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公开(公告)号：CN117819573A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311614840.2
申请日：2023-11-27
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要： 本专利涉及一种超净高纯氢氧化钾溶液及其制备方法，该超净高纯氢氧化钾溶液质量分数为48％，金属钠离子含量＜100ppm，其他金属离子＜10ppb，0.3μm颗粒物小于＜100pcs/ml。本发明旨在解决氢氧化钾中金属离子难以高效率去除的问题，利用氢氧化钾溶解放热的特点，通过真空膜蒸馏技术将高温氢氧化钾溶液浓缩以促进非均相成核，再通过程序降温以促进晶体进一步生长，获得晶体经进一步清洗最终添加超纯水配制成超净高纯氢氧化钾产品。生产工艺主要包括如下步骤：工业级或食品级氢氧化钾原料的溶解、浓缩、结晶、晶体洗涤、晶体溶解。
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公开(公告)号：CN115894218B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202211318373.4
申请日：2022-10-26
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C07C51/42 , C07C59/265 , C07C51/43
摘要： 本发明提供了一种电子级柠檬酸的多级纯化方法，将柠檬酸原液通过树脂柱得到初级柠檬酸纯化液；将初级柠檬酸纯化液减压浓缩得到柠檬酸初级浓缩液；将柠檬酸初级浓缩液采用梯度降温的方式得到柠檬酸晶体的悬浮液；柠檬酸悬浮液离心洗涤得到一级柠檬酸晶体；一级柠檬酸晶体配成一级柠檬酸纯化液；将柠檬酸一级浓缩液采用梯度降温的方式结晶纯化得到柠檬酸晶体的悬浮液；重复上述操作两次。通过树脂耦合多级结晶的方式，可产量化的将金属含量较高的工业级柠檬酸纯化为高纯的电子级柠檬酸。
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公开(公告)号：CN116178238A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310098302.6
申请日：2023-02-10
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C07D207/267 , B01J20/26 , B01J20/30
摘要： 一种电子级NMP提纯的方法，包括以下步骤：将金属离子与有机配体，在水或者有机溶剂中，按一定比例混合均匀；得到的混合物采用水热法、微波法、辐射合成等方法中的一种或几种在一定气氛下、温度、压力下反应一定时间，得到MOF；将所得MOF材料的一种或几种填充于吸附柱中，将NMP以一定流速注入吸附柱，并停留一定时间；将吸附柱出口收集处理后的NMP溶液，得到提纯后的NMP。本发明能够实现NMP溶液中绝大部分金属杂质的高效去除，能得到≥99.999%电子级NMP产品。
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公开(公告)号：CN118580172A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410604313.1
申请日：2024-05-15
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C07D207/267
摘要： 本发明提供了一种高纯度电子级NMP的提纯方法。具体地，将杂质含量较高的工业级NMP通过进液泵输送至阳床树脂塔塔顶脱除绝大部分金属阳离子杂质；再经由混床树脂塔脱除剩余的痕量金属及少量阴离子杂质，将物料输送至脱轻精馏塔，脱除水分；最后通过膜组件去除固、柔性颗粒物得到最终产品电子级NMP。该方法可将各金属含量均降至0.1ppb以下，SO42‑、Cl‑、NO3‑等阴离子含量降至10ppb以下，水分降至50ppm以下，≥0.5um的颗粒降至10 pcs/ml。该方法能耗低，产品纯度高，可作清洗剂、溶剂等应用于各类半导体高端制程工艺中。
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公开(公告)号：CN118579741A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410422794.4
申请日：2024-04-09
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C01B25/234
摘要： 本发明涉及一种高收率电子级磷酸的制备方法。配制浓度为85%‑90%的磷酸，初始溶液温度为30‑40℃，搅拌溶解至溶液内不存在未溶固体颗粒物时，将所需一定量原液打至结晶釜进行降温冷却，釜内溶液降温至20‑30℃之间，引入总酸液质量1‑10%的晶种，进行阶段降温，结晶时间2‑10h，待放料前0‑2h，结晶釜夹套温度升至25‑30℃进行晶层剥离，放料离心洗涤后可根据不同产品的要求调配成指定浓度。本发明可处理原料酸的浓度及纯度范围广，解决了现存磷酸生产工艺中收率低、杂质高的问题，且该工艺所用设备少、适用性高、能耗低，便于工产业化推广。
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公开(公告)号：CN117899517A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311665109.2
