公开(公告)号：CN119252743B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411786762.9

申请日：2024-12-05

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 彭昊阳 ,  刘淑娟 ,  杨展頔 ,  王锦驰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底的第一表面上依次形成掩埋式电源轨及器件结构。在衬底的第二表面上形成第一介质层，并至少对第一介质层执行刻蚀工艺以形成通孔结构和开口结构，开口结构位于通孔结构的周围，通孔结构暴露出掩埋式电源轨，其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表面。执行填充工艺，以在开口结构中形成应力吸收结构，并在通孔结构中形成导电结构。

公开(公告)号：CN119252743A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411786762.9

申请日：2024-12-05

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 彭昊阳 ,  刘淑娟 ,  杨展頔 ,  王锦驰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底的第一表面上依次形成掩埋式电源轨及器件结构。在衬底的第二表面上形成第一介质层，并至少对第一介质层执行刻蚀工艺以形成通孔结构和开口结构，开口结构位于通孔结构的周围，通孔结构暴露出掩埋式电源轨，其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表面。执行填充工艺，以在开口结构中形成应力吸收结构，并在通孔结构中形成导电结构。