公开(公告)号：CN108855149A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810602422.4

申请日：2018-06-12

Applicant: 湖北文理学院

Inventor： 梁桂杰 ,  陈美华 ,  汪竞阳 ,  李望南 ,  王松 ,  程晓红 ,  吴凯丰

IPC: B01J27/057 ,  C01B3/02

Abstract: 复合光催化剂及其制备方法，属于光催化领域。复合光催化剂包括MoS2纳米片及吸附于MoS2纳米片的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱，Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层。其具备吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光催化产氢量子产率高等优点。复合光催化剂的制备方法包括将含MoS2纳米片的第一反应液滴加于含Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的第二反应液中超声分散，得复合光催化剂。其可控性好、成本低、适用范围广，制得的光催化剂吸光效率及产氢效率高。

公开(公告)号：CN108806990B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201810601667.5

申请日：2018-06-12

Applicant: 湖北文理学院

Inventor： 梁桂杰 ,  陈美华 ,  汪竞阳 ,  李望南 ,  王松 ,  程晓红 ,  吴凯丰

IPC: H01G9/20

Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。

公开(公告)号：CN108806990A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810601667.5

申请日：2018-06-12

Applicant: 湖北文理学院

Inventor： 梁桂杰 ,  陈美华 ,  汪竞阳 ,  李望南 ,  王松 ,  程晓红 ,  吴凯丰

IPC: H01G9/20

Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。