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公开(公告)号：CN117888153A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311689880.3
申请日：2023-12-07
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C25D3/38
摘要： 本发明提供了一种适用于微米级密集铜布线层的铜电镀液。所述的铜电镀液包括主盐五水合硫酸铜，无机酸硫酸和盐酸，有机硫化合物，非离子型乳化剂，表面活性剂。采用所述铜电镀液时，可以在含有溅射金属种子层和图形化光阻的结构片上在一定的电流密度下进行电沉积，其得到的微米级铜布线层高度一致、无裂纹、表面晶型细密且有着优良的结合力。
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公开(公告)号：CN116240547B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211669836.1
申请日：2022-12-25
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/18
摘要： 本发明提供了一种铜蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液利用铜盐，无机酸，有机酸，表面活性剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，对ITO、不锈钢等材料的腐蚀较小。蚀刻液中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，可以增加蚀刻液的蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，降低蚀刻液对其它金属的腐蚀。
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公开(公告)号：CN117684176A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311497128.9
申请日：2023-11-10
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/30
摘要： 本发明提供了一种高选择性含银合金膜的蚀刻液及其应用，该蚀刻液按质量百分比计，包括占蚀刻液总重量40‑55%的磷酸、1‑4%的硝酸、8‑15%的醋酸、0.5‑2%的硝酸钾和0.05‑0.5%的金属掩蔽剂，其余为去离子水；其中金属掩蔽剂为氮苯类化合物的季铵盐。考虑到含银合金膜蚀刻液体系强氧化强酸性的特点，结合氮苯化合物和季铵盐阳离子对铝金属表面的共价键吸附特性，开发了一种吡啶季铵盐，具有阳离子活性剂的特点并且具有很强的芳香性，在强氧化性强酸性环境中，吡啶季铵盐吸附到铝金属表面，在蚀刻含银合金膜的同时保护铝不被腐蚀。
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公开(公告)号：CN117535777A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311275175.9
申请日：2023-09-28
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C25F5/00
摘要： 本发明涉及一种半导体逆电镀剥金剂及其使用方法。利用有机酸、碱性化合物、有机盐缓冲物、表面活性剂、醇类物质、氯化物等形成半导体逆电镀剥金剂，以晶圆为阳极、钛网等为阴极浸没于逆电镀剥金剂中，在恒电流的作用下进行晶圆上金单质的剥离。通过逆电镀剥金剂的成分、含量、pH稳定性及工艺参数调控，能较好的控制金剥离速率，能均匀提升表面粗糙度从而改善下一膜层沉积的粘附性，且无色差产生，起到环保剥离半导体晶圆上金单质的作用。
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公开(公告)号：CN117265604A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310966200.1
申请日：2023-08-02
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/768 , B81C1/00
摘要： 本发明特别涉及一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂，属于MEMS晶圆TSV高深径比通孔电沉积铜填充领域，为整平剂中的一种。所述整平剂的化学结构式为： 所述整平剂具有抑制铜沉淀的作用，且能够吸附在微孔孔口和孔外镀层凸起的高电荷密度区，故能使镀层起到整平作用，和避免了电沉积过程中孔径的缩小甚至于提前封孔的异常发生，明显降低电沉积铜填充过程中的微裂缝和微空洞出现的可能性。此整平剂与抑制剂、加速剂协同作用，可保证质量信赖性而且不影响电沉积速度。
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公开(公告)号：CN116288350A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310157575.3
申请日：2023-02-23
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/14
摘要： 本发明涉及一种长寿命的铜蚀刻液及其制备方法。利用铜盐，无机酸，有机酸，螯合剂，表面活性剂，抑制剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，蚀刻寿命更长。其中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，提高蚀刻液的稳定性和蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，提升蚀刻液的稳定性及蚀刻寿命。
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公开(公告)号：CN116177892A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211619402.0
申请日：2022-12-15
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种高选择性碱性玻璃蚀刻液及其蚀刻方法。利用无极碱、有机碱，胺类化合物，醇类化合物，非离子氟碳表面活性剂等形成的蚀刻液对金属层上的玻璃进行选择性蚀刻处理，达到环保、高选择性减薄玻璃的作用而尽可能不伤害导电金属层。通过调整蚀刻液中的组分、含量配比，以及蚀刻方法，实现玻璃表层粗糙度低，玻璃蚀刻均匀，玻璃蚀刻速率与金属蚀刻速率选择比佳的作用。
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公开(公告)号：CN111472003B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010458724.6
申请日：2020-05-27
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/18
摘要： 本发明涉及一种铜制程面板中调节蚀刻锥角的蚀刻液及调节方法。利用氧化剂、有机酸及衍生物、络合剂组成铜制程面板的蚀刻液，能够对铜及其合金进行蚀刻。通过向配方中加入适量的强电离无机酸调节剂调控蚀刻液的pH，使其维持在3.5‑4.5之间来改变对铜的活化性能，从而调控侧向蚀刻速率使蚀刻锥角发生变化。本发明还通过调控蚀刻液喷淋的流量，改变纵向蚀刻中铜离子浓度，从而与pH值综合优化侧向和纵向的蚀刻速率来调节蚀刻锥角。本发明通过调节剂在较小的pH变动范围中调控蚀刻液，可以保证刻蚀液稳定性的同时，减轻pH对管道的腐蚀压力，配合蚀刻液喷淋流量，根据工艺制程需要，可使蚀刻锥角在15°‑100°范围内调整，达到对蚀刻锥角大范围调控的目的。
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公开(公告)号：CN116288350B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310157575.3
申请日：2023-02-23
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/14
摘要： 本发明涉及一种长寿命的铜蚀刻液及其制备方法。利用铜盐，无机酸，有机酸，螯合剂，表面活性剂，抑制剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，蚀刻寿命更长。其中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，提高蚀刻液的稳定性和蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，提升蚀刻液的稳定性及蚀刻寿命。
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公开(公告)号：CN117779035A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311673174.X
申请日：2023-12-07
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/3213
摘要： 本发明提供一种选择性铜及其合金蚀刻液，所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量3‑12％的双氧水、4‑8％的有机酸、2‑6％的复配非离子型表面活性剂、0.05‑0.3％的络合剂，剩余为去离子水。有机酸可提供酸性环境，还可作为螯合剂与蚀刻产生的铜离子配位形成稳定的螯合物，使得蚀刻速率和蚀刻寿命更加稳定，其优选为柠檬酸。具有特定比例的复配型表面活性剂可以降低蚀刻液的表面张力，增强对试片表面的浸润性，使得蚀刻效果均匀且无残留，且能够保留原基板图案，达到良好的蚀刻效果。
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