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公开(公告)号：CN110534387B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910839679.6
申请日：2019-09-06
申请人： 湖北大学
发明人： 曹万强
摘要： 本发明公开了一种铁电陶瓷集束电子发射器，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场；电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；栅极对应所述电子发射端设置，并与所述电子发射端间隔开，栅极用于吸引电子发射端发射出的电子；阳极对应栅极设置，并与栅极间隔开，聚焦电子磁场产生的磁场用于控制高能电子的运动轨迹；调控磁场设置在真空玻璃管的管口，用于控制高能电子的出射方向。通过本申请所述铁电陶瓷集束电子发射器可将漫射的电子束在高电场作用下收集、加速和聚焦，控制高能电子的出射方向。
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公开(公告)号：CN111233464B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910814186.7
申请日：2019-08-30
申请人： 湖北大学
发明人： 曹万强
IPC分类号： C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/51 , C04B41/88 , H01G4/12
摘要： 本发明公开了一种工作在顺电相高储能反铁电复合陶瓷材料及其制备方法，其成分：由反铁电介质A0.88[(Pb0.94La0.04)(Sn0.4Zr0.6)0.8Ti0.2O3]，线性介质B(0.08～0.10)[SrTiO3/CaTiO3]和绝缘介质C(0.02～0.04)[MgO/WO3]三部分组成。分别用固溶法制备A、B、C粉体，再按配比混合制备本发明材料，经压片、烧结、磨平、涂覆银浆后，形成本发明的复合高储能反铁电陶瓷材料。本发明的材料居里温度在摄氏‑10～‑30℃，顺电相工作温度10～50℃，电场强度可达180kV/cm，储能密度为4.4～5.4J/cm3，储能效率大于90％。可实现室温环境下高储能的应用。本发明制备工艺简单、性能稳定、温度稳定性好，能量利用率高，适合工业推广。
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公开(公告)号：CN110373184A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910571830.2
申请日：2019-06-28
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开了一种高产率红色荧光碳量子点材料的合成方法。其合成方法是：先分别称量碳源和氮源，加入到极性溶剂N,N-二甲基甲酰胺中，搅拌至完全溶解得到前驱体溶液；再将前驱体溶液转移至聚四氟乙烯内衬水热反应釜中，在温度180℃下，保温6小时碳化处理，冷却后得到悬浊液反应产物；再在悬浊液中加入碱溶液处理后搅拌、离心、洗涤、干燥得到红色荧光碳量子点材料。本发明合成的碳量子点材料能在波长在300～600nm的激发光下发射红光，本发明的合成工艺及分离提纯过程简单、荧光量子产率高、重复性强、原料便宜、适合大规模批量生产。同时本发明制备的红色荧光碳量子点在制备白光二极管(WLED)以及生物检测等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106745204B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201611069558.0
申请日：2016-11-28
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开了一种绿色环保CsPbX3(X＝Cl,Br,I)钙钛矿量子点的简单合成方法，本发明的特点是：将铯、铅、溴以离子的形式溶解在溶剂内，加入适量的羧酸类和胺类作为稳定剂；采用低压蒸馏法使溶剂和铯、铅、卤素离子分离，铯、铅、卤素离子由于溶剂的蒸发而过饱和析出，形成CsPbX3钙钛矿量子点。该发明的优点：所用溶剂可通过低压蒸馏技术循环使用，节约成本，绿色环保，反应温度较低，操作简单，适合大规模批量生产。
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公开(公告)号：CN104281124A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410452923.0
申请日：2014-09-09
申请人： 武汉凯信达智能科技有限公司 , 湖北大学
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02 , G05B19/41865
摘要： 本发明公开了一种垃圾填埋场垃圾好氧降解监测控制系统及控制方法，它具有注气系统、抽气系统、注水系统、计算机传感器监测控制系统；注气井和抽气井相间距离为10-50米，相互交替地均布在垃圾填埋场上，注气井底部密布连接成多孔注气管网，抽气井底部密布连接成多孔管网，还布置3-10个的注水井或渗沥液井；在注气井和抽气井周围2-5米设置一个监测井，每个监测井的探测器、传感器与计算机连接成完整的监测网，记录好氧降解过程的实测数据。根据数据，调节注气、抽气、注水等工序，使好氧降解过程保持在最佳状态。本发明布局合理，实时有效准确监测好氧降解过程，将抽气与注气操作有机结合，有效地提高垃圾处理效率，缩短处理时间。
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公开(公告)号：CN103342556B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310252541.9
申请日：2013-06-24