申请日：2023-12-06
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： B01D9/02 , B01D9/00 , C07C51/43 , C07C51/42 , C07C59/265
摘要： 一种柠檬酸的结晶纯化装置及工艺流程，装置包括有配料罐、结晶釜、调节罐和成品储罐，配料罐的进料口处连通有配料进料管，配料罐的出料口处通过混料出料管连通结晶釜，结晶釜通过回收系统连通配料罐，结晶釜的出料口处连通溶液出料管，所述溶液出料管连通调节管进料管，调节管进料管的另一端连通调节罐，调节罐的出料口处通过调节罐出料管连通成品储罐；本发明所记载的装置密闭性良好且自动化程度高，能够有效避免静态结晶法中因晶体于釜底板结导致的出液困难、固液分离不彻底等问题，结合“发汗”的工艺流程可有效提升柠檬酸的产品质量，并实现对母液的回收再利用，进而有效降低了生产成本，减少了对环境的污染。
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公开(公告)号：CN116288350B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310157575.3
申请日：2023-02-23
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/14
摘要： 本发明涉及一种长寿命的铜蚀刻液及其制备方法。利用铜盐，无机酸，有机酸，螯合剂，表面活性剂，抑制剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，蚀刻寿命更长。其中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，提高蚀刻液的稳定性和蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，提升蚀刻液的稳定性及蚀刻寿命。
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公开(公告)号：CN115872839B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211347434.X
申请日：2022-10-31
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种高纯度丙三醇的制备方法，所得的高纯度丙三醇适用于IC芯片行业。包括以下步骤，步骤（一）：将甘油原液加入适量纯水，调整其粘稠度，利用阴阳离子交换树脂去除甘油水溶液中的碱式盐等杂质；步骤（二）：对步骤（一）得到的甘油水溶液先常压蒸发，去除丙三醇中的水和低沸有机物杂质；步骤（三）：对步骤（二）得到的丙三醇进一步减压精馏，去除高沸有机杂质和部分重金属杂质，得到高纯度丙三醇。该方法工艺简单，不仅能够有效的去除甘油中的碱式盐杂质，还能去除甘油工业生产中引入的有机物杂质，最终得到的丙三醇纯度大于99.99%。
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公开(公告)号：CN117865796A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311626751.X
申请日：2023-11-30
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要： 本专利提供了一种高纯度无废液电子级草酸的提纯方法，可将各金属含量均降至1ppb以下，SO42‑、Cl‑、NO3‑等阴离子含量降至5ppb以下，且收率达70％以上。将工业级二水草酸加水混合后，加热至完全溶解，得到草酸溶液；步骤2：将草酸溶液降温至77℃及以下；步骤3：加入晶种后再次降温至20℃及以下，然后再升温至30℃及以上；步骤4：通过离心分离出母液和晶体，再将晶体洗涤、溶解得到电子级草酸；步骤5：将母液及洗涤液集中，并以10～50BV/h的速率通过混床树脂，除去大部分阴阳离子杂质，得到溶解液；步骤6：将溶解液配成10‑46％的草酸溶液，再加入到步骤1中，重复步骤1～步骤6。该方法纯度高、收率大，无废液处理、绿色经济易操作，可应用于各种要求苛刻的高端领域。
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公开(公告)号：CN117735572A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311359082.4
申请日：2023-10-19
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种超净高纯KOH的制备工艺，包括以下步骤：步骤一、将氯化钾水溶液经过过滤去除溶液中固体杂质；步骤二、将氯化钾滤液以恒定流速通过精致处理后的H型阳离子交换树脂进行吸附钾离子，后通过一定浓度的高纯氨水洗脱得到KOH和氨水混合液；步骤三、将上诉混合液通过脱氨塔，得到低浓度的KOH溶液；步骤四、最后加热浓缩结晶得到KOH晶浆，离心洗涤过滤后得到超净高纯KOH。本发明得到的KOH的制备工艺可使Na+＜10 ppm，其他金属阳离子＜20ppb，且相比于传统电解，该工艺不生成氢气、氯气，减少了安全隐患。且工艺中树脂、氨水可循环使用，安全环保。
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