公开(公告)号：CN111554778B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202010405756.X

申请日：2020-05-13

申请人： 温州大学

发明人： 刘文文 ,  蒲唐阳 ,  梁龙 ,  曹宇 ,  张健 ,  朱德华

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明提供了一种利用激光旋切加工进行晶硅太阳能电池表面制绒的方法，通过一系列工艺实验和测试验证，获得激光旋切工艺参数、晶硅绒面微孔结构参数、晶硅绒面反射率三者之间的控制规律，从而可以从预设的晶硅绒面反射率目标值出发，选择优化的激光旋切工艺参数数值，使得晶硅绒面反射率实测值大于等于预设目标值，并从满足预设绒面反射率的晶硅样品中找到不影响后续减反膜沉积质量的所有样品所对应的绒面微孔结构参数，最后确定这些绒面微孔结构参数所对应的激光旋切工艺参数。本发明是基于激光旋切加工的表面制绒技术，绿色安全、对环境无污染，且表面微结构单元高度可控，可大幅度降低绒面反射率，提高太阳能电池转换效率。

公开(公告)号：CN111554778A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010405756.X

申请日：2020-05-13

申请人： 温州大学

发明人： 刘文文 ,  蒲唐阳 ,  梁龙 ,  曹宇 ,  张健 ,  朱德华

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明提供了一种利用激光旋切加工进行晶硅太阳能电池表面制绒的方法，通过一系列工艺实验和测试验证，获得激光旋切工艺参数、晶硅绒面微孔结构参数、晶硅绒面反射率三者之间的控制规律，从而可以从预设的晶硅绒面反射率目标值出发，选择优化的激光旋切工艺参数数值，使得晶硅绒面反射率实测值大于等于预设目标值，并从满足预设绒面反射率的晶硅样品中找到不影响后续减反膜沉积质量的所有样品所对应的绒面微孔结构参数，最后确定这些绒面微孔结构参数所对应的激光旋切工艺参数。本发明是基于激光旋切加工的表面制绒技术，绿色安全、对环境无污染，且表面微结构单元高度可控，可大幅度降低绒面反射率，提高太阳能电池转换效率。

公开(公告)号：CN111443406B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202010401534.0

申请日：2020-05-13

申请人： 温州大学

发明人： 刘文文 ,  蒲唐阳 ,  梁龙 ,  曹宇 ,  张健 ,  朱德华

IPC分类号： G02B1/12 ,  G01M11/04

摘要： 本发明提供了一种提高光学薄膜元件抗激光损伤能力的方法，包括：首先获得光学薄膜元件的功能性损伤阈值；之后进行光学薄膜元件的覆层处理和激光诱导等离子体冲击后处理：获得经过不同扫描参数激光诱导离子体后处理作用后的所有薄膜元件功能性损伤阈值；选择其中最大的功能性损伤阈值作为光学薄膜元件的最优功能性损伤阈值，其对应的脉宽和扫描参数为最优参数；采用所述最优参数对光学薄膜元件进行激光诱导等离子体后处理来提高光学薄膜元件抗激光损伤能力。本发明可同时降低薄膜中的结构型和吸收型缺陷的缺陷密度，又可改善薄膜界面间的结合力等力学性能，解决了目前现有后处理技术只对少部分薄膜元件类型有效且提升效果也有限的难题。

公开(公告)号：CN111443406A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010401534.0

申请日：2020-05-13

申请人： 温州大学

发明人： 刘文文 ,  蒲唐阳 ,  梁龙 ,  曹宇 ,  张健 ,  朱德华

IPC分类号： G02B1/12 ,  G01M11/04

摘要： 本发明提供了一种提高光学薄膜元件抗激光损伤能力的方法，包括：首先获得光学薄膜元件的功能性损伤阈值；之后进行光学薄膜元件的覆层处理和激光诱导等离子体冲击后处理：获得经过不同扫描参数激光诱导离子体后处理作用后的所有薄膜元件功能性损伤阈值；选择其中最大的功能性损伤阈值作为光学薄膜元件的最优功能性损伤阈值，其对应的脉宽和扫描参数为最优参数；采用所述最优参数对光学薄膜元件进行激光诱导等离子体后处理来提高光学薄膜元件抗激光损伤能力。本发明可同时降低薄膜中的结构型和吸收型缺陷的缺陷密度，又可改善薄膜界面间的结合力等力学性能，解决了目前现有后处理技术只对少部分薄膜元件类型有效且提升效果也有限的难题。