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公开(公告)号：CN114836194A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210199058.8
申请日：2022-03-02
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供了一种二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉的制备方法，包括以下步骤：首先按照一定比例准备铯源、锡源、铋源和碲源；其次，将锡源、铋源、碲源加入盐酸溶液中，混匀并加热至澄清，获得第一产物；再次，向第一产物中加入铯源，混匀并加热一定时间，得到第二产物；将第二产物冷却，移去上清液后干燥，获得第三产物；最后，将第三产物加入硅源和乙醇的混合溶液中混匀，加入盐酸引发聚合反应得到聚合产物，经干燥、研磨，即得到二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉。本发明提供的制备方法具有操作简单、反应时间短等特点，且制得的二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉具有发射光谱范围宽、热稳定性好等优势，适合在LED照明领域进行推广及应用。
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公开(公告)号：CN114854399A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210233518.4
申请日：2022-03-10
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供了一种聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：首先，按照亚铜基金属卤化物的化学式称取铯源、铜源，混匀得到第一产物，然后，将所述第一产物于还原性气氛下焙烧、研磨得到第二产物；最后，将第二产物与双组份液体硅橡胶的主剂混合，再加入双组份液体硅橡胶的固化剂，混匀，加热成型，即得到一种聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料。本发明制得的聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料，既保留了金属卤化物的发光性能，能够通过调节卤素原料的用量实现黄光或蓝光的发射，又具有较好的耐水性能和一定的柔性。该发光材料可以用于制作发光陶瓷，在柔性照明、柔性显示等领域具有良好的推广及应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114836194B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210199058.8
申请日：2022-03-02
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供了一种二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉的制备方法，包括以下步骤：首先按照一定比例准备铯源、锡源、铋源和碲源；其次，将锡源、铋源、碲源加入盐酸溶液中，混匀并加热至澄清，获得第一产物；再次，向第一产物中加入铯源，混匀并加热一定时间，得到第二产物；将第二产物冷却，移去上清液后干燥，获得第三产物；最后，将第三产物加入硅源和乙醇的混合溶液中混匀，加入盐酸引发聚合反应得到聚合产物，经干燥、研磨，即得到二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉。本发明提供的制备方法具有操作简单、反应时间短等特点，且制得的二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉具有发射光谱范围宽、热稳定性好等优势，适合在LED照明领域进行推广及应用。
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公开(公告)号：CN114854399B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210233518.4
申请日：2022-03-10
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供了一种聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：首先，按照亚铜基金属卤化物的化学式称取铯源、铜源，混匀得到第一产物，然后，将所述第一产物于还原性气氛下焙烧、研磨得到第二产物；最后，将第二产物与双组份液体硅橡胶的主剂混合，再加入双组份液体硅橡胶的固化剂，混匀，加热成型，即得到一种聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料。本发明制得的聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料，既保留了金属卤化物的发光性能，能够通过调节卤素原料的用量实现黄光或蓝光的发射，又具有较好的耐水性能和一定的柔性。该发光材料可以用于制作发光陶瓷，在柔性照明、柔性显示等领域具有良好的推广及应用前景。
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公开(公告)号：CN112736132B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110015630.6
申请日：2021-01-06
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN112736132A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110015630.6
申请日：2021-01-06
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟通层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。
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