申请人： 湖北大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种两相共存低温共烧温度稳定型电介质陶瓷材料的制备方法，步骤为：(1)采用高温煅烧BaCO3和TiO2合成BaTiO3，温度为1250℃，接近BaTiO3陶瓷的烧结温度；(2)在800℃煅烧Na2CO3、Bi2O3、TiO2合成Na0.5Bi0.5TiO3；(3)按照重量百分比将(1-x)BaTiO3+xNa0.5Bi0.5TiO3均匀混合，其中0.05＜x＜0.2，作为基底材料；(4)混合过程中加入相对于基底材料重量比为ywt%的Y2O3，其中0.1＜y＜0.5；(5)将粉料洗出、烘干、模压成型，在1100～1150℃烧结温度得到两相低温共烧陶瓷样片。本发明采用分步固相法制备BT-BNT混合型两相共存电介质材料，有别于BNT-BT复合材料。兼具BT在低于120℃和BNT在高于120℃的低损耗和高介电常数特性。本发明不用添加任何助烧剂即可实现多相介质共存共烧，也可与金属内电极同时共烧，实现了一种新的温度稳定型陶瓷的制备方法，具有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106753356B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201611034988.9
申请日：2016-11-09
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿型纳米晶的制备方法，所述钙钛矿型纳米晶为CsPbXaYb，其中X选自Cl、Br或I中的任意一种，Y选自Cl、Br或I中的任意一种，X与Y不同，a≥0，b≥0，a+b＝3；所述方法包括将铯盐、长链烯烃以及油酸混合，在惰性气体保护下，加热反应，得到油酸铯溶液；将PbO、卤化铵以及长链烯烃混合，然后注入油胺和油酸，加热，在惰性气体保护下注入油酸铯溶液，反应，冷却，得到CsPbXaYb钙钛矿型纳米晶。所述方法合成钙钛矿纳米晶时可调控卤素的种类及比例，控制钙钛矿纳米晶性能，方法简单，且合成的钙钛矿纳米晶光电转化性能良好，同时合成原料采用低毒的PbO，绿色环保。
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公开(公告)号：CN110534387A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910839679.6
申请日：2019-09-06
申请人： 湖北大学
发明人： 曹万强
摘要： 本发明公开了一种铁电陶瓷集束电子发射器，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场；电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；栅极对应所述电子发射端设置，并与所述电子发射端间隔开，栅极用于吸引电子发射端发射出的电子；阳极对应栅极设置，并与栅极间隔开，聚焦电子磁场产生的磁场用于控制高能电子的运动轨迹；调控磁场设置在真空玻璃管的管口，用于控制高能电子的出射方向。通过本申请所述铁电陶瓷集束电子发射器可将漫射的电子束在高电场作用下收集、加速和聚焦，控制高能电子的出射方向。
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公开(公告)号：CN105272222B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510701545.X
申请日：2015-10-26
申请人： 湖北大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种镁掺杂新型钛酸铋钠基于无铅介电材料及制备方法，其化学通式为：NaBi(Ti0.98Mg0.02)6O14，用传统固相法分五个温度点，经两次预烧，一次烧结而成。本发明制备的陶瓷片，经检测，介电常数具有很强的稳定性，烧结温度为1060℃时，在43.7℃～414.1℃的环境温度范围内介电常数低至25.804～26.9894，相应的损耗值相比于一般的Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)(≈0.01)相应的损耗值也降低了几个数量级，最低可达2.6×10‑5，相比于中介电常数微波陶瓷，本发明具有更低的介电损耗；相比于铁电材料，本发明拥有更低的介电常数和介电损耗。本发明的材料以其宽温度范围高稳定的介电常数和极低的介电损耗的优越性将会在铁电、介质材料、PCB基板材料及中介电常数的微波陶瓷材料上得到广泛运用。
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公开(公告)号：CN105693238A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610003343.2
申请日：2016-01-05
申请人： 湖北大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/475 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3232 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/96
摘要： 本发明公开了一种具有低介电常数和低介电损耗的钛酸铋钠基无铅铁电压电材料及制备方法，其化学通式为：NaBiTi6O14，用传统固相法分经两次预烧，一次烧结而成。本发明制备的陶瓷片，经检测，介电常数具有很强的稳定性，本征在烧结温度为1020℃时，在68.6℃～293.6℃的温度范围内介电常数低至22.3962～22.9918，相应的损耗值相比于一般的Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)，其降低了几个数量级，最低甚至达到4.9×10-4。这是很多铁电、压电、介质材料及中介电常数的微波陶瓷材料都无法达到的，并且介电常数有所增加。相对于其它陶瓷材料，本实验发明的基于NBT陶瓷的材料以其宽温度范围的高稳定的介电常数和极低的介电损耗的优越性将会在铁电、压电、介质材料及中介电常数的微波陶瓷材料上得到广泛运用。
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