉及半导体技术领域，包括器件主体，所述器件主体的内壁上设置有防水结构，所述器件主体内部的四周设置有加强结构，所述器件主体内部的一端固定连接有电路板，所述器件主体的顶端固定连接有四组连接块，所述器件主体内部的底端固定连接有放置座。本发明通过设置有内层体、加强板、中层体和连接座，使用时，器件主体的内部设置有中层体和内层体，中层体和内层体形成双层的结构，增加了器件主体的结构强度，并且在中层体和内层体之间通过连接座横向设置有加强板，加强了结构的强度，加强板和连接座连接在一起，结构稳定，避免在使用过程中发生脱落，增加了器件的使用效果。
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公开(公告)号：CN112626464A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011419636.1
申请日：2020-12-06
申请人： 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
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公开(公告)号：CN112095140B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202010773368.7
申请日：2020-08-04
申请人： 清华大学无锡应用技术研究院
摘要： 本发明公开了一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，驱动装置内腔的内壁固定设置有隔板，隔板的表面固定设置有加热层，反应罐内腔的内壁固定设置有驱动装置，通孔的内腔固定设置有夹持机构，坩埚的表面固定开设有连接口，进液阀的一端贯穿反应罐、隔板和滑轨的表面，并与连接口活动连接，本发明涉及氮化镓生长技术领域，该利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，解决了无法进行多个氮化镓晶体来进行共同的生长，无法对氮化镓晶体在坩埚内腔的溶液中进行位置的调整，不能保证晶种模版一直处在最佳的生长环境，不利于提高氮化镓晶体生长效率和生长质量，无法对坩埚进行清理和对大小不同的晶体进行夹持的问题。
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