公开(公告)号：CN112635673B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201910914422.2

申请日：2019-09-24

申请人： 湖北大学

发明人： 李金华 ,  沈涛 ,  周慧 ,  郭松阳 ,  王贤保

IPC分类号： H10K10/46 ,  H10K85/60 ,  H10K85/10 ,  H10K77/10 ,  H10K71/00

摘要： 本发明提供了一种高迁移率柔性低压有机薄膜晶体管及其制备方法，属于光电元器件领域。包括依次设置的柔性衬底、有机小分子2，7‑Dioctyl[1]benzothieno[3，2‑b][1]benzothiophene(C8‑BTBT)与惰性聚合物混合体系以及高速中心旋涂法、low‑k/high‑k双介电层。本发明通过控制混合体系的比例用高速中心旋涂法制备了性能均一可大面积制造的有机半导体薄膜，设计了PVA/P(VDF‑TrF‑CFE)双介质的顶删结构晶体管，制备了柔性可低压操作的有机薄膜晶体管，在5V的操作电压下，迁移率达3.18cm2/Vs，开关比超过105。

公开(公告)号：CN108767051B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201810645184.5

申请日：2018-06-21

申请人： 湖北大学

发明人： 李金华 ,  王强 ,  沈涛 ,  杨子璐 ,  王贤保

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种可见光敏晶体管，将溴铅铯量子点和氧化锌结合起来，利用二者各自的特性制备得到了具有场效应的可见光敏晶体管。本发明提供的可见光敏晶体管探测器响应灵敏度可达3.7×105A/W，探测率为1.9×1013，探测波长为400～525nm，响应时间为0.3～0.6s，恢复时间为0.3～0.8s，具有高响应率及快响应速度，可广泛应用于光电探测领域。

公开(公告)号：CN112635672A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910914421.8

申请日：2019-09-24

申请人： 湖北大学

发明人： 李金华 ,  沈涛 ,  周慧 ,  郭松阳 ,  王贤保

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

摘要： 本发明提供了一种调控有机小分子半导体薄膜微结构的方法及其在晶体管中的应用，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、介电层、可溶解聚合物薄膜修饰层、有机小分子2，7‑Dioctyl[1]benzothieno[3，2‑b][1]benzothiophene(C8‑BTBT)与惰性聚合物混合体系、金属电极对。本发明通过可溶解聚合物薄膜的修饰调控有机半导体成膜的微结构，从而制备具有高迁移率的有机薄膜晶体管。在溶液法旋涂混合半导体层时，可溶解聚合物薄膜修饰层会溶解进入溶液，从而影响小分子半导体的分子结晶以及薄膜粗糙度，在优化条件下可制备出具有大晶粒且表面光滑的半导体薄膜。我们以SiO2为介质制备的底栅结构晶体管迁移率超过7cm2/Vs。

公开(公告)号：CN108767051A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810645184.5

申请日：2018-06-21

申请人： 湖北大学

发明人： 李金华 ,  王强 ,  沈涛 ,  杨子璐 ,  王贤保

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/186

摘要： 本发明提供了一种可见光敏晶体管，将溴铅铯量子点和氧化锌结合起来，利用二者各自的特性制备得到了具有场效应的可见光敏晶体管。本发明提供的可见光敏晶体管探测器响应灵敏度可达3.7×105A/W，探测率为1.9×1013，探测波长为400～525nm，响应时间为0.3～0.6s，恢复时间为0.3～0.8s，具有高响应率及快响应速度，可广泛应用于光电探测领域。

公开(公告)号：CN110885681A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201811065087.5

申请日：2018-09-11

申请人： 湖北大学

发明人： 李金华 ,  王强 ,  沈涛 ,  王贤保

IPC分类号： C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种高稳定性碘铅铯量子点，通过改变前驱体的成分，采用热注入法制备了高稳定性的碘铅铯量子点。本发明提供的高稳定性的碘铅铯量子点尺寸为7～8nm，有良好的时间稳定性，温度稳定性，在放置一个月之后TEM图中仍能保持良好的微观结构，可广泛应用在太阳能电池、光电探测器、LED等领域。

公开(公告)号：CN110767805A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201810859515.5

申请日：2018-07-26

申请人： 湖北大学

发明人： 李金华 ,  沈涛 ,  王强 ,  李珊珊 ,  王贤保

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05

摘要： 本发明提供了一种高迁移率有机薄膜晶体管及其制备方法，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、低表面能聚合物界面、有机小分子2，7-Dioctyl[1]benzothieno[3，2-b][1]benzothiophene(C8-BTBT)与惰性聚合物混合体系以及高速中心旋涂法、金属电极对。本发明通过控制混合体系的比例用高速中心旋涂法制备了性能均一可大面积制造的有机薄膜晶体管，这种混合体系以及工艺在低表面能聚合物界面上具有更加优良的性能，在这种界面上，小分子C8-BTBT具有更高的结晶性，载流子迁移率有显著的提高，将这种小分子与聚合物混合体系及工艺与低表面能聚合物界面相结合，能够制备性能均一适用于大面积制造且同时具有高迁移率(超过10cm2·V-1·s-1)的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN112635673A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910914422.2

申请日：2019-09-24

申请人： 湖北大学

发明人： 李金华 ,  沈涛 ,  周慧 ,  郭松阳 ,  王贤保

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

摘要： 本发明提供了一种高迁移率柔性低压有机薄膜晶体管及其制备方法，属于光电元器件领域。包括依次设置的柔性衬底、有机小分子2，7‑Dioctyl[1]benzothieno[3，2‑b][1]benzothiophene(C8‑BTBT)与惰性聚合物混合体系以及高速中心旋涂法、low‑k/h gh‑k双介电层。本发明通过控制混合体系的比例用高速中心旋涂法制备了性能均一可大面积制造的有机半导体薄膜，设计了PVA/P(VDF‑TrF‑CFE)双介质的顶删结构晶体管，制备了柔性可低压操作的有机薄膜晶体管，在5V的操作电压下，迁移率达3.18cm‑/Vs，开关比超过105。