公开(公告)号：CN100461630C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610018254.1

申请日：2006-01-19

Applicant: 湖北大学

Inventor： 顾豪爽 ,  李位勇 ,  胡明哲 ,  张凯 ,  陈侃松

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/15

Abstract: 本发明提出一种具有AlN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法，它是在用直流磁控溅射法在Pt电极上沉积AlN压电薄膜时按下列三个步骤进行：第一步，制作Al1-xNx的富Al过渡层。第二步，对此非晶Al1-xNx的富Al过渡层进行晶化退火处理。第三步，在晶化退火处理后的Al1-xNx的富Al过渡层上直流磁控溅射沉积一层c轴取向AlN压电薄膜。本发明能控制过渡层的厚度、改善过渡层的应力性能、提高晶粒C轴取向，制作出高性能的体声波谐振器。

公开(公告)号：CN1893265A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610018254.1

申请日：2006-01-19

Applicant: 湖北大学

Inventor： 顾豪爽 ,  李位勇 ,  胡明哲 ,  张凯 ,  陈侃松

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/15

Abstract: 本发明提出一种具有AlN晶化过渡层的体声波谐振器的制造方法，它是在用直流磁控溅射法在Pt电极上沉积AlN压电薄膜时按下列三个步骤进行：第一步，制作Al1－xNx的富Al过渡层。第二步，对此非晶Al1－xNx的富Al过渡层进行晶化退火处理。第三步，在晶化退火处理后的Al1－xNx的富Al过渡层上直流磁控溅射沉积一层c轴取向AlN压电薄膜。本发明能控制过渡层的厚度、改善过渡层的应力性能、提高晶粒C轴取向，制作出高性能的体声波谐振器。