公开(公告)号：CN110739407A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910958541.8

申请日：2019-10-10

Applicant: 湖北工业大学

Inventor： 周远明 ,  刘能 ,  梅思炯 ,  孙东伟 ,  梅菲 ,  曹先安

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: 公开了一种蓝光OLED器件及其制备方法，所述蓝光OLED器件空穴传输层(3)材料选用NPB或TAPC或CBP或MoO3，电子传输层(5)材料选用TPBi或Bphen，发光层(4)由mCP掺杂BCzVBi构成，掺杂浓度为20wt.％。本公开的所述蓝光OLED器件，通过匹配不同电荷传输层材料，显著优化了载流子地注入和传输，使发光层内空穴和电子数量趋于平衡，从而有效提高了器件的电流效率、亮度等性能。本公开的所述蓝光OLED器件具备制备工艺简单、成本低廉等特点，对提高蓝光OLED器件性能具有实际借鉴意义。

公开(公告)号：CN109285927A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811052026.5

申请日：2018-09-10

Applicant: 湖北工业大学

Inventor： 曹先安 ,  李珊 ,  刘能 ,  刘凌云

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于半导体照明技术领域，公开了一种白光发光二极管及其制备方法，白光发光二极管包括无机发光层结构、金属纳米颗粒、有机发光聚合物，其中，金属纳米颗粒位于无机发光层结构之上，金属纳米颗粒上覆盖有机发光聚合物。本发明采用“LED+有机聚合物”的混合结构发白光，通过金属纳米颗粒实现高效降频转换，能够提高白光发光效率，且制备工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN111883693A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010729278.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 湖北工业大学

Inventor： 周远明 ,  冯俊杰 ,  梅思炯 ,  梅菲 ,  孙东伟 ,  刘能 ,  王豪杰 ,  张珂

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物空穴注入层的钙钛矿发光二极管及其制备方法，方法包括：(1)清洗阳极基底；(2)制备氧化物空穴注入层；(3)制备空穴传输层；(4)制备钙钛矿发光层；(5)制备电子传输层；(6)制备电子注入层；(7)制备阴极。本发明引入氧化物空穴注入层，该结构可以增加器件空穴载流子的注入，匹配载流子的传输，增加发光层中激子数目，提高激子辐射复合的几率，大幅提高发光二极管的发光亮度(599cd/m2→1010cd/m2，增幅68.6％)、电流效率(0.403cd/A→0.624cd/A，增幅54.8％)外量子效率(0.062％→0.097％，增幅56.5％)等性能。本发明提供的工艺方法简单，重复性好，方便操作，可以有效提高钙钛矿LED器件的光电性能。

公开(公告)号：CN109285927B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811052026.5

申请日：2018-09-10

Applicant: 湖北工业大学

Inventor： 曹先安 ,  李珊 ,  刘能 ,  刘凌云

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于半导体照明技术领域，公开了一种白光发光二极管及其制备方法，白光发光二极管包括无机发光层结构、金属纳米颗粒、有机发光聚合物，其中，金属纳米颗粒位于无机发光层结构之上，金属纳米颗粒上覆盖有机发光聚合物。本发明采用“LED+有机聚合物”的混合结构发白光，通过金属纳米颗粒实现高效降频转换，能够提高白光发光效率，且制备工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN109904334A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910188911.4

申请日：2019-03-13

Applicant: 湖北工业大学

Inventor： 周远明 ,  梅思炯 ,  刘能 ,  石五行 ,  孙东伟 ,  梅菲

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法，方法包括：步骤1.将ITO导电玻璃清洗后烘干作为阳极基底；步骤2.在阳极基底上滴加PEDOT:PSS溶液，旋涂，然后退火，得到空穴传输层；步骤3.制备甲胺溴铅前驱体溶液；步骤4.将前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，退火，得到第一钙钛矿层；增加转速，在第一层顶部旋涂，退火，得到第二钙钛矿层；依次增加转速，逐层进行旋涂和退火处理，获得包含至少三层钙钛层的钙钛矿发光层；步骤5.在高真空下，于钙钛矿发光层的上方蒸镀TPBI，得到电子传输层；步骤6.在高真空下，于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电子注入层；步骤7.于电子注入层上蒸镀一定厚度的阴极。

公开(公告)号：CN207601163U

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201721859087.3

申请日：2017-12-25

Applicant: 湖北工业大学

Inventor： 常雨芳 ,  蔡华洵 ,  刘格格 ,  陈健 ,  邹琪骁 ,  邱春辉 ,  吴敏 ,  郑毅豪 ,  刘能

IPC: G01R19/00

Abstract: 本实用新型公开了一种微电网控制系统，包括电压采集器、第一电阻、第一电容、第一电感、第二电感、第二电容、第二电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第三电阻、运算放大器、第四电阻、MOS管、二极管、继电器、第五电阻、报警器、第六电阻。与现有技术相比，本实用新型在成本可控的情况下，实现了实时检测微电网控制系统电压的功能，具有很大的实用价值和开发价值。