公开(公告)号：CN112736132A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202110015630.6

申请日：2021-01-06

Applicant: 湖北文理学院

Inventor： 周书星 ,  王寅 ,  张欣 ,  类淑来 ,  胡青松

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟通层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。

公开(公告)号：CN114530499A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210096964.5

申请日：2022-01-26

Applicant: 湖北文理学院

Inventor： 周书星 ,  曹文彧 ,  魏彦锋 ,  陈传亮 ,  张欣

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开一种InP HEMT外延结构，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第一势垒层、第一Si‑δ掺杂层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第三沟道层、第二隔离层、第二Si‑δ掺杂层、第二势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层；其中，所述第一沟道层的材料为InxGa1‑xAs，0.5≤x≤0.8，所述第二沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.7≤y≤1，所述第三沟道层的材料为InzGa1‑zAs，0.5≤z≤0.8，所述第一Si‑δ掺杂层和所述第二Si‑δ掺杂层的掺杂浓度均为3×1012～7×1012cm‑2。本发明提供的InP HEMT外延结构，增强InP HEMT的抗辐射能力，对实现强抗辐射高性能InP HEMT电路具有重要意义。

公开(公告)号：CN112736132B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110015630.6

申请日：2021-01-06

Applicant: 湖北文理学院

Inventor： 周书星 ,  王寅 ,  张欣 ,  类淑来 ,  胡青松

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。