公开(公告)号：CN118185631A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410222874.5

申请日：2024-02-28

申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司

发明人： 叶瑞 ,  谢建 ,  贺兆波 ,  吴政 ,  王亮 ,  孟牧麟 ,  刘春丽 ,  彭秋桂 ,  汪凡杰 ,  李宇

IPC分类号： C09K13/10 ,  C11D7/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/10

摘要： 本发明公开了一种兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物，组合物包括有机溶剂、氧化剂、含氟物质、羧酸盐、有机羧酸、腐蚀抑制剂、氨、钝化剂和余量的水。本发明的蚀刻液用于先进铜制程中金属硬掩模材料WC的去除和蚀刻残留物的清洁，相对于AlOx、Low‑Κ材料和含Cu和Co的材料具有优异的兼容保护性，此外本发明的组合物还有较长使用寿命。

公开(公告)号：CN118185711A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410222872.6

申请日：2024-02-28

申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司

发明人： 谢建 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  彭秋桂 ,  汪凡杰 ,  吴政 ,  王亮 ,  刘春丽 ,  李文飞 ,  李宇 ,  蒋瑜瑜

IPC分类号： C11D7/32 ,  C23F11/10 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D3/39 ,  C11D7/60 ,  C09K13/00 ,  H01L21/033

摘要： 本发明公开了一种铜钴钨兼容性好的TiN去除组合物，包括氧化剂、碱性物质、羧酸盐、金属腐蚀抑制剂、螯合剂和去离子水。本发明的蚀刻液用于先进铜制程中金属硬掩模材料TiN的去除和蚀刻残留物的清洁，相对于Low‑Κ材料和含Cu、Co、W的材料具有优异的兼容保护性，此外本发明的组合物还有较长使用寿命。